专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110060035.0无效
  • 内海胜喜;隈川隆博;松浦正美;松岛芳宏 - 松下电器产业株式会社
  • 2007-05-29 - 2011-08-24 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。目的在于:当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时,在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置(100)的制造方法,包括:工序(a),在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103);工序(b),将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上;工序(c),在中间膜(102)上形成固定膜(104);工序(d),通过对半导体晶片(101)进行刀片切割,来将各个芯片(100a)分开;以及工序(e),通过对各个芯片(100a)进行蚀刻,来除去牺牲层(113),在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710106430.1有效
  • 内海胜喜;隈川隆博;松浦正美;松岛芳宏 - 松下电器产业株式会社
  • 2007-05-29 - 2007-12-12 - H01L21/00
  • 本发明公开了半导体装置的制造方法。目的在于:当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时,在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置100的制造方法,包括:工序(a),在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103);工序(b),将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上;工序(c),在中间膜(102)上形成固定膜(104);工序(d),通过对半导体晶片(101)进行刀片切割,来将各个芯片(100a)分开;以及工序(e),通过对各个芯片(100a)进行蚀刻,来除去牺牲层(113),在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。
  • 半导体装置制造方法

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