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- [发明专利]半导体装置-CN201910112588.2有效
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松山宏
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-02-13
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2023-07-04
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H01L25/07
- 提供一种半导体装置，能够降低电感。实施方式的半导体装置具备：基板；金属层；设置在金属层之上、且具有上部电极和下部电极的半导体芯片；与上部电极电连接的第一配线板，设置在基板的上方，具有第一板状部、第二板状部和第三板状部，第一板状部与第二板状部平行，第三板状部连接在第一板状部的一端和第二板状部的一端；以及与金属层电连接的第二配线板，设置在基板的上方，具有第五板状部、第六板状部和第七板状部，第五板状部与第六板状部平行，第七板状部连接在第五板状部的一端和第六板状部的一端，第一板状部和第二板状部设置在第五板状部与第六板状部之间，半导体芯片位于包含第五板状部的平面和包含第六板状部的平面之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910536336.2在审
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三宅英太郎;松山宏;平川达也;小谷和也
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-06-20
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2020-09-29
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H01L25/07
- 一种半导体装置，具备：主基板；第1、第2基板；设置在第1基板上的具有第1～3平面部的第1～3电极部件；具有第1和第2电极的第1半导体元件；具有第3和第4电极的第2半导体元件；将第2电极与第2电极部件电连接的第1布线；将第4电极与第3电极部件电连接的第2布线；设置在第2基板上的具有第4～6平面部的第4～6电极部件；具有第5和第6电极的第3半导体元件；具有第7和第8电极的第4半导体元件；将第6电极与第5电极部件电连接的第3布线；将第8电极与第6电极部件电连接的第4布线；与第1、第4平面部、直流电源连接的第1端子板；与第2、第5平面部连接的第2端子板；与第3、第6平面部、直流电源连接的第3端子板。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610808379.8在审
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早濑茂昭;松山宏
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株式会社东芝
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2016-09-07
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2017-09-22
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H01L25/07
- 根据一个实施方式，半导体装置具有基板、第1导电层、第2导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第1金属部件、第2金属部件、以及金属板。第1半导体芯片以及第2半导体芯片设置在第1导电层上。第1金属部件经由第1连接部设置在第1半导体芯片上。第2金属部件经由第2连接部设置在第2半导体芯片上。金属板具有经由第3连接部设置在第1金属部件上的部分、以及经由第4连接部设置在第2金属部件上的部分。金属板与第1金属部件、第2金属部件、以及第2导电层连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610811120.9在审
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松山宏
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株式会社东芝
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2016-09-08
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2017-09-15
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H01L25/07
- 根据一个实施方式，半导体装置具有基板、第1导电层、第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2导电层、以及第3导电层。第1导电层具有第1导电部与第2导电部。第1半导体芯片具有第1电极、第2电极、以及第3电极。第1电极与第1导电部连接。第2半导体芯片具有第4电极与第5电极。第4电极与第2导电部连接。第2导电层具有第1连接部与第2连接部。第1连接部与第2电极连接。第2连接部与第5电极连接。第2导电层在第1连接部与第2连接部之间具有间隙。第3导电层与第3电极连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体模块-CN201510097890.7在审
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松山宏
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株式会社东芝
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2015-03-05
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2016-11-23
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H01L23/522
- 根据一个实施例，一种半导体模块包含：衬底；第一互连层，设置于所述衬底上；多个第一半导体元件，设置于所述第一互连层上，所述多个第一半导体元件的每一个包含：第一电极、第二电极及第三电极，且所述第二电极电连接到所述第一互连层；多个第一整流元件，设置于所述第一互连层上，所述多个第一整流元件的每一个包含第四电极及第五电极，且所述第五电极电连接到所述第一互连层；以及第二互连层，设置于所述衬底上，且所述第二互连层电连接到所述第一电极及所述第四电极；其中所述第二互连层在所述第二互连层的表面上包含凹凸结构，或所述第一互连层在所述第一互连层的表面上包含凹凸结构。
- 半导体模块
- [发明专利]斩波器-CN200810178612.4无效
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松山宏
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株式会社东芝
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2008-11-21
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2009-06-03
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H01L31/12
- 本发明提供一种斩波器，在将发光元件(13)及受光元件(14)埋设在U字形状的模制部件(20)内的透过型的斩波器(1)中，通过使光的一部分透过并吸收剩余部分的半透明的树脂材料来形成模制部件(20)。另外，在模制部件(20)中的存在于主光路L上的区域形成有凹部(25)及(26)。由此，能够通过一次模制制作模制部件(20)，并且，能够使主光路L的光耦合效率高于周边光路的光耦合效率。
- 斩波器
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