“杨铂仪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]共用衬底上的功率裝置集成-CN201380051393.2有效
发明人：杰席克·寇瑞克;杨铂仪 -专利权人：矽澜纳股份有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于促进共用衬底上的功率装置集成的半导体结构，其包含：第一绝缘层，其形成于所述衬底上；及作用区域，其具有第一导电性类型，形成于所述第一绝缘层的至少一部分上。第一端子形成于所述结构的上部表面上，且与形成于所述作用区域中的具有所述第一导电性类型的至少一个其它区域电连接。具有第二导电性类型的隐埋式阱形成于所述作用区域中且与形成于所述结构的所述上部表面上的第二端子耦合。所述隐埋式阱与所述作用区域形成箝位二极管，所述箝位二极管将击穿雪崩区域定位于所述隐埋式阱与所述第一端子之间。所述功率装置中的至少一者的击穿电压随所述隐埋式阱的特性而变。
共用衬底功率集成

1
共 1 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top