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[发明专利]电阻法生长碳化硅晶体质量的控制方法、装置及生长方法-CN202311168074.1在审
发明人：赵文超;陈建明;刘春艳;周元辉;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的技术领域，具体涉及电阻法生长碳化硅晶体质量的控制方法、装置及生长方法。控制方法包括实时获取坩埚外腔的泄漏气体的碳元素和硅元素的物质的量比值，根据所述物质的量比值，控制坩埚的位置；物质的量比值小于预设的k1×P时，保持坩埚的位置；物质的量比值在预设的k1×P和预设的P之间时，使坩埚进行第一上移至物质的量比值小于预设的k1×P；物质的量比值在预设的P和预设的k2×P之间时，使坩埚进行第二上移至物质的量比值小于预设的P，使坩埚进行第三上移至物质的量比值小于预设的k1×P。采用本发明的控制方法，能提高原料转化率和生长得到的晶体的质量。
电阻生长碳化硅晶体质量控制方法装置

[发明专利]一种碳化硅籽晶粘结固定用加热装置和加热方法-CN202310658582.1有效
发明人：范子龙;刘春艳;周元辉;李晋;陈建明;杨洪雨;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅籽晶粘结固定技术领域，具体涉及一种碳化硅籽晶粘结固定用加热装置和加热方法，包括同心定位工装，同心定位工装还包括：金属压块，其位于碳化硅籽晶的远离石墨盖板的一侧，且其侧面与所述金属固定环套接固定；定位压块，其位于所述金属压块与碳化硅籽晶之间，其下表面的中心处设置有向下的弧形凸起；定位部，其设置在所述定位压块的侧面且沿定位压块的圆周方向排布，并沿定位压块侧面向碳化硅籽晶方向延伸至接触石墨盖板顶面的侧面，定位压块、定位部、石墨盖板之间形成爪子型定位槽以容纳碳化硅籽晶；紧固件。本发明在保持碳化硅籽晶和石墨盖板的同心度的同时，既能充分排气又保证了定位压块不变形。
一种碳化硅籽晶粘结固定加热装置方法

[发明专利]一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法-CN202310651590.3有效
发明人：陈建明;周元辉;赵文超;耿安东;杨洪雨 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，生长装置包括坩埚部和加热部：坩埚部包括自上而下同轴设置的第一坩埚部和第二坩埚部，第一坩埚部的顶部的中间设置有籽晶容纳部，第二坩埚部具有空腔，空腔为原料容纳部，第一坩埚部的外径小于第二坩埚部的外径，第二坩埚部的底部中间设置有向第一坩埚部凹陷的凹槽；加热部包括第一加热部、第二加热部和第三加热部；第一加热部周向设置于凹槽内，第二加热部周向设置于第二坩埚部的外侧，第三加热部周向设置于第一坩埚部的外侧，第三加热部的内径小于第二坩埚部的外径。本发明的生长装置能够减少碳化硅单晶中的包裹体、位错密度、微管等缺陷，提高晶体内部质量。
一种碳化硅生长装置方法

[发明专利]多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法-CN202310806850.X有效
发明人： 杨洪雨;刘春艳;周元辉;陈建明;范子龙;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法，该装置包括加热机构和籽晶放置机构，加热机构设置有容纳腔；籽晶放置机构可拆卸地放置于容纳腔内；其中，籽晶放置机构包括多个籽晶盒，多个籽晶盒可拆卸地依次重叠放置；籽晶盒包括底盘、垫环和支撑架，垫环设置于底盘的上表面，且环绕底盘的周向延伸，垫环的内周壁与底盘的上表面之间形成容纳空间，垫环用于放置晶片；支撑架与底盘连接，且位于容纳空间内，支撑架用于支撑晶片，且支撑架将容纳空间划分出充气腔。本发明的装置能够用于处理碳化硅籽晶涂层，且能够提高涂层的附着质量和强度，减少裂片的产生。
碳化硅籽晶涂层同时处理装置方法

[发明专利]电阻法碳化硅生长炉内部温场调节方法、系统及生长方法-CN202310890304.9有效
发明人：赵文超;陈建明;刘春艳;周元辉;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及电阻法碳化硅生长炉内部温场的实时调节方法、调节系统和生长方法。实时调节方法包括实时获取碳化硅生长炉中的碳化硅原料的泄漏量，根据所述碳化硅原料的泄漏量和第一预设关系，获取电阻法生长的碳化硅晶体块的厚度，所述碳化硅原料的泄漏量为所述生长炉内坩埚内部物料的重量减小量；根据所述碳化硅晶体块的厚度和第二预设关系，获取所述生长炉内坩埚上移后的高度，根据所述坩埚上移后的高度，使坩埚的位置上移。本发明的方法，能够实时有效控制碳化硅生长界面相对石墨发热体的位置，减少晶体缺陷的形成，提高晶体质量。
电阻碳化硅生长内部调节方法系统

[发明专利]一种碳化硅单晶的退火装置和退火方法-CN202310980904.4在审
发明人：谢红杰;刘春艳;周元辉;范子龙;杨洪雨;赵文超 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及碳化硅单晶的退火装置和退火方法。退火装置包括：多孔碳材料的晶体盒，晶体盒包括第一底板、第一环形侧板和晶体盒上盖，第一底板和第一环形侧板围绕构成晶体盒腔体，晶体盒腔体为碳化硅单晶容纳部，第一环形侧板的轴向中部位置沿周向均匀设置有开孔；多孔碳材料的退火盒，退火盒包括第二底板、第二环形侧板和退火盒上盖，第二底板和第二环形侧板围绕构成退火盒腔体，退火盒腔体包括晶体盒容纳腔体和碳化硅粉料容纳腔体，碳化硅粉料容纳腔体包裹于所述晶体盒容纳腔体的四周。本发明的退火装置，在退火过程中，能够有效抑制碳化硅晶体升华，降低碳化硅晶体位错密度，提高晶体质量。
一种碳化硅退火装置方法

[发明专利]一种生物降解性聚合物、制备方法及缓释微针贴片-CN202310713944.2在审
发明人：印悦;杨洪雨;李金华 -专利权人：北京理工大学;吉林化工学院
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C08G18/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生物降解性聚合物、制备方法及缓释微针贴片，属于生物材料技术领域。所述聚合物为聚乙二醇‑聚磺胺二甲嘧啶碳酸酯氨基甲酸酯，所述聚合物具备良好的生物相容性和生物安全性。通过一系列简易的合成方法，包括丙烯酸化反应、迈克尔加成反应、开环反应、加成聚合反应，最终得到PEG‑PSCU聚合物，可以此制备成新型缓释微针。与传统生物降解性微针相比，此新型微针不仅能够高效地负载蛋白疫苗，还能够进一步延长这些疫苗在不同环境下的释放时间，包括正常地面环境和模拟微重力环境，并且进一步增强了微针本身的机械强度。
一种生物降解聚合物制备方法缓释微针贴片

[实用新型]一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备-CN202223498886.6有效
发明人：耿安东;刘春艳;周元辉;陈建明;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶锭退火装置及碳化硅晶锭加工设备，涉及单晶硅生产加工技术领域。该碳化硅晶锭退火装置包括退火炉以及设置于退火炉内的退火罩，以通过退火罩将退火炉分隔为用于容置碳化硅晶锭的第一腔室和用于容置碳化硅粉末的第二腔室，退火罩上设置有通气孔，位于第二腔室内的碳化硅粉末分解得到的气体可经由通气孔通入第一腔室内并与位于第一腔室内的碳化硅晶锭接触反应。该碳化硅晶锭退火装置能够解决现有技术中因碳化硅粉末与碳化硅晶锭直接接触而发生的烧结现象，从而有效提高碳化硅晶锭的产品质量。
一种碳化硅退火装置加工设备

[实用新型]一种石墨电阻炉-CN202223499670.1有效
发明人：耿安东;刘春艳;周元辉;陈建明;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请提供一种石墨电阻炉，涉及晶体生长技术领域，包括石墨坩埚、与所述石墨坩埚连接的旋转装置以及设置在所述石墨坩埚外侧的加热装置，所述石墨坩埚内用于容置原料，所述石墨坩埚具有坩埚盖，所述坩埚盖的内壁上设置有多个用于放置籽晶的容置位。石墨电阻炉通过石墨坩埚发热体发热，通过热辐射传递到炉内坩埚，可实现炉内温场的可控，因此石墨电阻炉生长的晶体质量高、尺寸大、可重复性强，通过加大石墨坩埚内部尺寸，可以在坩埚盖上粘贴多个籽晶，实现一炉晶体同时生长多个高质量晶体，提高生产效率。
一种石墨电阻炉

[实用新型]一种道路加宽路基拼接结构-CN202223387577.1有效
发明人：黄增平;陈侃;程骥;朱加乐;崔宏磊;王银海;张光鹏;王喜;樊铭锐;许素环;徐峰;杨洪雨 -专利权人：中建新疆建工（集团）有限公司
申请日： 2022-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： E01C3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及路基拼接技术领域，且公开了一种道路加宽路基拼接结构，包括旧地基本体，所述旧地基本体的两侧均开设有连接槽，所述连接槽内壁的底部开设有多个锥形槽，所述旧地基本体底端的两侧均开设有多个方槽，两个所述连接槽的内部均设置有拼接组件，两个所述连接槽内壁的一侧均匀开设有多个放置槽，两个所述连接槽内壁的一侧均开设有长槽，所述旧地基本体的两侧壁的底部均开设有两个通水槽。该道路加宽路基拼接结构，通过设置拼接组件，能够实现在使用该拼接结构时，使旧路基与加宽的新路基之间的连接度更强，通过增加连接处的摩擦力，增强拼接组件的连接紧密性，使加宽后的路基使用起来更加稳定，更不易产生裂缝，使用寿命更长。
一种道路加宽路基拼接结构

[发明专利]一种石墨处理工艺及石墨结构-CN202211715588.X在审
发明人：耿安东;刘春艳;周元辉;陈建明;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：一种石墨处理工艺及石墨结构，涉及防腐材料制备技术领域。该石墨处理工艺包括：将石墨浸渍在药液中，并使药液进入石墨的内部微孔中，其中，药液为钽或钽盐溶液；在第一预设温度条件下使药液与石墨发生化学反应，以在石墨的外表面和石墨的内部微孔表面形成碳化钽涂层。该石墨处理工艺，通过浸渍技术，将药液浸渍到石墨的内部微孔中，通过化学反应，使石墨的外表面和内部微孔区域同时形成碳化钽保护层，所形成碳化钽的存在可以有效阻止石墨表面及内部的腐蚀，且完整性好、不易脱落，有效提高了石墨的耐腐蚀性和寿命，还可以避免石墨中的杂质通过石墨的内部微孔挥发出来。
一种石墨处理工艺结构

[发明专利]一种红色棒状核壳上转换纳米发光材料及其制备方法-CN202211284515.X在审
发明人：付雁;莫新旺;杨洪雨 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：一种红色棒状核壳上转换纳米发光材料及其制备方法，属于纳米发光材料领域。本发明是通过溶剂热法，利用稀土盐六水合氯化铒、六水合氯化铥、六水合氯化钇、配体油酸及1‑十八烯制备获得，形状为棒状核‑壳结构，分子式为NaErF4:Tm@NaYF4；该上转换纳米发光材料核层掺杂Er和Tm稀土离子，以Er作为敏化离子和激活离子，Tm离子作为能量捕获中心，最外层为含有Y稀土离子的惰性壳层，在保证能够发出高纯度红光的同时，且能够降低因能量向纳米晶格表面缺陷迁移而产生的荧光淬灭，从而增强上转换红光发光强度。相比于利用稀土硝酸盐的棒状上转换纳米发光材料制备方法，工艺成本低、容易操作、制备周期短，且更加绿色安全环保。
一种红色棒状核壳上转换纳米发光材料及其制备方法

[发明专利]一种多坩埚碳化硅晶体同步生长方法及设备-CN202111349816.1有效
发明人：陈建明;姜树炎;周元辉;刘春艳;杨洪雨 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种多坩埚碳化硅晶体同步生长方法及设备，其生长设备包括腔体、靠近腔体内壁设置的保温层组件：所述保温层组件将腔体内分隔成若干生长腔，每个生长腔内均设置有独立生长组件；所述独立生长组件包括石墨坩埚、设置在石墨坩埚顶部的籽晶托盘、设置在石墨坩埚外周的加热器件、坩埚底部的驱动组件。本发明涉及的多坩埚碳化硅晶体同步生长设备采用多段式独立控制的石墨加热器发热，取代传统的感应加热方式，可以更加精确地调节坩埚的径向和纵向温度梯度，尤其本发明既能大幅降低碳化硅晶体的生长成本，又能确保单块晶锭的内部质量。
一种坩埚碳化硅晶体同步生长方法设备

[发明专利]一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜-CN202110733394.1有效
发明人：陈建明;姜树炎;周元辉;刘春艳;杨洪雨 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜，包括覆盖在籽晶正面的第一碳化硅多晶膜以及覆盖在籽晶背面的第二碳化硅多晶膜；所述第一碳化硅多晶膜上均匀分布有纳米级通孔；所述第二碳化硅多晶膜为双层复合膜，依次包括第一膜层和第二膜层；所述籽晶背面依次覆盖有第二碳化硅多晶膜、碳膜和石墨纸，所述第二膜层与碳膜相贴合。由于碳化硅多晶膜的缺陷密度大于籽晶，在升温过程中会优先挥发，产生的气体填充在籽晶表面附近，延缓籽晶表面的挥发速度，对籽晶起到保护作用。碳膜的作用在意减小第二膜层暴露的面积，延缓第二膜层的挥发。石墨纸对碳化硅和籽晶托盘起到隔离作用，减小籽晶的应力，防止籽晶和晶体开裂。
一种牺牲碳化硅籽晶保护膜

[实用新型]一种线端连接器及其组合-CN202122405752.4有效
发明人：唐金涛;张威武;戚晶晶;杨洪雨;石亚楠;陈亚;曾文春;吴莹 -专利权人：国光集团唯丞精密电子（昆山）有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01R13/6581 文献下载
摘要：本申请公开了一种线端连接器及其组合，所述线端连接器包括对接基座及转动结合于对接基座上的对接保持部件；所述对接基座包括端子组件及至少部分覆盖端子组件的屏蔽性壳，端子组件具备绝缘构件及将信号传送介质的终端部连接于排列在绝缘构件的线端接触部件；所述对接保持部件形成有用于覆盖对接的板端连接器的至少部分的导电性罩部件，所述导电性罩部件形成有与对接的板端连接器电接触的上弹性臂部；所述屏蔽性壳形成有下弹性臂部，构造为转动操作对接保持部件而与对接的板端连接器对接时与对接的板端连接器电接触，具有更好的屏蔽效果。
一种连接器及其组合

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