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[发明专利]一种氧化镁稳定氧化锆粉体的制备方法-CN202011039695.6有效
发明人：贺刚;鲁楠;杨增朝;杨潇;李永;双爽;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镁稳定氧化锆粉体的制备方法，该方法包括如下步骤：将金属镁粉与氧化锆粉混合均匀得到混合粉体，在二氧化碳气氛下诱发混合粉体进行镁热还原反应，得到复合粉体；将反应结束后得到的复合粉体置于稀酸溶液中洗涤，抽滤并煅烧后得到氧化镁稳定的氧化锆粉体。本发明的核心是利用燃烧合成产生的高温及温度梯度制备氧化镁稳定氧化锆粉体。本发明的制备方法采用自蔓延燃烧合成技术，能耗低，且制备周期短，生产成本低，工艺过程简单。
一种氧化镁稳定氧化锆制备方法

[发明专利]一种具有片层结构β-SiC及其制备方法-CN202011168634.X有效
发明人：李江涛;王丽圆;杨增朝;贺刚 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明以石墨烯为碳源，与硅粉在氮气气氛下，通过引燃化学炉进行燃烧合成制备β‑SiC，呈现规则的薄片层状结构，不含有游离硅，相纯度高；在片层结构的边缘存在β‑SiC纳米晶须，片层结构内部包括相互交错、细小且短的SiC纳米晶须、以及相互连接的SiC纳米颗粒。大大提高了材料热导率以及陶瓷材料的韧性，能够应用于电子器件封装基板、热交换器等热性能要求高的场合；且制备工艺简单、成本低、反应时间短，有利于工业化生产。
一种具有结构 sic 及其制备方法

[发明专利]一种高通量制备陶瓷材料的合成方法-CN202011137470.4有效
发明人：贺刚;邓书香;杨增朝;双爽;王良;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种Zr‑Ti‑C体系超高温陶瓷的高通量合成方法，将多个不同组分的预制块以阵列的形式摆放于电场中对所述预制块进行直接通电，在电场的作用下，诱发所述预制块发生燃烧合成反应形成Zr1‑xTixC块体陶瓷，采用电场辅助燃烧合成的方式，实现短时间内多个不同组分陶瓷坯体的同步制备，产物的化学计量比与原料计量比相同，且提高了制备效率。
一种通量制备陶瓷材料合成方法

[发明专利]一种大尺寸高结晶度h-BN陶瓷材料及其制备方法-CN202011145870.X有效
发明人：贺刚;吴晓明;王良;杨增朝;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸高结晶度六方‑氮化硼及其制备工艺，采用镁粉、硼源、稀释剂为原料，铵盐为添加剂，通过高温下铵盐分解形成气体，气体流动通道的形成带动了反应物充分接触反应，提高了反应效率，同时，燃烧合成法的高能有利于层片状h‑BN的形成，适量稀释剂的控制，能够避免层片状h‑BN出现厚度过大或者层片断裂等现象。燃烧合成的h‑BN的GI指数为1.91，这表明燃烧合成h‑BN结晶度高，本征热导率高。h‑BN片层直径范围在5‑40μm之间，这使h‑BN作为热导填料时能够显著了降低导热网络中的界面热阻，在热界面材料领域具有较大的应用潜力。
一种尺寸结晶度 bn 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸钡基陶瓷的制备方法-CN202011145869.7有效
发明人： 杨增朝;杨潇;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本申请提供了一种钛酸钡基陶瓷的制备方法，该方法是利用化学炉的高加热速率与耗能低等特点，在封闭反应器中制备钛酸钡基陶瓷粉体，包括如下步骤：(1)按照钛酸钡基陶瓷的通式中各元素的化学计量进行配料，称取相应的原料粉体进行混合配料，压制成圆片；(2)制备铝热剂，所述铝热剂包括钛粉、碳粉、铝粉、氧化铁及氧化铝；(3)将所述铝热剂放置在坩埚中，然后将步骤(1)制得的样品用碳纸包裹埋入铝热剂中；(4)引燃铝热剂发生自蔓延。利用化学炉辅助燃烧合成技术制备陶瓷粉体的前驱体的平均粒径为30‑50nm，经焙烧处理后，陶瓷样品的微粒尺寸小于1μm。
一种钛酸钡陶瓷制备方法

[发明专利]一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法-CN202011168312.5有效
发明人：贺刚;王良;杨增朝;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明涉及一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法，原料配方包括硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重配料、研磨混匀、装料后，通过燃烧合成法或硅粉氮化工艺制备氮化硅粉体，所采用的硅粉原料的含氧量2％～10％，属于高含氧量硅粉，采用氧含量调控剂为卤化铵，所得到的产物氮化硅陶瓷粉体的氧含量控制在2％以下，与采用高纯硅粉的效果相同，大大降低了合成高品质氮化硅粉体的生产成本，具有重要的经济价值。
一种含量原料制备高纯氮化硅粉体方法

[发明专利]一种石墨烯电磁屏蔽涂料及其制备方法-CN202011168646.2有效
发明人：李永;孟晴;李宏华;杨潇;贺刚;杨增朝;双爽;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09D183/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种轻质宽频高效电磁屏蔽涂料的制备方法，使用镁热燃烧合成石墨烯及其副产物氧化镁粉体结合银包铜粉作为电磁屏蔽涂料的填料，其中石墨烯制备中，无需对燃烧合成产物进行酸洗，直接采用石墨烯及其副产物作为填料，对电磁屏蔽涂料的原料采用采用无磨介分散，本发明制备的电磁屏蔽涂料，其导电填料体积低，实现涂层高屏蔽效能、电导率、低密度、以及施工工艺的协调统一，其屏蔽效能≥65dB(150MHz‑10GHz)，导电性能：方阻≤400mΩ，面密度：≤90g/m2。
一种石墨电磁屏蔽涂料及其制备方法

[发明专利]一种单相MgSiN2-CN202011168283.2有效
发明人：贺刚;杨增朝;王良;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种单相MgSiN2粉体的制备方法，包括如下步骤：将镁粉、氮化硅粉和氮化硅镁粉按一定比例混合均匀得到混合粉体，在氮气‑氩气混合气氛下诱发混合粉体发生自蔓延燃烧反应，得到单相MgSiN2陶瓷粉体。本发明通过采用氮化硅镁粉和氮气‑氩气混合气体，降低燃烧反应温度、抑制反应过程中镁的蒸发损失，得到单相MgSiN2粉体。本发明制备的MgSiN2粉体纯度高，制备方法具有能耗低、周期短和成本低等技术优势。
一种单相 mgsin base sub

[发明专利]一种温度压力可控的大型化燃烧合成设备及其应用-CN201611030635.1有效
发明人：刘光华;杨增朝;贺刚;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度压力可控的大型化燃烧合成设备及其应用，包括反应腔主体、反应器、液压控制系统、温度测量系统、相变储能模块控制系统、反应腔冷却系统和压力测量系统；反应器设于反应腔主体内；反应腔主体上连有液压控制系统、温度测量系统、相变储能模块控制系统、反应腔冷却系统和压力测量系统。本发明的大型化燃烧合成设备应用在合成特种陶瓷粉体领域，通过反应腔冷却系统和相变储能元件实现了对燃烧合成反应腔内总热量的精确控制，解决了由于反应腔容积增大带来的放热反应与冷却能力不匹配问题，将反应腔内部温度维持在合理的温度和压力区间范围内，从而保证大型化后设备的生产安全。
一种温度压力可控大型燃烧合成设备及其应用

[发明专利]氮化硼/石墨烯复合材料、其制备、包含其的表面保护性涂层组合物及用途-CN201811542749.3有效
发明人：李永;李江涛;杨增朝;贺刚;杨潇;双爽 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C09D5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼/石墨烯复合材料，其由石墨烯和氮化硼组成，所述石墨烯原位生长在所述氮化硼表面；该复合材料中，石墨烯的质量百分含量为2.5‑3％，余量为氮化硼。该复合材料成本低，且兼具高导热和高红外发射率辐射的特性，将其用于涂层组合物中时能在改善涂层组合物的散热性的同时兼顾防腐和装饰的功能。本发明还公开了其制备方法以及包含该复合材料的表面保护性涂层组合物及其应用。
氮化石墨复合材料制备包含表面保护性涂层组合用途

[发明专利]一种燃烧原位形成镁尖晶石-氧化锆弥散式透气砖及其制备工艺-CN202011027880.3有效
发明人：陈松林;李江涛;袁彪;杨增朝;贺刚;刘士范;宋云阶;钱能;蒋正跃 -专利权人：宜兴市耐火材料有限公司;瑞泰科技股份有限公司;中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-09-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃烧原位形成镁尖晶石‑氧化锆弥散式透气砖及其制备工艺。以方镁石、尖晶石、氧化锆为主原料，添加金属Mg粉和活性Al2O3，利用Mg在CO2中粉燃烧生成MgO和碳，同时局部产生大于2000℃高温，生成的MgO具有高反应活性，和活性Al2O3原位反应形成尖晶石促进烧结，使透气砖获得高强度和耐磨性。同时，燃烧的高温使MgO部分固溶于ZrO2，提高了透气砖的抗侵蚀性和抗热震性；碳在后续氧化中烧失，遗留弥散式孔道赋予良好的通气性。
一种燃烧原位形成尖晶石氧化锆弥散透气及其制备工艺

[发明专利]一种抗CMAS侵蚀的热障涂层材料及其制备工艺-CN202011168305.5在审
发明人：贺刚;邓书香;杨增朝;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗CMAS侵蚀的热障涂层材料及其制备，在基底上，右下至上依次包括粘结层、YSZ陶瓷层和氮氧化硅自损涂层，其中自损涂层厚度为30‑80μm，孔隙率为15％‑20％，由Si2N2O颗粒构成，颗粒粒径范围在1.2‑10μm之间；所述热障涂层材料总厚度在140‑260μm之间。自损涂层Si2N2O会与CMAS剧烈反应，生成致密产物，隔绝CMAS与涂层以阻止CMAS对深层涂层及金属基板的进一步侵蚀，而且，Si2N2O密度低(2.81g/cm3)，质量轻，与YSZ涂层结合性好，适合用于飞行器中。
一种 cmas 侵蚀热障涂层材料及其制备工艺

[发明专利]一种复合陶瓷涂层脱模剂的制备工艺-CN202011144468.X在审
发明人：贺刚;邓书香;杨增朝;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明介绍了一种用于太阳能级多晶硅制备过程中硅锭脱模的复合陶瓷涂层脱模剂，通过氮氧化硅、β氮化硅、聚乙烯醇和水为原料制成。Si2N2O热学和力学性能与Si3N4材料相似，但其抗氧化、抗热震和化学稳定性均优于Si3N4材料。Si熔体对Si2N2O材料表现出超疏特性，且二者不会发生化学反应，所以可以有效减少Si铸锭因粘连、杂质扩散而造成品质降低的情况，达到提高多晶Si一级品率的目的；而β‑Si3N4自由能低于α相，制备难度低，制备相同量的Si3N4粉体，α相的成本是β相的3～5倍，所以使用β‑Si3N4基涂层，制备成本可以得到有效控制。综上，Si2N2O/β‑Si3N4复合陶瓷涂层是一种热力学性能和润湿性能均优于传统Si3N4，且成本低廉的脱模涂层。
一种复合陶瓷涂层脱模剂制备工艺

[发明专利]一种B12-CN202011168636.9在审
发明人： 杨增朝;王良;贺刚;杨潇;李永;双爽;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明介绍了一种制备B12(C,Si,B)3‑SiC两相陶瓷的方法，能够使得韧性差的SiC陶瓷的韧性得到提高。即本发明以硅粉、碳化硼粉和碳化硅粉为原料，以低成本、短周期的化学炉燃烧合成的方法制备了B12(C,Si,B)3‑SiC两相陶瓷。将硅粉、碳化硼粉末及碳化硅粉混合后压成坯体，之后埋入化学炉粉体中，引燃化学炉粉体后燃烧合成获得B12(C,Si,B)3‑SiC陶瓷，陶瓷的致密度可达95％以上，断裂韧性最高可达5.8MPa/m1/2。
一种 base sub 12

[发明专利]一种SiB6-CN202011168639.2在审
发明人：双爽;贺刚;陈义祥;杨增朝;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiB6的化学炉合成方法，包括以下步骤：①制备块体：按照比例称取硅粉和硼粉混料，压制成块体；②制备铝热剂：所述铝热剂包括钛粉、碳粉、铝粉和氧化铁；③将铝热剂放置在坩埚中，使用碳纸包裹住所述块体，埋入混合好的铝热剂中；④引燃铝热剂发生自蔓延，利用铝热剂发出的热量促使原料相互发生反应；⑤通过酸洗、水洗，将杂质去除，得到SiB6和SiB4产物。本发明以Si粉、B粉为原料，在铝热剂的放热条件下引发反应，反应仅需数十秒，通过酸洗纯化得到SiB6粉体产物，并且近红外波段发射率较高。
一种 sib base sub

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