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[实用新型]一种门极换流晶闸管GCT器件结构-CN202222845340.7有效
发明人：张磊;王峰瀛;范晓波;纪卫峰;张歧宁;杨俊艳;张刚琦 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本实用新型由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
一种换流晶闸管 gct 器件结构

[发明专利]一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法-CN202211317007.7在审
发明人：张磊;王峰瀛;范晓波;纪卫峰;张歧宁;杨俊艳;张刚琦 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法，从上往下依次设置有阴极和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区正下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本发明由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
一种换流晶闸管 gct 器件结构及其制造方法

[实用新型]一种旁路晶闸管-CN202220321670.3有效
发明人：张磊;杨俊艳;李畅;赵田;张歧宁;王国卫;胡茜;党敏青 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种旁路晶闸管，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本实用新型结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本实用新型结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
一种旁路晶闸管

[发明专利]一种旁路晶闸管及其制造方法-CN202210146872.3在审
发明人：张磊;杨俊艳;李畅;赵田;张歧宁;王国卫;胡茜;党敏青 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
一种旁路晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种电力半导体器件阴极图形设计-CN202111469244.0在审
发明人：王峰瀛;张磊;张婷婷;杨俊艳;杨娟宁 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形设计，包括门极引出电极、阴极梳条、终端台面，阴极梳条长度距离门极引出电极近的梳条长度较长，距离门极引出电极远的梳条长度较短，阴极梳条宽度距离门极引出电极近的梳条宽度较宽，距离门极引出电极远的梳条宽度较窄，阴极梳条面积距离门极引出电极近的梳条面积较大，距离门极引出电极远的梳条面积较小，阴极梳条同心排布密度距离门极引出电极近的梳条排布密度较大，距离门极引出电极远的梳条排布密度较小。本发明提高了芯片阴极面积的有效利用率，提高了远门极端梳条开通、关断速度，提高了芯片各梳条开通、关断的均匀性，提高器件综合电气性能，扩大器件安全工作区，便于生产制造。
一种电力半导体器件阴极图形设计

[发明专利]交联剂及其制备-CN202180002071.3在审
发明人：孟红卫;冯三林;周崇博;张兆辉;杨俊艳;张余岐;张爰辉;张福来 -专利权人：周崇博
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种交联剂及其制备,制备装置包括反应釜、过滤筒、搅拌机构、驱动机构、出料管、混料喷管及循环泵，所述交联剂包含氢氧化锆、脂肪醇、有机肽螯合物、月桂酸聚氧乙烯醚。
交联剂及其制备

[发明专利]一种逆阻型集成门极换流晶闸管-CN202110464892.0在审
发明人：王峰瀛;范晓波;吴飞鸟;杨俊艳;张婷婷 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆阻型集成门极换流晶闸管，包括阴极梳条、阴极电极、门极电极、阳极电极，该逆阻型集成门极换流晶闸管中心对称布满阴极梳条，门极接触区位于器件中心、中间或边缘位置，器件最外圈是终端区。轴向从上到下依次包括：阴极电极、阴极N+掺杂区、门极电极、P基区、N‑衬底区、阳极P+掺杂区和阳极电极，本发明在一个芯片上串联集成了门极换流晶闸管与二极管，使器件数量减少，功耗降低，总成本下降，同时提高系统可靠性，本发明正反向能够耐受高电压，正向通过大电流，门极控制器件开通、关断。
一种逆阻型集成换流晶闸管

[发明专利]一种油井压裂交联剂及其制备装置及其制备方法-CN202010059071.4有效
发明人：孟红卫;张兆辉;杨俊艳;张余岐;张爰辉;张福来 -专利权人：海兴县新源化工有限公司
申请日： 2020-01-18 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C09K8/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种油井压裂交联剂及其制备装置及其制备方法,油井压裂交联剂用作油田压裂液的交联配置，所述压裂交联剂包含氢氧化锆、脂肪醇、有机肽螯合物、月桂酸聚氧乙烯醚及水，本发明的制备方法基于制备设备完成，其将反应釜分为两个腔室，两个腔室分别配备不同的料液，之后将两个腔室混合，使之成品。本发明降低了生产工艺的难度，对设备的强度要求降低，不易产生非必要的结晶，而且降低了生产成本的投入，并且在各组分相互混合过程中，搅拌时长短，生产效率大大提高。本发明适用于油井压裂交联剂的生产制备技术领域。
一种油井交联剂及其制备装置方法

[发明专利]一种无磷缓蚀阻垢剂及制备装置及制备方法-CN202010056539.4有效
发明人：孟红卫;张兆辉;杨俊艳;张余岐;张爰辉;张福来 -专利权人：海兴县新源化工有限公司
申请日： 2020-01-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C02F5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种无磷缓蚀阻垢剂，其由清水、锌盐、聚马来酸酐、L抗坏血酸及聚天冬氨酸制得,其生物降解性好、兼有缓蚀阻垢双重功能的水处理药剂，这种新型药剂适用于高碱高固水系，与常用的杀菌灭藻剂相溶性好，药剂稳性强，不易分解降效,排放无环境污染；且提供了该种无磷缓蚀阻垢剂的制备方法和设备，其解决了现有的搅拌机构搅拌不充分、搅拌时长较长等问题。本发明适用于水处理药剂及其制备设备的技术领域。
一种无磷缓蚀阻垢剂制备装置方法

[外观设计]工艺品（五角星形）-CN201730652978.0有效
发明人： 杨俊艳 -专利权人：天津市鑫湖工艺品有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：工艺品（五角星形）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。5．省略视图：设计1、设计2、设计3、设计4、设计5、设计6及设计7后视图与主视图对称，左视图、右视图、俯视图及仰视图均无设计要点，故省略。6．指定基本设计：指定设计1为基本设计。
外观设计五角星形省略工艺品俯视图右视图左视图仰视对称图片

[外观设计]心形装饰-CN201730661127.2有效
发明人： 杨俊艳 -专利权人：天津市鑫湖工艺品有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：心形装饰。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰和插花。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1主视图。5．省略视图：设计1为基本设计，设计1、设计2及设计3后视图与主视图对称相同，右视图与左视图对称相同，故省略设计1右视图、设计2左视图、设计3右视图。
外观设计右视图左视图省略心形对称插花图片

[外观设计]编织收纳套件-CN201730651267.1有效
发明人： 杨俊艳 -专利权人：天津市鑫湖工艺品有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： 09-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：编织收纳套件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰和收纳。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：套件1主视图。5．省略视图：套件1、套件2及套件3后视图与主视图对称相同，右视图与左视图对称相同，故省略；套件2及套件3的仰视图无设计要点，故省略。
套件外观设计省略收纳套对称编织收纳右视图左视图图无仰视图片

[外观设计]插花环-CN201730653154.5有效
发明人： 杨俊艳 -专利权人：天津市鑫湖工艺品有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： 11-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：插花环。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰和插花。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．省略视图：俯视图可由左视图顺时针旋转90度得到，右视图可由左视图顺时针旋转180度得到，仰视图可由左视图顺时针旋转270度得到，故省略俯视图、右视图及仰视图。
外观设计顺时针旋转左视图插花俯视图右视图省略仰视图片

[外观设计]藤编收纳筐-CN201730652979.5有效
发明人： 杨俊艳 -专利权人：天津市鑫湖工艺品有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： 09-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：藤编收纳筐。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰和收纳。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。5．省略视图：右视图、左视图、后视图均与主视图形状相同，故省略。
外观设计收纳筐省略藤编收纳视图形状右视图左视图图片

[外观设计]收纳筐-CN201730653165.3有效
发明人： 杨俊艳 -专利权人：天津市鑫湖工艺品有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： 09-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：收纳筐。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于装饰和收纳。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：套件3立体图。5．省略视图：套件1、套件2及套件3的右视图、左视图、后视图均与各自相应的主视图形状相同，故省略。6．请求保护的外观设计套件1和套件2可盖在套件3上，故为成套产品。
套件外观设计收纳筐省略成套产品视图形状收纳右视图左视图图片

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