专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种无Cl2-CN202110827012.1有效
  • 林洋彭;杜克钊 - 福建师范大学
  • 2021-07-21 - 2023-05-16 - C01G21/00
  • 本发明公开了一种无Cl2法制备多重钙钛矿材料及应用,其是将一定量的一价A盐或一价铯盐、二价铅盐或三价锑盐、二氧化锰、盐酸溶液加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,经程序控温,一步制得A2PbCl6(A=Cs、Rb、NH4+)双重钙钛矿材料或Cs4Sb2Cl12四重钙钛矿材料。该多重钙钛矿材料经过简单加热即可实现氯气的释放,因而可用于氯气的储存。
  • 一种clbasesub
  • [发明专利]一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法-CN202110814816.8有效
  • 杜克钊;许思宇 - 福建师范大学
  • 2021-07-19 - 2022-11-18 - C25B3/13
  • 本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法。其中一价铜卤的配位化合物经过电化学方法合成。将有机配体和卤化盐溶解在溶剂中,配置成电沉积液,采用电化学方法向铜电极施加一个正电压进行沉积,得到一价铜卤的配位化合物。本发明还提供了一种应用所述的器件装置。向处理好的负载铜单质的导电基底施加一个正电压进行沉积,得到负载一价铜卤的配位化合物的导电基底。本发明提供的合成方法简单易行、勿需进一步提纯,符合绿色化学的理念。
  • 一价铜卤化合物及其薄膜制备方法
  • [发明专利]一种锑基金属溴化物的一步合成法及其应用于溴气的可逆存储与释放-CN201911116131.5有效
  • 杜克钊;林洋彭 - 福建师范大学
  • 2019-11-15 - 2021-11-19 - C01G30/00
  • 本发明涉及一种锑基金属溴化物的一步合成法及其应用于溴气的可逆存储与释放。所述的锑基金属溴化物的通式为A4Sb2Br12(A=K,Na,Cs,Rb)。以A=Cs为例,将溴化铯、三氧化二锑、溴酸钾、氢溴酸加入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中,一步反应得到Cs4Sb2Br12。该晶体经过简单加热能够实现溴气释放,冷却处理后可以实现溴气的存储,具有可逆存储溴气的性能。释放完溴气的副产物可以重复利用,重新一步合成目标晶体。本发明创造性地实现一步法制备A4Sb2Br12(A=K,Na,Cs,Rb),首次将锑基金属溴化物运用在溴气的可逆释放与存储,克服部分固相储气材料结构稳定性差的问题,改进溴气的储存与运输方式,提供了适合工业化生产的一种锑基金属溴化物的一步合成法及其应用于溴气的可逆存储与释放。
  • 一种基金溴化物一步成法及其应用于可逆存储释放

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