“村田修平”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果30个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN201510148818.2有效
发明人：木村雄大;三隅贞仁;村田修平;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力‑应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。
切割薄膜芯片接合半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法-CN201510147698.4有效
发明人：大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。
芯片接合薄膜切割半导体装置以及制造方法

[发明专利]带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510145546.0有效
发明人：大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供在低温状态下运送时能够抑制产生裂纹、伤痕、并且能够抑制切割片与芯片接合膜剥离的带有切割片的芯片接合膜。一种带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有芯片接合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在0℃下的损失弹性模量为20MPa以上且500MPa以下。
带有切割芯片接合半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510141488.4有效
发明人：大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1‑T2)为20％以下。
芯片接合带有切割半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜-CN201510142546.5有效
发明人：木村雄大;三隅贞仁;村田修平;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：芯片接合膜、切割‑芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。
芯片接合切割层叠

[发明专利]带隔片的切割/芯片接合薄膜-CN201310499530.0有效
发明人：菅生悠树;村田修平;大西谦司;木村雄大;柳雄一朗;井上刚一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及带隔片的切割/芯片接合薄膜。本发明提供容易从隔片上剥离切割/芯片接合薄膜的带隔片的切割/芯片接合薄膜。一种带隔片的切割/芯片接合薄膜，其通过将隔片、在俯视时的外周部具有向外侧凸出的伸出片的芯片接合薄膜以及切割薄膜以该顺序层叠而得到。
带隔片切割芯片接合薄膜

[发明专利]芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510145569.1在审
发明人：大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供即使在芯片接合膜与半导体芯片之间、芯片接合膜与被粘物之间产生空隙，也能够降低空隙的影响的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，加热处理前在150℃下的储存弹性模量E’1为0.1MPa～10MPa，所述E’1与在150℃下加热1小时后在150℃下的储存弹性模量E’2之差即E’2-E’1为5MPa以下。
芯片接合带有切割半导体装置制造方法

[发明专利]切割/芯片接合薄膜-CN201210361018.5无效
发明人：神谷克彦;松村健;村田修平 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10~30摩尔%范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70~90摩尔%范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法-CN201110293930.7无效
发明人： 村田修平;松村健;柳雄一朗 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法。所述切割/芯片接合薄膜可以在保持切割时的保持力的同时提高拾取时的剥离性，并且可以抑制切割/芯片接合薄膜从切割环上剥离。一种切割/芯片接合薄膜，其中，粘合剂层含有特定的异氰酸酯化合物与特定的丙烯酸类聚合物进行加成反应而得到的聚合物以及特定的交联剂，粘合剂层的粘贴切割环的部分的特定剥离粘合力为1.0N/20mm带宽以上且10.0N/20mm带宽以下，粘贴切割环的部分的23℃下的拉伸储能弹性模量为0.05MPa以上且低于0.4MPa，芯片接合薄膜粘贴到紫外线照射后的粘合剂层上。
切割芯片接合薄膜制造方法以及半导体装置

[发明专利]活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜-CN201110188634.0无效
发明人：神谷克彦;高桥智一;北野千绘;冈田美佳;松村健;村田修平;大竹宏尚;古曾将嗣 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C09J151/00 文献下载
摘要：本发明提供活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜，该粘合剂对环境、人体的影响小、容易处理，且其能够使粘合性在活性能量射线照射前后产生很大变化，活性能量射线照射前能够显示高粘合性，活性能量射线照射后能够显示高剥离性。本发明的活性能量射线固化型再剥离用粘合剂含有活性能量射线固化型的聚合物(P)，该聚合物(P)为使含羧基聚合物(P3)与含噁唑啉基单体(m3)反应而得到的聚合物、或者为使含噁唑啉基聚合物(P4)与含羧基单体(m2)反应而得到的聚合物。
活性能量射线固化剥离粘合剂以及切割薄膜

[发明专利]切割/芯片接合薄膜-CN201110054001.0无效
发明人：宍户雄一郎;松村健;村田修平 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供切割/芯片接合薄膜，即使半导体晶片为薄型的情况下，也可以在不损害将该晶片进行切割时的保持力的情况下使通过切割得到的半导体芯片与其芯片接合薄膜一起剥离时的剥离性优良。本发明的切割/芯片接合薄膜，具有在支撑基材上至少设置有粘合剂层的切割薄膜和设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为5μm～80μm，从所述芯片接合薄膜侧至少切割到所述粘合剂层的一部分后，将所述切割薄膜从所述芯片接合薄膜上剥下时的切割面附近处的剥离力的最大值在温度23℃、剥离角度180°、剥离点移动速度10mm/分钟的条件下为0.7N/10mm以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]芯片保持用胶带、其制造方法及使用它制造半导体装置的方法、及芯片状工件的保持方法-CN201010623081.2有效
发明人： 村田修平;松村健;水野浩二;浅井文辉 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。
芯片保持胶带制造方法使用半导体装置工件

[发明专利]带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法-CN201010270782.2有效
发明人：菅生悠树;天野康弘;松村健;村田修平 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2010-08-31 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶粘薄膜在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明的带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为0.01～100kcps。
带有切割胶粘薄膜及其制造方法

[发明专利]切割/芯片接合薄膜-CN200880125003.0有效
发明人：松村健;神谷克彦;村田修平 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2008-12-24 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有使包含10～40摩尔％含羟基单体的丙烯酸类聚合物与相对于所述含羟基单体为70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应而得到的聚合物、及分子中具有两个以上对羟基显示反应性的官能团且相对于所述聚合物100重量份含量为2～20重量份的交联剂，并且，通过预定条件下的紫外线照射固化而成；所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成，并且粘贴在紫外线照射后的粘合剂层上。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割/芯片接合薄膜-CN200880125002.6有效
发明人：神谷克彦;松村健;村田修平;大竹宏尚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物的聚合物而构成，并且通过在基材上成膜后在预定条件下照射紫外线而得到；所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成，并且粘贴在紫外线照射后的粘合剂层上。
切割芯片接合薄膜

1
2
下一页»
尾页
共 30 条