“村上雄纪”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]两个部件的结合构造-CN202310258116.4在审
发明人：斋藤圭吾;村上雄纪;关山晃司 -专利权人：株式会社丰技研
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F16B5/10 文献下载
摘要：提供两个部件的结合构造，其中，第1被结合部件和第2被结合部件利用结合部件彼此结合，能够实现减少部件数量的单纯的构造和缩减作业工时。结合部件(13)具有棒状部(13a)，该棒状部能够贯穿插入到设置于第1平板部(11a)和第3平板部(12a)重叠而得到的第1重叠部(14)以及第2平板部(11b)和第4平板部(12b)重叠而得到的第2重叠部(15)中的至少一方的贯穿插入孔(16)并且横截面形状为非圆形，随着棒状部贯穿插入于贯穿插入孔之后的转动而从内侧与第3平板部和第4平板部抵接的第1接合面(18)和第2接合面(19)形成在棒状部的两端，随着棒状部从初始位置起转动规定角度，来自棒状部的轴向力作用于第1重叠部(14)和第2重叠部(15)。
两个部件结合构造

[发明专利]开关元件的制造方法-CN201711348768.8有效
发明人： 村上雄纪;浦上泰;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种开关元件的制造方法，制造漏电流难以流动且具有侧面p型区域的开关元件。开关元件的制造方法具有：准备半导体基板的工序，半导体基板具有n型的漏极区域、p型的体区域及沟槽，体区域配置在漏极区域上并且向半导体基板的表面露出，沟槽从表面贯通体区域而到达了漏极区域；及形成侧面p型区域的工序，通过对半导体基板进行加热而使体区域的一部分向沟槽内流入，来形成在比体区域靠下侧处沿着沟槽的侧面延伸的侧面p型区域。制造的开关元件具有栅极绝缘层、栅电极、底面p型区域及n型的源极区域。底面p型区域在沟槽的底面与栅极绝缘层相接，并且与侧面p型区域连接。
开关元件制造方法