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[实用新型]X射线屏蔽片-CN202120589923.0有效
发明人：林裕晃;竹上和希;前田达哉;真木基允;小西武四;村上修一 -专利权人：美迪科技日本股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： A61B6/10 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线屏蔽片，其佩戴性、穿着感优异，且能够有效地屏蔽X射线，并且能够减少伪影。所述X射线屏蔽率高的X射线屏蔽片包含：具有透气性的无纺布或多孔体、化学粘结剂和增稠剂、以及以单体或化合物的形态包含一种金属或多种不同的金属的粉末状的X射线屏蔽物质，该粉末状的X射线屏蔽物质存在于无纺布或多孔体中，用X射线图像评价时的均匀度为5～30％。
射线屏蔽

[发明专利]固化性树脂组合物-CN201811490662.6有效
发明人： 村上修一;前田直;塚本贵史 -专利权人：日本复合材料株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C08F290/06 文献下载
摘要：本发明涉及固化性树脂组合物，其含有溴化乙烯基酯和乙烯基单体。溴化乙烯基酯是环氧树脂与不饱和一元酸的反应产物，所述环氧树脂是酚成分与环氧成分的反应产物。酚成分含有溴化双酚化合物，实质上不含有非溴化双酚化合物。环氧成分含有溴化环氧化合物和非溴化环氧化合物。相对于酚成分1当量而言，环氧成分为1.5当量以上且2.0当量以下。乙烯基单体包含苯乙烯系单体和多官能(甲基)丙烯酸酯。相对于苯乙烯系单体与多官能(甲基)丙烯酸酯的总量100质量份而言，多官能(甲基)丙烯酸酯的配合比例为5质量份以上且20质量份以下。相对于溴化乙烯基酯及乙烯基单体的总量而言的溴含量为15质量％以上且小于20质量％。
固化树脂组合

[发明专利]自由基固化性树脂组合物及其固化物-CN201780024654.X有效
发明人： 村上修一;梶野正彦;塚本贵史 -专利权人：日本复合材料株式会社
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C08F290/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能提供达成低热膨胀化、具有高度的尺寸稳定性，并且耐热性、阻燃性也优异的固化物的自由基固化性树脂组合物及其固化物。本发明是一种自由基固化性树脂组合物，其含有自由基聚合性低聚物(A)、自由基聚合性单体(B)以及液态橡胶(C)，该自由基聚合性低聚物(A)含有含溴的乙烯基酯，相对于自由基聚合性低聚物(A)、自由基聚合性单体(B)以及包含液态橡胶(C)的所有热塑性树脂和弹性体的合计量100质量％，所述含溴的乙烯基酯的含有比例为30～65质量％，自由基聚合性单体(B)的含有比例为25～50质量％，液态橡胶(C)的含有比例为10～30质量％。本发明还是一种自由基固化性树脂组合物，其含有自由基聚合性低聚物(A)、自由基聚合性单体(B)以及热塑性树脂和/或弹性体(E)，该自由基聚合性低聚物(A)含有含溴的乙烯基酯，该热塑性树脂和/或弹性体(E)含有液态橡胶(C)、以及该液态橡胶(C)以外的热塑性树脂和/或弹性体(D)，相对于自由基聚合性低聚物(A)、自由基聚合性单体(B)以及热塑性树脂和/或弹性体(E)的合计量100质量％，所述含溴的乙烯基酯的含有比例为30～65质量％，自由基聚合性单体(B)的含有比例为25～50质量％，热塑性树脂和/或弹性体(E)的含有比例为10～30质量％。
自由基固化树脂组合及其

[发明专利]网状无纺布-CN201580050474.X有效
发明人：小野寺贵史;粂原伟男;矢泽宏;佐佐木靖夫;村上修一 -专利权人：捷客斯能源株式会社
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： D04H13/02 文献下载
摘要：提供外观良好的无接缝的网状无纺布。无接缝的网状无纺布(1)是将第1网状膜(20)和第2网状膜(30)层叠而成的，其中，上述第1网状膜(20)具备相互并行延伸的干纤维(20a)和将相邻的上述干纤维(20a)彼此相连的枝纤维(20b)，上述干纤维(20a)大致排列在第1方向上，上述第2网状膜(30)具备相互并行延伸的干纤维(30a)和将相邻的上述干纤维(30a)彼此相连的枝纤维(30b)，上述干纤维(30a)大致排列在与上述第1方向交叉的第2方向上。
网状无纺布

[发明专利]磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法-CN201810111356.0在审
发明人： 村上修一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。根据一实施方式，磁阻效应元件的制造方法包括：形成第2层，所述第2层形成在包含强磁性层及含有氧化镁的第1层的积层体上，且所述第2层及氧化镁对于利用离子束进行的第1蚀刻具有大于1的选择比；及通过将所述第2层用作掩模的所述第1蚀刻，对所述积层体进行蚀刻。
磁阻效应元件蚀刻积层体氧化镁制造强磁性层离子束选择比掩模

[发明专利]旋转扭矩振荡器、高频辅助磁记录头、磁头组件及磁记录再现装置-CN201510450671.2有效
发明人：藤田伦仁;鸿井克彦;白鸟聪志;清水真理子;村上修一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
旋转扭矩振荡器高频辅助记录磁头组件再现装置

[发明专利]旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头-CN201510082081.9有效
发明人：白鸟聪志;鸿井克彦;清水真理子;村上修一;藤田伦仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本发明的实施方式得到可以使高频振荡的驱动电流降低的旋转扭矩振荡元件及使用其的高频辅助磁记录头。实施方式涉及的旋转扭矩振荡元件具有：层叠结构体，其包括旋转注入层、形成于旋转注入层上的非磁性中间层和形成于非磁性中间层上的振荡层；以及非磁性导电层，其设置于层叠结构体的侧壁；层叠结构体的膜面方向的宽度为60nm以下。
旋转扭矩振荡元件使用高频辅助记录

[发明专利]高频辅助磁头及磁记录再现装置-CN201510090534.2有效
发明人：鸿井克彦;村上修一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明的实施方式得到记录特性良好的高频辅助磁头及磁记录再现装置。实施方式涉及的高频辅助磁头具有旋转扭矩振荡元件，该旋转扭矩振荡元件包含直接形成于主磁极上的、含有从W、Mo、Re、Os及Ir选择的元素的非磁性的分离种子层/SIL/IL/FGL。
高频辅助磁头记录再现装置

[发明专利]高频辅助记录头以及具备其的磁记录装置-CN201410586497.X在审
发明人：鸿井克彦;清水真理子;村上修一;山田健一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供高频的振荡效率提高、能够进行稳定的高频辅助记录的高频辅助记录头以及具备该高频辅助记录头的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置的高频辅助记录头具备：主磁极(66)，其施加记录磁场；写屏蔽磁极(68)，其隔着写间隙而与主磁极相对；自旋转矩振荡元件(74)，其在主磁极与写屏蔽磁极之间设置在介质相对面的附近，产生高频磁场；反强磁性层(80)，其与写屏蔽磁极接触地设置在自旋转矩振荡元件与写屏蔽磁极之间；和非磁性金属层(82)，其设置在自旋转矩振荡元件与反强磁性层之间。
高频辅助记录以及具备装置

[发明专利]磁记录头及采用其的磁记录再生装置-CN201310661321.1在审
发明人：鸿井克彦;汤浅裕美;清水真理子;村上修一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明可获得即使在操作中的温度高的环境下，也可以使高频振荡元件的温度保持低且振荡无劣化的高频辅助磁记录头。实施例的磁记录头在振荡层叠体和主磁极间设置冷却发热材料，冷却发热材料包含从该振荡层叠体按顺序层叠的：具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1热电材料层；具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1金属材料层；具有与主磁极相同截面积的第2金属材料层；及具有与主磁极相同截面积的第2热电材料层。
记录采用再生装置

[发明专利]组合物、抗菌性处理剂以及抗菌性成型品-CN201080052917.6无效
发明人：堀田顺人;坂本雅司;草本伸夫;村上修一 -专利权人：出光精密科技株式会社
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： A01N43/78 文献下载
摘要：由于组合物中包括2种咪唑系有机抗菌剂的抗菌组合物、和过敏诱引物质的灭活剂，故能抑制作为过敏诱引物质根源的菌、霉、螨虫的产生，即使过敏诱引物质的灭活剂的含量少，也能获得实际应用上的使过敏原失活的性能。因此，可以减少过敏诱引物质的灭活剂的含量，从而能使含有本发明组合物和抗菌性处理剂的抗菌性成型品，手感好、不容易因光、热而变色。
组合抗菌处理以及成型

[发明专利]薄膜及其掩模粘接剂-CN201080041077.3有效
发明人： 村上修一;河关孝志;森峰宽 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2010-10-06 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有适度的柔软度且从掩模剥离后的糊残留少、处理性良好的掩模粘接剂层的薄膜；尤其在于提供一种能够抑制双图案化时的图形的位置偏差的薄膜。本发明的薄膜是具有薄膜框、配置于前述薄膜框的一端面的薄膜的膜和配置于前述薄膜框的另一端面的掩模粘接剂层的薄膜，前述掩模粘接剂层含有相对于100质量份的苯乙烯系树脂(A)为35质量份以上170质量份以下的含有聚丙烯(b1)和丙烯系弹性体(b2)的硬度调整剂(B)，在前述掩模粘接剂层的电子显微镜照片中观察到苯乙烯系树脂(A)的连续相和硬度调整剂(B)的分散相的相分离结构。
薄膜及其掩模粘接剂

[发明专利]防护膜框架以及包括该防护膜框架的防护膜组件-CN201080031601.9有效
发明人： 村上修一;河关孝志 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供硫酸根离子或脱气的产生少、并且具有适度的膜强度和高的耐药品性的防护膜组件。本发明为支持防护膜的外周的防护膜框架，在所述防护膜框架的表面形成有环氧系树脂的涂装膜，在所述环氧系树脂的涂装膜的红外吸收光谱中，在1450～1550cm-1的范围内存在的峰的吸光度相对于在1200～1275cm-1的范围内存在的峰的吸光度的比值为0.5～3，并且在1450～1550cm-1的范围内存在的峰的吸光度相对于在905～930cm-1的范围内存在的峰的吸光度的比值为1以上且小于7。
防护框架以及包括组件

[发明专利]液体排出头-CN201110127871.6有效
发明人： 村上修一;武居康德 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B41J2/135 文献下载
摘要：本发明提供一种液体排出头，包括：排出口板，其具有用于排出液体的排出口；以及基板，其具有能量产生元件，该能量产生元件用于产生排出液体用的能量，其中，排出口在排出口的沿与液体排出方向垂直的方向的截面中包括至少两个突起，所述突起具有彼此并置且朝向排出口的内部延伸的直线部和用于连接直线部的前端部。
液体出头

[发明专利]液体排出方法-CN201010139745.8有效
发明人： 村上修一;武居康德 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： B41J2/015 文献下载
摘要：本发明提供一种液体排出方法，其通过向液体施加能量而从排出口排出液体，该方法包括如下步骤：驱动液体通过排出口，使得柱状液体沿液体排出方向从排出口向外伸长，在排出口的关于液体排出方向的截面中，排出口包括朝向排出口的内部突出的两个突起；使定位在排出口中的两个突起的两侧的液面在定位于两个突起之间的区域中的液体与柱状液体连接并且与两个突起的前端接触的状态下沿与液体排出方向相反的方向收缩；以及在开始收缩之后，使柱状液体在定位于该区域中的液体与两个突起的前端接触的状态下与定位在该区域中的液体分离，以从排出口排出液体。
液体排出方法

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