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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种存储器件的制作方法及存储器件-CN202210204330.7在审
  • 曹新满;夏军;李逛城 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-03 - 2023-09-15 - H01L21/764
  • 本公开提供一种存储器件的制作方法及存储器件，该制作方法包括：提供衬底，所述衬底包括阵列区以及位于所述阵列区外部的外围区；在所述阵列区内形成多条间隔排列的位线结构，所述位线结构的顶部和侧壁形成有隔离结构，在相邻所述位线结构之间形成有电容接触孔；形成初始接触层，所述初始接触层覆盖所述电容接触孔、所述隔离结构以及所述外围区；图案化所述初始接触层，以所述图案化后的所述初始接触层为掩膜刻蚀部分所述隔离结构，以形成气隙。
  • 一种存储器件制作方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310706710.5在审
  • 朱顺;李逛城;方淼焱;施露安;张文杰;郑标 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-09-12 - H10B12/00
  • 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底包括中心区和外围区；在衬底上形成导电层，导电层在衬底上的正投影覆盖中心区和所述外围区；对导电层进行图案化处理，以在外围区形成外围图案；在导电层远离衬底的一侧形成掩膜层，掩膜层包括第一掩膜图案，第一掩膜图案在衬底上的正投影位于中心区；以第一掩膜图案为掩膜对导电层进行蚀刻，以在中心区形成第一目标图案。本公开提供的方法通过在外围区的导电层形成外围图案，并以具有第一掩膜图案的掩膜层为掩膜对导电层进行蚀刻，以克服中心区和外围区由于负载效应而带来的高度差问题，提高了图案化工艺的精准度，进而提升了器件的良率。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202310714774.X在审
  • 李逛城;郑标;朱顺;方淼焱;施露安 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-15 - 2023-08-29 - H01L21/306
  • 公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括第二区域和第三区域的衬底，在衬底上依次形成初始填充层、间隔层和覆盖层，初始填充层包括分别位于第二区域和第三区域的第二初始填充层和第三初始填充层，第二初始填充层的厚度小于第三初始填充层的厚度，覆盖层包括分别位于第二区域和第三区域的第二覆盖层和第三覆盖层，第二覆盖层的厚度大于第三覆盖层的厚度；执行至少一次刻蚀工艺至第二初始填充层形成为第二填充层，第三初始填充层形成为第三填充层，且两者的上表面齐平。
  • 一种半导体结构制造方法
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  • 共 3 条
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