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[发明专利]一种A2-CN202210931667.8在审
发明人： 李泓博;李彭;何义亮;周铭睿;张文英 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种A2O工艺污水处理设施的智能控制方法及系统，涉及污水处理领域，方法包括如下步骤：构建基于全光谱的“聚类‑回归”COD预测模型；基于浊度补偿的硝酸盐氮浓度进行在线监测；基于模糊PID控制器对外碳源投加进行控制；基于粒子群优化BSM模型的前馈‑反馈策略对曝气量和回流量进行控制。本发明提供的控制系统及方法，具有以下优点，COD与硝态氮的监测采用光谱法，具有操作简便、测量时间短且能够提供分秒级别的实时信号、无需化学试剂的优点；本发明构建的模糊PID控制器模块具有更好的响应快速性、准确性和稳定性；粒子群PID控制器模块具有更佳的抗扰动能力，并且减少了鼓风机的变频频率及启停次数，降低能耗。
一种 base sup

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法、半导体器件的制作方法-CN201911046453.7有效
发明人：彭利;李泓博 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成内衬氧化层，所述内衬氧化层覆盖所述隔离沟槽的内表面；在所述隔离沟槽中形成内衬硅层，所述内衬硅层覆盖所述内衬氧化层；所述隔离沟槽中填充可流动含硅聚合物层，所述可流动含硅聚合物层覆盖所述内衬硅层；将所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物，且在所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物的过程中，至少部分所述内衬硅层也转化成氧化物。即在隔离沟槽中形成内衬氧化层之后增加一层内衬硅层，由于内衬硅层在可流动含硅聚合物转化成氧化物时，所述内衬硅层也会发生反应形成二氧化硅，体积膨胀，从而可以填补因硅不足而导致的空洞。
沟槽隔离结构及其形成方法半导体器件制作方法

[实用新型]一种设有密封机构的热解装置-CN202120724039.3有效
发明人：安志强;刘旭光;李泓博;徐春生;于崇;韩苏;张松 -专利权人：河南北工机械制造有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C10B47/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种设有密封机构的热解装置，主滚筒的一端固定连接有与主滚筒一同旋转的出料筒，主滚筒内壁固定连接有将物料向出料筒方向输送的第一螺旋导板，靠近出料筒的主滚筒内壁固定连接有将物料送入出料筒的抄板的一端，所述抄板向出料筒倾斜且另一端与出料筒的一端连接；所述出料筒内规定连接有第二螺旋导板，所述出料筒的另一端密封转动连接有密封封头机构；所述密封封头机构的顶部设有排出油气的上出气口，底部设有排出固体物料的下出料口。主滚筒在外置驱动机构的作用下旋转工作，出料筒与主滚筒装置焊接为一体并随主滚筒装置一起同步旋转。此结构解决了同轴多层滚筒由低层向高层出料难和出料处理量少的问题。
一种设有密封机构装置

[发明专利]一种改善隧穿氧化层可靠性的方法-CN202011517680.6在审
发明人：彭利;李泓博 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种改善隧穿氧化层可靠性的方法，提供硅基底；在硅基底上表面形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层和所述硅基底界面掺氮，形成位于第一氧化硅层和硅基底界面处的氮氧化硅层；氧化硅基底上表面，在氮氧化硅层和硅基底界面处形成第二氧化硅层，其中氧化硅基底上表面的反应温度为900℃，反应气体为氧气；在第一氧化硅层上形成浮栅。本发明通过在LPRO以及NO退火工艺后增加再氧化工艺使掺N峰远离SiO2‑Si界面，从而达到改善界面性能，提高器件可靠性。
一种改善氧化可靠性方法

[发明专利]多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法-CN202010717931.9在审
发明人： 李泓博;高杏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法，所述多晶硅薄膜形成方法应用于半导体领域。该方法包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成掺碳的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层组成所需的多晶硅薄膜。由于在本发明实施例中，在保持半导体结构中多晶硅薄膜材质结构不变的基础上，将多晶硅薄膜从现有技术中的一层结构变为两层结构，且顶层为含有碳离子的掺杂多晶硅层。由于掺有碳离子的多晶硅层对多晶硅薄膜表面具有抑制和细化的作用，从而抑制了多晶硅薄膜发生表面形核异常，降低了其表面产生异常生长的大晶粒的概率。
多晶薄膜形成方法半导体结构

[发明专利]一种提高聚硅氮烷膜质转换效率的方法-CN201910914857.7在审
发明人： 李泓博;赵健 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高聚硅氮烷膜质转换效率的方法，本发明将现有的PSZ工艺中第一道氮氧转行工艺的反应温度400℃、第二道氮氧转行工艺的反应温度700℃以及850℃温度下的退火工艺改进为第一道氮氧转行工艺的反应温度280℃、第二道氮氧转行工艺的反应温度500℃，并在第一、第二道氮氧转行工艺之间增加一步泡水工艺，可以增加水汽在单元区复杂沟槽结构的侵入扩散效果，使得在第二道氮氧转行工艺时达到更好氮氧转换效果；把原本起到补充氮氧转换作用和带走转换产生的副产物的第二道氮氧转换工艺的温度降至500℃，延缓了沟槽最上部SiO2转换形成，使沟槽底部PSZ转换产生的副产物能更充分的排出，底部的PSZ更充分的转换为SiO2，使单元区的STI沟槽内部不再有空穴产生。
氮氧转换单元区副产物空穴聚硅氮烷膜沟槽结构退火工艺转换效率水汽温度降排出泡水延缓侵入扩散补充改进

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201910809060.0在审
发明人： 李泓博;孙勤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底内形成有沟槽；涂覆聚硅氮烷对所述沟槽进行填充；对所述半导体基底在水汽环境中进行递进式升温处理，使得所述聚硅氮烷转化为二氧化硅。本发明具有提高聚硅氮烷的转化率，减小浅沟槽隔离结构中产生孔洞缺陷的机率的优点。
半导体基底聚硅氮烷浅沟槽隔离结构二氧化硅孔洞缺陷水汽环境递进式减小涂覆填充制备转化

[发明专利]一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法-CN201410171811.8有效
发明人：蒙韬;汪军;李泓博;姚建裕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种对沉积薄膜反应装置的处理方法，包括：对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，和/或提高清洗气体浓度，和/或在所述清洗中保持平稳的温度，以将所述反应装置中残留的薄膜完全清除。本发明还提供了一种薄膜沉积方法，包括在薄膜沉积之前对所述反应装置进行干法清洗；其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，和/或提高清洗气体浓度，和/或在所述清洗中选用平稳的温度，以将所述反应装置中沉积的颗粒完全清除。通过本发明所述方法沉积薄膜，所述薄膜的表面更加平整，表面的颗粒缺陷极大的降低，提高了薄膜的良率和性能。
一种沉积薄膜反应装置处理方法

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