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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子装置-CN201810305860.4有效
发明人：林载翊;朴源祥;秋惠容;金柱炫;李来应;黄秉雄 -专利权人：三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：提供了一种电子装置。所述电子装置包括基体基底和传感器，基体基底对应于从外部施加的外力地改变平面图中的面积，传感器设置在基体基底上，且感测从外部施加的触摸，并且对应于从外部施加的外力地改变平面图中的面积。传感器包括：第一电极，设置在基体基底上；第二电极，设置在基体基底上；介电层，设置在第一电极与第二电极之间。当基体基底在平面图中的面积变化时，介电层的厚度基本上保持相同。
电子装置

[发明专利]压力传感器、其制造方法和具有该压力传感器的显示装置-CN201811375649.6有效
发明人：林载翊;朴源祥;秋惠容;金度逸;李来应;李韩星 -专利权人：三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：提供一种压力传感器、其制造方法和具有该压力传感器的显示装置。所述压力传感器包括：基体基底，包括浮凸图案；第一导电层，设置在基体基底上；压敏材料层，设置在第一导电层上，以使压敏材料层的电特性与施加于压敏材料层的应变对应地变化，压敏材料层包括电介质和分散在电介质中的纳米颗粒；以及第二导电层，设置在压敏材料层上，其中，电介质和纳米颗粒包括具有极性彼此相反的热电性的材料。
压力传感器制造方法具有显示装置

[发明专利]使用气体分离喷头清洁腔室的装置-CN200710003197.4有效
发明人：裵根鹤;金京洙;金昊植;尹荣培;金德珍;李来应 -专利权人：韩商奥拓股份有限公司
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种使用气体分离型喷头来清洁腔室的装置。所述装置包括：气体供应模块，第一和第二气体通过气体供应模块被单独提供；气体分离模块，所述第一和第二气体通过气体分离模块被单独分散；和气体注入模块，其包括多个孔，所述被单独分散的第一和第二气体通常通过所述孔注入到所述腔室，其中所述第一和第二气体至少之一的气体包括电离的第一清洁气体，所述电离的第一清洁气体包括含有氟(F)成分的气体，且其中所述第一和第二气体至少之一的气体包括非电离的第二清洁气体，所述非电离的第二清洁气体包括基于氮氧的气体(N_xO_y，x和y为等于或大于1的整数)。
使用气体分离喷头清洁装置

[发明专利]形成蚀刻掩模的方法-CN200610138003.7无效
发明人：权奇清;李来应;朴昌基;李春熙;金德镐 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成一蚀刻掩模的方法。根据本发明，提供一种形成一蚀刻掩模的方法，其包含以下步骤：在一衬底上沉积一含有硅的硬掩模膜；在所述硬掩模膜上沉积一光致抗蚀剂；图案化所述光致抗蚀剂；和使用所述光致抗蚀剂图案作为一掩模且使用一包括CH_xF_y (x，y＝1，2，3)气体的蚀刻气体来蚀刻所述硬掩模膜。此时，在用于193nm或更小波长的光致抗蚀剂图案下蚀刻所述硬掩模膜时，可使用包括CH₂F₂和H₂气体的混合气体来增加所述硬掩模膜对光所述致抗蚀剂图案的一蚀刻选择性。
形成蚀刻方法

[发明专利]半导体装置的制造设备的清洁方法-CN200410000467.2无效
发明人：尹守植;廉根永;李来应;金基俊;吴昌铉;金知晃 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造设备的清洁方法，包含以下步骤：一供气步骤，将一第一清洁气体与一第二清洁气体供应到一处理室之中，并使该第一与第二清洁气体形成为一混合气体，其中该第一清洁气体系含有氟化碳气体与氧气，且该第二清洁气体则含有氮气；一活化步骤，通过一高频能量活化该第一与第二清洁气体所形成的混合气体；及一排气步骤，排除该活化的混合气体清洁之后所留下的残余物与残余气体。
半导体装置制造设备清洁方法

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