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[实用新型]一种全自动粉碎分配设备-CN202321239235.7有效
发明人：翟明成;王甜莹;周凯;李春昊;杨光;白倩;韩文慧 -专利权人：河北蕴鸿检测科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及粉碎设备技术领域，且公开了一种全自动粉碎分配设备，包括设备机箱,所述设备机箱上通过入料管固定安装有入料斗，所述设备机箱的侧壁面通过出料管固定安装有出料筒，出料筒的下端可拆卸安装有收集筒，所述出料筒的上端可拆卸安装有防尘布筒，物料通过入料斗导入到设备机箱内，物料在设备机箱内经过高磨锤锤击成细小均匀粉末,细小粉末随高速气流通过出料管和出料筒排入到收集筒的内部。本实用新型中，转盘通过传动皮带带动转动环一起转动，转动环将带动旋转杆一起旋转，这时刮杆对防尘布筒的内壁面进行刮动，使吸附在防尘布筒内壁面的物料粉末可以掉落并收集到收集筒内，达到了设备主体在使用后自动清洁防尘布筒的效果。
一种全自动粉碎分配设备

[实用新型]一种自动液体浓缩仪-CN202321238939.2有效
发明人：翟明成;韩文慧;王甜莹;杨光;李春昊;白倩;周凯 -专利权人：河北蕴鸿检测科技有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及浓缩仪技术领域，且公开了一种自动液体浓缩仪，包括浓缩仪本体，浓缩仪一侧线性连接有警示灯，浓缩仪本体内腔中心位置固定连接有连接框，连接框将浓缩仪本体内腔分为水浴槽和清洗槽两部分，连接框内腔的一侧壁面开设有滑槽，滑槽内设有丝杆，丝杆上滑动连接有滑块，滑块的顶部固定连接有第一驱动电机，第一驱动电机的输出端转动连接有第一转轴，第一转轴的一端固定连接有支架，支架上安装有若干个气针，浓清洗槽内腔转动连接有第二转轴，第二转轴的侧壁面上均固定连接有若干个清洁刷。本实用新型中，启动第二驱动电机带动第二转轴上的若干个清洁刷对气针进行清洁，最终污水通过出水口排出，可以对气针进行高效的清洗。
一种自动液体浓缩

[发明专利]一种SM3杂凑算法的硬件加速方法-CN202210230801.1在审
发明人：冯建华;邢琦;齐观平;李春昊;马思孔 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种SM3杂凑算法的硬件加速方法，具体是设计消息填充模块来完成对输入消息的填充和分组，设计同步FIFO模块解决消息填充分组和消息迭代压缩速率不一致的问题，设计压缩模块完成消息的扩展和迭代压缩。为提高杂凑算法执行效率，本发明将消息扩展和迭代压缩进行并行处理。通过组合逻辑复用的方法，将SM3算法中压缩函数的效率提高了一倍。本发明以较低的电路开销实现了一种高性能的SM3杂凑算法加速电路，在12nm工艺库下频率达到2.5GHZ，吞吐率达到2557.72GB/s，适用于SM3杂凑算法运算速度要求较高的应用场景。
一种 sm3 杂凑算法硬件加速方法

[发明专利]一种基于蒙哥马利模乘的模重复平方算法及其硬件结构-CN202210230803.0在审
发明人：冯建华;李春昊;马思孔;邢琦;于天威;胡龙威 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F7/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种模重复平方算法，并基于此算法开发了模重复平方运算电路。本发明设计的模重复平方算法主要包括平方运算、蒙哥马利约简、进位传播加法三个步骤；模重复平方运算电路主要由平方运算单元、蒙哥马利约简单元、进位传播加法器、计数器等组成。本文提出的模重复平方运算算法基本流程为：输入数据首先进行平方运算，得到冗余形式的平方运算结果；之后以冗余形式进行蒙哥马利约简运算；当达到次数的要求，进行进位传播加法得到非冗余形式的最终结果；否则以冗余形式继续执行上述步骤。本发明利用连续乘法运算和平方运算的数学特点，以较低的硬件开销有效降低了模重复平方运算的延迟，在一定程度上提高了相关密码算法的执行效率。
一种基于马利重复平方算法及其硬件结构

[发明专利]一种激光加工调焦系统及其调焦方法-CN202110098802.0有效
发明人：贺少鹏;巫礼杰;仰瑞;童灿钊;李迁;李福海;李春昊;赵冬冬;高云峰 -专利权人：深圳市大族半导体装备科技有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光加工调焦系统，包括：拍摄模块，其用于拍摄待加工材料的轮廓；材料高度检测模块，其用于检测待加工材料的高度；调焦模块，其用于检测和调整激光焦点位于待加工材料的高度；位置检测模块，其用于检测待加工材料的水平位置；控制模块，其与拍摄模块、位置检测模块、材料高度检测模块、调焦模块电性连接；其中，控制模块用于根据待加工材料的轮廓、水平位置以及高度确定待加工材料的边缘坐标，并根据边缘坐标控制调焦模块在移出待加工材料的边缘时保持激光焦点的高度不变。通过实施本发明可以极大地改善调焦模块在待加工材料的边缘处的调焦效果。
一种激光加工调焦系统及其方法

[发明专利]晶片的制造方法-CN202110978556.8有效
发明人： 李春昊;郝宏伟;巫礼杰;任达;仰瑞;贺少鹏;童灿钊;尹建刚;高云峰 -专利权人：深圳市大族半导体装备科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：借助激光的照射，在所述晶锭内距离第一表面相当于所述晶片厚度的深度位置上沿着C面形成剥离层，所述剥离层将晶锭分成晶锭本体部分和晶锭待分离部分；晶锭的第一表面通过热加载后的粘结层粘附于固体衬底上，其中，所述粘结层的热膨胀系数与所述晶锭的热膨胀系数有差异；保持晶锭本体部分和固体衬底相对固定，并使所述粘结层冷却用于在所述晶锭中产生应力，所述剥离层在该应力的作用下将晶锭待剥离部分剥离，生成晶片；以及降低粘结层的粘结性，将生成的所述晶片与固体衬底分离。上述晶片的制造方法的整个剥离过程简单可靠，且生产成本低。
晶片制造方法

[发明专利]一种基于显微组分和元素地球化学的富油煤判识方法-CN202310059185.2在审
发明人： 李春昊;师庆民;赵奔;王双明;蔡玥;王生全;李新;韩波;张哲豪;何羽飞 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于显微组分和元素地球化学的富油煤判识方法，包括以下步骤：一、在待研究矿井的煤层不同深度进行采样获取N个煤样；二、采用低温格金干馏试验测出N个煤样的焦油产率；三、获取N个煤样的显微组分数据和煤相参数数据；四、获取富油煤的显微组分和煤相参数判定条件；五、获取N个煤样的常量元素质量分数；六、获取富油煤的常量元素判定条件；七、获取N个煤样的微量元素质量分数比值；八、获取富油煤的微量元素判定条件。本发明设计合理，获取富油煤的显微组分和煤相参数判定条件、富油煤的常量元素判定值和富油煤的微量元素判定条件。
一种基于显微组分元素地球化学富油煤判识方法

[发明专利]同时提高微米NdFeB基永磁膜剩余磁化强度和矫顽力的方法-CN202310171756.1在审
发明人：刘伟;李春昊;赵晓天;刘龙;张志东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种同时提高微米级NdFeB基永磁厚膜剩余磁化强度和矫顽力的方法。该方法为在NdFeB基厚膜生长过程引入组合层，使组合层介于硬磁层之间，所述组合层排列结构为：隔离层/软磁层/隔离层。组合层中的非磁层充当隔离层以一定程度上增大矫顽力，软磁层通过与硬磁层厚膜之间的长程相互作用提高剩余磁化强度。所述隔离层优选为Ta，软磁层为优选Fe。当组合层插入7层，且其中软磁层厚度为80nm时，使永磁厚膜的剩余磁化强度达到1.2T，且矫顽力维持在1.5T以上。该方法为NdFeB基永磁厚膜在MEMS、微型永磁电机上的使用提供了性能上的保证。
同时提高微米 ndfeb 永磁剩余磁化强度矫顽力方法

[发明专利]一种多层次识别与评价富油煤的方法-CN202310057313.X在审
发明人：师庆民;李春昊;王双明;王生全;蔡玥 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01N33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层次识别与评价富油煤的方法，包括以下步骤：一、获取待判断煤样的煤镜质组随机反射率平均值Rr；二、当Rr小于Rrs，则执行三；三、从宏观煤岩类型对待判断煤样进行判断，如果待判断煤样为光亮煤、半亮或者半暗煤，则执行步骤四；四、判断待判断煤样的镜质组含量是否大于镜质组含量设定值，如果是，执行步骤五；五、将Hal/H、CH2/CH3、CCal‑Cal、CCar‑Cal与Hal/Hs、CH2/CH3s、CCal‑Cals和CCar‑Cals进行比较；六、当Hal/H大于Hal/Hs，CH2/CH3大于CH2/CH3s，CCal‑Cal大于CCal‑Cals或者CCar‑Cal大于CCar‑Cals时，说明待判断煤样为富油煤。本发明从煤级、宏观煤岩类型、物质组成、微观分子结构等层次分级别评价识别富油煤，克服了富油煤评价指标单一。
一种多层次识别评价富油煤方法

[发明专利]激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件-CN202211314605.9在审
发明人： 李春昊;翁铭杰;王金生;李迁;王博;仰瑞;巫礼杰;尹建刚;高云峰 -专利权人：深圳市大族半导体装备科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件，激光剥离工件的方法，包括采用短脉波宽度的脉冲激光聚焦于工件内部的预设剥离面，以在所述工件内部的预设剥离面形成改质点，采用长脉波宽度的脉冲激光聚焦于所述改质点，以在所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹；沿所述预设剥离面将所述工件分割成第一工件单元与第二工件单元。本申请提供的激光剥离工件的方法，使得工件可以很容易的剥离，且可避免裂纹沿轴向方向延伸导致工件碎裂进而导致产品加工质量低下的问题，且可避免由于采用线锯切割的方式或机械减薄的方式导致材料损耗严重且效率低下等问题。
激光剥离工件方法晶片半导体器件

[实用新型]一种无刷电机防噪结构-CN202222003397.2有效
发明人：郗昊晨;杨建;李春昊;刘璇;李龙;王钰博;卜永恒;郗婷怡;陈艺丰 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02K5/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种无刷电机防噪结构，涉及无刷电机技术领域，包括防护盒，所述防护盒的内部开设有空心槽，所述空心槽的内部设置有隔音棉，所述防护盒的内壁设置有吸音板。本实用新型中，当进行使用时，防护盒内部两侧的吸音板可以有效吸附无刷电机本体产生的噪音，空心槽中有隔音棉，可以进行二次隔音，有效减小噪声，无刷电机本体设置在支撑板的顶部，当无刷电机本体工作时产生振动，在多个第一弹簧的缓冲下，有效减少振动带来的噪声，从而进一步达到防噪的效果。
一种电机结构

[发明专利]一种半导体元件的制备方法-CN202210323719.3在审
发明人： 李春昊;郝宏伟;王金生;仰瑞;巫礼杰;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司;深圳市大族半导体装备科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体元件的制备方法。所述半导体元件的制备方法包括在基底层的一侧面生长形成第一外延层；利用激光在基底层内形成第一改质层；将基底层沿第一改质层分离出预设厚度范围的第一衬底；其中，第一外延层位于第一衬底上；在第一外延层表面制备第一器件。本发明通过将激光由基底层的任意一侧入射，激光在基底层内部加工出第一改质层，直接加工出预设厚度范围的第一衬底，第一衬底厚度通常为50μm～150μm。由此可以提高加工效率，并且通过对第一衬底的剥离面进行磨抛，只需要将激光作用后的缺陷区域修平就可以得到预设厚度范围的第一衬底，可以有效地减小材料的过多浪费。
一种半导体元件制备方法

[发明专利]一种实现基于时钟精准模拟器的RISC-V向量拓展指令集的方法-CN202210279543.6在审
发明人：冯建华;马思孔;陈昊;李春昊;邢琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-03-12 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现基于时钟精准模拟器的RISC‑V向量拓展指令集的方法，包括拓展指令集、向量处理单元模块。基本模拟流程为：配置目标模型基本参数，编译修改好的gem5模拟器，对测试程序进行向量化修改，编译测试程序并用模拟器进行模拟，最终得到目标架构下测试程序执行的踪迹信息。该模拟器为向量指令集及微架构设计提供了实验平台，同时可以为RTL电路的设计提供指导方向，辅助电路验证等工作。
一种实现基于时钟精准模拟器 risc 向量拓展指令方法

[发明专利]一种固体材料的激光分片方法-CN202010728811.9在审
发明人： 李春昊;卢建刚;张小军;邓正东;杨国会;陈锐;尹建刚;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例属于激光分片技术领域，涉及一种固体材料的激光分片方法。本申请提供的技术方案包括如下步骤：利用激光在在固体材料内部形成剥离面；将固体材料通过热塑性胶水粘结到固体衬底表面；将固体材料沿剥离面分离，获得预定厚度的薄层晶片。利用激光在待分离的固体材料内部形成剥离面，保证薄层晶片厚度的一致性，并且采用热塑性胶水和固体衬底辅助剥离，剥离过程简单可靠，并且剥离后的获得的薄层晶片容易从固体衬底上分离开，降低了生产成本，提高了生产效率。
一种固体材料激光分片方法

[发明专利]一种半导体晶片的激光加工方法及系统-CN202010576343.8在审
发明人：王亭入;卢建刚;李春昊;柳啸;陈畅;任达;巫礼杰;尹建刚;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明属于激光加工技术领域，涉及一种半导体晶片的激光加工方法及采用该方法的系统，该方法包括：生成第一激光束，调节其焦点至半导体晶片的上表面，控制第一激光束的焦点沿预先设定的至少一条切割轨迹运动，去除半导体晶片的上表面在所述切割轨迹上的镀膜层；生成第二激光束，调节其焦点至半导体晶片内部，控制第二激光束的焦点在半导体晶片内部沿所述切割轨迹运动，形成至少一个改质层，使改质层沿着半导体晶片的厚度方向形成扩展裂纹；对加工后的半导体晶片进行裂片处理。通过本方案，可在半导体晶片较厚且半导体晶片表面镀有激光无法穿透或透过率极低的膜层的情况下，避免切割过程中产生明显崩边甚至损伤晶粒的问题，从而提高分片良率。
一种半导体晶片激光加工方法系统

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