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[发明专利]校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备-CN202311217493.X在审
发明人： 李文菊;黎永健 -专利权人：上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，其中，校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息；获取第一数量和第二数量；根据第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流；该方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
校验电流设置方法操作相关设备

[实用新型]一种白刚玉原料用除杂装置-CN202321314232.5有效
发明人：何世磊;何世尊;李文菊 -专利权人：郑州玉发高新材料有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B03C1/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种白刚玉原料用除杂装置，包括定位壳，所述定位壳的底部固定连接有支撑板，所述支撑板的右侧固定连接有筛分壳，所述定位壳顶部的左侧通过轴销固定连接有盖板，所述盖板的顶部固定连接有进料壳，所述定位壳的底部固定连接有除杂机构，所述除杂机构包括第一电机，所述定位壳底部的右侧固定连接有出料管，所述出料管的表面套设有电磁阀，所述电磁阀的顶部与定位壳固定连接。本实用新型通过设置定位壳、支撑板、筛分壳、盖板、进料壳、除杂机构、出料管、电磁阀、出料壳、固定板、震动机构、出料孔、固定块、定位杆、第一筛板和第二筛板的配合使用，解决了现有的除杂装置不具备可以对白刚玉进行筛分的问题。
一种刚玉原料装置

[发明专利]操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311145378.6在审
发明人： 李文菊;黎永健 -专利权人：上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明涉及芯片验证技术领域，具体公开了一种操作时间仿真获取方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取操作命令的配置信息和操作对象的特性信息；根据配置信息获取操作命令的各个子操作的耗时信息；根据特性信息获取操作命令的各个子操作所需的执行次数信息；根据子操作的类型、对应的执行次数信息和耗时信息生成操作命令的总耗时信息；该方法以子操作耗时信息和执行次数信息为数据基础快速分析出不同操作对象执行不同操作命令的所用时间，能一目了然地仿真出对应芯片产品的时间性能，以便设计人员仿真获取芯片关于时间的运行参数以对芯片进行调试、修改和评估产品质量。
操作时间仿真获取方法装置电子设备存储介质

[发明专利]flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片-CN202311145380.3在审
发明人： 李文菊 -专利权人：上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种flash芯片的擦除方法、装置及flash芯片，属于半导体集成电路技术领域，其中所述擦除方法包括以下步骤：获取第一cycle次数和第二cycle次数，所述第一cycle次数为待擦除的使用区域的cycle次数，所述第二cycle次数为所述备用区域的cycle次数；若存在一所述第二cycle次数比所述第一cycle次数小的备用区域，则将该备用区域转换为待擦除的使用区域；对待擦除的使用区域进行擦除操作。本申请的擦除方法，能解决芯片中边角容量被浪费的问题，从而能有效利用边角容量以延长芯片的使用寿命。
flash 芯片擦除方法装置

[发明专利]计数器、计数方法、存储阵列、非易失性存储器及设备-CN202311116313.9在审
发明人： 李文菊 -专利权人：上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03K21/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种计数器、计数方法、存储阵列、非易失性存储器及设备，属于半导体集成电路技术领域，其中所述计数器基于非易失性存储器的存储阵列构建而成；所述存储阵列包括高位计数区域和低位计数区域；所述高位计数区域基于二进制数据进行计数；所述低位计数区域基于数据0的数量进行计数；所述高位计数区域在所述低位计数区域写满数据0且计数对象的值继续增加时计数加1；所述低位计数区域在所述高位计数区域计数加1时清空计数，本申请的计数器，能解决计数器容量不足和计数区域数据不够安全的问题，从而能增加计数器的容量大小并提高计数的安全性。
计数器计数方法存储阵列非易失性存储器设备

[发明专利]NOR FLASH的复位方法、装置、存储芯片及设备-CN202310863763.8有效
发明人：彭永林;黎永健;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种NOR FLASH的复位方法、装置、存储芯片及设备，其中，方法包括以下步骤：S1、在基于CS通信口发送时钟信号时，基于SI通信口采集脉冲序列，并统计时钟信号的周期个数；S2、在周期个数比复位序列值位数小一时，将周期个数打一拍后输出；S3、根据时钟信号的周期个数和脉冲序列生成复位信号；该方法能避开运算电路的组合逻辑竞争冒险以获取完美的脉冲序列值，从而有效避免了出现匹配序列毛刺，确保脉冲序列值为复位序列值时能对数字电路产生没有毛刺的复位操作，大大提高复位流程的可靠性。
nor flash 复位方法装置存储芯片设备

[发明专利]一种时钟输出方法、电路及芯片-CN202310881495.2在审
发明人：彭永林;黎永健;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03K5/04 文献下载
摘要：本申请涉及时钟输出技术领域，具体提供了一种时钟输出方法、电路及芯片，该方法包括步骤：获取第一时钟周期数量，第一时钟周期数量为内部晶振时钟在满足第一条件时连续产生的时钟周期数量，第一条件包括内部晶振模块的使能开关打开；在第一时钟周期数量大于或等于预设的第二时钟周期数量时，释放内部晶振时钟；该方法能输出频率和占空比稳定的内部晶振时钟，从而有效地避免出现由于内部晶振时钟的频率和占空比发生变化而导致数字电路的运行时钟出现畸形情况的情况，进而有效地避免出现由于数字电路的运行时钟出现畸形情况而造成时序违例、数字电路中的触发器进入亚稳态和数字电路崩溃死机的情况。
一种时钟输出方法电路芯片

[发明专利]1,4-丁烯二醇加氢反应用钯催化剂及其制备工艺-CN202210217522.1有效
发明人：王宝华;高宁宁;李泽龙;王春良;何平英;李文菊 -专利权人：耒阳金悦科技发展有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明公开了1,4‑丁烯二醇加氢反应用钯催化剂及其制备工艺，属于催化剂技术领域。采用设计合成的钯催化剂，其原料包括改性载体和氯钯酸溶液，改性载体先采用水热法合成镁铝水滑石，将镁铝水滑石与金属离子溶液共混发生离子置换反应生成插层结构镍基水滑石，在插层结构镍基水滑石的分散液中加入硅酸钠，得到纳米二氧化硅/水滑石复合材料，最后利用低温等离子体操作，将纳米二氧化硅高分散在水滑石表面，得到改性载体。该钯催化剂中还有镍元素，既保证加氢反应的高效又降低成本；同时在水滑石载体中引入SiO2惰性物质，降低还原发生，防止毒化作用。利用低温等离子体进行负载，产生合金结构，有效避免活性组分聚集和失活。
丁烯加氢应用催化剂及其制备工艺

[发明专利]无感扩容的Nor Flash、感知电路及电子设备-CN202310016992.6有效
发明人：黎永健;彭永林;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种无感扩容的Nor Flash、感知电路及电子设备，其中，感知电路包括：多个分别与不同副芯片连接的开漏pad；上拉电阻，其第一端与所有开漏pad的输出端连接，其第二端连接供电电压；晶体管，其第一端与上拉电阻的第一端连接，其第二端接地，其第三端连接主芯片；非门，其输入端与上拉电阻的第一端连接；第一选择器，其选择控制端与非门输出端连接，其一输入端输入高电平信号；寄存器，其触发输入端与第一选择器的输出端连接，其输出端与第一选择器的另一输入端连接；该感知电路无需每个存储芯片主动返回状态便能实现对所有存储芯片的运行状态的在线监测。
扩容 nor flash 感知电路电子设备

[发明专利]片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器-CN202310016973.3有效
发明人：黎永健;彭永林;李文菊;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器，其中，该片选使能控制装置包括：第一地址接收端；第一累加器，与第一地址接收端连接；第一选择器，与第一地址接收端及第一累加器连接；第一判断模块，与第一选择器连接；该片选使能控制装置能根据外部输入的操作命令携带的地址信息判断该地址信息所在的存储芯片，并基于判断结果打开对应存储芯片的片选使能信号，使得对于同一个操作命令而言，同一时间有且仅有最多一个存储芯片能根据对应打开的片选使能信号来执行操作，避免多个存储芯片因识别地址错误同时进行读取而导致芯片损坏，以及因识别地址错误同时进行擦写而导致数据丢失。
片选使能控制装置读取擦写闪存

[发明专利]闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质-CN202211677531.5在审
发明人： 李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差；根据第一阈值电压差和第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值；该方法基于第一阈值电压差和第二阈值电压差更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值能在存储单元的使用特性下降时及时更新合适的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值，以确保擦除操作能高效、顺利地完成执行。
闪存芯片擦除电压配置方法装置设备存储介质

[发明专利]nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质-CN202211229126.7有效
发明人： 李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体公开了一种nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质，其中，该nor flash的全片擦除方法包括以下步骤：S1、对待擦除全片区域进行预编程；S2、利用阵列擦除模式对全片区域进行粗擦除操作；S3、基于块擦除模式或扇区擦除模式对全片区域进行精擦除操作；该nor flash的全片擦除方法集合了阵列擦除模式粗擦除效率高以及块擦除模式或扇区擦除模式的精擦除收敛效果好、收敛速度快的优势来对nor flash的全片区域进行擦除，从而节省了整个全片区域的擦除所需的时间，并能提高擦除成功率，尤其适用于不同存储区域因使用程度或工艺等原因导致擦除性能差异较大的nor flash。
nor flash 全片擦除方法装置设备介质

[发明专利]一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质-CN202211230098.0有效
发明人： 李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种存储芯片的读写方法、电子设备及存储介质，该方法包括步骤：在对目标存储阵列进行读或写操作前，获取与所述目标存储阵列对应的过擦除标志位信息，所述过擦除标志位信息用于标识对应的存储阵列在上一次擦除过程中是否产生了未修复的过擦除现象；在所述过擦除标志位信息标识目标存储阵列在上一次擦除过程中产生了未修复的过擦除现象时，对所述目标存储阵列进行过擦除修复；对所述目标存储阵列进行读或写操作，该方法能够有效地避免出现由于过擦除现象而导致目标存储阵列出现读取失败或编程失败的问题，能够在保证存储芯片上电速度快的情况下解决读取错误和编程失败的问题。
一种存储芯片读写方法电子设备介质

[发明专利]闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质-CN202211229121.4有效
发明人： 李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取待擦除的目标存储区域的Cycle次数；根据Cycle次数从预设的擦除电压组库中调用擦除电压组，擦除电压组包括擦除电压值和弱编程电压值，擦除电压组库包括多个与不同Cycle次数区间配对的擦除电压组；该方法获取的目标存储区域的Cycle次数能表征该目标存储区域的使用程度，基于该Cycle次数对应的Cycle次数区间从预设的擦除电压组库中调用擦除电压组能快速确定与当前目标存储区域特性匹配的擦除电压值和弱编程电压值，可确保闪存芯片在整个生命周期内均能高效、高质、顺利地完成擦除操作。
闪存芯片擦除电压配置方法装置设备存储介质

[发明专利]nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质-CN202211229125.2有效
发明人： 李文菊;黎永健;彭永林;饶锦航 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，具体公开了一种nor flash的全片擦除方法、装置、设备及介质，其中，nor flash的全片擦除方法包括以下步骤：获取全片区域中处于已擦除状态的分区在所有分区中的占比；在占比小于或等于预设阈值时，对全片区域进行阵列擦除操作，在占比大于预设阈值时，对全片区域中除去处于已擦除状态的分区外的所有分区进行类阵列擦除操作；该nor flash的全片擦除方法基于全片区域中处于已擦除状态的分区在所有分区中的占比来快速判断阵列擦除是否仍具有高效擦除的优势，匹配当前最优的擦除操作来执行全片擦除，使得全片擦除能保持高效执行，以提高nor flash命令执行效率。
nor flash 全片擦除方法装置设备介质

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