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[发明专利]制备具有除臭性和快速吸汗的功能性纱线的方法-CN201580061523.X有效
发明人：李泰均;李敏硕;朴峻永 -专利权人：晓星天禧(株)
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： D01F6/92 文献下载
摘要：本发明涉及一种功能性纱线的制备方法，其中使用具有多层结构的磷酸锆作为除臭材料，熔融的聚合物通过具有多叶截面形状的纺丝喷嘴进行纺丝。根据本发明，该熔融的聚合物包含低硬度的层状细磷酸锆无机颗粒，且因此使在纤维生产过程中生产加工设备的磨损最小化，还显示了优异的除臭特性以及优异的吸汗和速干特性。
聚合物磷酸锆熔融生产加工设备纤维生产过程功能性纱线除臭材料多层结构纺丝喷嘴截面形状无机颗粒低硬度最小化除臭多叶纺丝速干吸汗制备磨损

[发明专利]印刷电路板制造方法-CN201811357482.0在审
发明人：金东铉;李敏硕;权俊躯;姜大根 -专利权人：大德电子株式会社
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种印刷电路板制造方法，本发明的实施例的电路板制造方法，用于制造多层的电路板，包括：步骤a，制作副层，所述副层在将转印有电路图案的铜箔和绝缘层组合多层的结构物设置有第一贯通孔，所述第一贯通孔的内壁得到铜电镀以进行层间连接；步骤b，制作层间接合结构物，所述层间接合结构物在被硬化的环氧树脂的表面设置有粘结薄膜，在所述环氧树脂设置有由导电油墨填充的第二贯通孔；以及步骤c，在所述副层之间夹设所述层间接合结构物，以所述第一贯通孔和所述第二贯通孔的中心轴彼此对齐的方式层积，进行紧贴并完全硬化。
贯通孔结构物副层环氧树脂印刷电路板制造多层硬化绝缘层电路板电路板制造表面设置层间连接导电油墨电路图案粘结薄膜对齐铜电镀制作层中心轴层积夹设内壁铜箔转印填充紧贴制作制造

[发明专利]热能存储和隔热的聚酯纤维及其制造方法-CN201580051376.8有效
发明人：吴圣镇;李敏硕 -专利权人：晓星天禧（株）
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： D01F1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造聚酯纤维的方法，该方法包括：将5～50重量％的包括钨系氧化物、铯系氧化物、锑系氧化物、铟系氧化物和锡系氧化物的复合金属氧化物颗粒与40～90重量％的选自醇、酮和乙酸酯的一种或两种有机溶剂、0.4～20重量％的聚乙烯醇缩丁醛(即聚合物)以及2～30重量％的硬脂酸钙或硬脂酸镁混合到一起，从而得到混合物，并搅拌和研磨该混合物从而制备分散液；将该分散液干燥从而制备粉末状的添加物；将1～30重量％的该添加物与聚酯片混合到一起从而得到混合物，并熔化此混合物从而制备母料片；以及将1～10重量％的该母料片与普通聚酯片混合到一起从而得到混合物，并对该混合物进行熔化和纺丝。通过根据本发明的制备方法而制备的复合功能聚酯纤维具有如下效果：储热和保温效果提高了+3℃或更多(基于灯泡实验)，储热和保温功能持续了10分钟或更多(基于灯泡实验)，实现了95％或更高的长纤维纱线制造加工性能，并且实现了95％或更高的染色M％。
热能存储隔热聚酯纤维及其制造方法

[发明专利]磁存储器和制造磁存储器的方法-CN201480076776.X有效
发明人：园田康幸;中山昌彦;李敏硕;吉川将寿;杉浦邦晃;黄智焕 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。
磁存储器制造方法

[发明专利]多功能聚酯纤维的制备方法和由此制备的多功能聚酯纤维-CN201380057102.0有效
发明人：吴圣镇;李敏硕;吴龙运 -专利权人：株式会社晓星;株式会社纳米视觉科技
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： D01D5/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产多功能聚酯纤维的方法以及由所述方法生产的纤维，该方法包括：将含有铯钨氧化物基颗粒的聚酯母料切片与普通聚酯切片混合；纺丝所述混合物以形成纺成纤维；以及使用具有旋转流出淬火单元和喷嘴升温加热器的冷却装置冷却所述纺成纤维。根据本发明的多功能聚酯纤维展现出优异的远红外发射性能、储热/隔热性能、纺丝加工性能和可染性。
多功能聚酯纤维制备方法由此

[发明专利]制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法-CN200710198777.3无效
发明人： 李敏硕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供了制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法和系统。通过隔离沟槽均匀地形成掩埋位线区。通过控制隔离物的厚度调节隔离沟槽的宽度。因此，和典型的掩埋位线相比，本发明掩埋位线的面积相对大。改进了所述掩埋位线的电阻特性，并确保了所述半导体器件的稳定性和可靠性。
制造具有垂直沟道晶体管半导体器件方法

[发明专利]制造具有垂直沟道的半导体器件的方法-CN200710308384.3无效
发明人： 李敏硕;李洪求 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造具有垂直沟道的半导体器件的方法，包括：提供在其上形成有硬掩模图案的衬底；使用硬掩模图案在衬底上形成柱状物，从而形成所得结构；在所得结构上形成绝缘层；平坦化硬掩模图案和绝缘层，直到暴露柱状物；以及在所述暴露的柱状物上形成存储电极。
制造具有垂直沟道半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710306327.1无效
发明人： 李敏硕;金原圭 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体的方法，该方法包括：在衬底上形成栅极图案；在所述栅极图案之间的衬底中形成凹陷，由此形成包含所述凹陷的第一所得结构；在包含所述栅极图案的所述第一所得结构的整个表面上形成栅极间隔物层；蚀刻所述凹陷底部的栅极间隔物层；和在所述凹陷上形成栓塞，由此形成包含所述栓塞的第二所得结构。
半导体器件制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200810090415.7无效
发明人： 李敏硕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：形成多个柱状物，所述多个柱状物在第一方向上和与所述第一方向相交的第二方向上排列在衬底上，由此形成所得结构；在包括所述柱状物的所得结构上形成覆盖层；去除形成在所述柱状物之间的衬底上的覆盖层以暴露出所述柱状物之间的衬底，由此形成所得结构；在所得结构上形成金属层；通过对所述金属层施加第一热处理在所述柱状物之间的暴露的衬底上形成硅化物层；去除未反应的硅化物层；和在位于在所述第一方向上排列的各柱状物列之间和所述硅化物层之下的衬底中形成隔离沟槽，以限定围绕所述柱状物并在第一方向延伸的位线。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710308388.1无效
发明人： 李敏硕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成至少一个栅极图案；在栅极图案和衬底上形成第一绝缘层；在第一区域中蚀刻第一绝缘层，以在第一区域中形成至少一个栅极侧壁间隔物；在衬底结构上形成第二绝缘层；在第二区域中蚀刻第二绝缘层至预度厚度；在衬底结构上形成绝缘结构；以及在第二区域中蚀刻绝缘结构、蚀刻的第一绝缘层和第二绝缘层以形成接触孔。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件中定位塞接触的方法-CN200710182038.5无效
发明人： 李敏硕;李在煐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件中定位塞接触的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在包括多个图案的半成品衬底上形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上形成绝缘层；平坦化所述绝缘层；使部分平坦化的绝缘层凹陷；在所述凹陷和平坦化的绝缘层上形成硬掩模图案；蚀刻所述凹陷的绝缘层以形成接触孔；蚀刻在所述接触孔的底部上形成的蚀刻阻挡层；以及在接触孔中形成接触塞。
制造半导体器件定位接触方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710161535.7无效
发明人：李圣权;李敏硕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一图案；在所述第一图案上形成基于氧化物的层；在所述基于氧化物的层上形成硬掩模层；在第一衬底温度下蚀刻所述硬掩模层；和蚀刻所述基于氧化物的层以形成第二图案，其中在大于所述第一衬底温度的第二衬底温度下，使用含有氟(F)和碳(C)的气体作为主蚀刻气体来蚀刻所述基于氧化物的层。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于在半导体器件中形成接触孔的方法-CN200610083376.9无效
发明人： 李敏硕;李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种用于在半导体器件中形成接触孔的方法。用于在半导体器件中形成接触孔的方法包括：在底结构之上形成绝缘层；在绝缘层之上形成硬掩模图案；使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘层的一部分以形成开口；在硬掩模图案和通过蚀刻而图案化的绝缘层的侧壁之上形成间隔物；蚀刻绝缘层的剩余部分以形成暴露底结构一部分的接触孔；以及去除间隔物和硬掩模图案。
用于半导体器件形成接触方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410088679.0无效
发明人： 李敏硕;李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-11-15 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明关于一种能够防止导电结构的硬屏蔽层，在自对准接触蚀刻制程期间受到损伤的半导体装置的制造方法。该方法包含下列步骤：在基板上形成包含导电层和硬屏蔽层的多个导电结构；在多个导电结构上，依序形成第一氮化物层、氧化物层、第二氮化物层、和蚀刻停止层；在蚀刻停止层上，形成层间绝缘层；及执行选择性蚀刻层间绝缘层、蚀刻停止层、第二氮化物层和氧化物层的自对准接触(SAC)蚀刻制程，直到SAC蚀刻制程停止在第一氮化物层，因此形成曝露第一氮化物层的接触孔。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造具有细微图案的半导体装置的方法-CN200410086522.4有效
发明人： 李敏硕;郑台愚;李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法。具体地说，先平坦化形成在提供导电结构的基板结构上的层间绝缘层和蚀刻停止层。然后，使用光刻胶图案和抗反射涂层作为掩模，形成氮化物系材料制成的硬式掩模。在硬式掩模形成之后，移除光刻胶图案和抗反射涂层。接着，使用硬式掩模作为蚀刻掩模，进行SAC蚀刻过程以蚀刻层间绝缘层，从而得到暴露位在导电结构之间的蚀刻停止层的接触孔洞。通过使用全回蚀刻方法移除暴露的蚀刻停止层，之后应用清洗过程。
用于制造具有细微图案半导体装置方法

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