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[发明专利]一种用于LED芯片固体蜡清洗的组合物-CN202210757787.0有效
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本发明属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于LED领域的化学品制剂，用于LED芯片固体蜡清洗的组合物。包括15‑20%的松香基咪唑啉非离子表面活性剂，2.5‑3%的渗透剂，8‑10%的乳化剂，1.5‑2%的螯合剂，8‑10%的有机助剂，余量为高纯水。本发明通过松香基咪唑啉非离子表面活性剂与渗透剂和乳化剂混配，可以使固体蜡快速乳化溶解，并且对金属电极材料有保护作用，解决了市面上水基型产品对金属电极的腐蚀问题，且易清洗无残留。
一种用于 led 芯片固体清洗组合

[发明专利]一种无腐蚀性的LiF清洗剂及其制备方法-CN202210865028.6有效
发明人：刘小勇;邱小真;房龙翔;李丛香;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C11D1/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种无腐蚀性的LiF清洗剂，该清洗剂是由无机碱、螯合剂、有机助剂、表面活性剂及高纯水组成。本发明通过特定的乙二醇基曼尼希碱表面活性剂与无机强碱混配，能提高对锂盐的溶解度，有效解决现有OLED掩膜版及坩埚清洗效率低、对锂盐溶解性差及易造成腐蚀等问题，且其易清洗无残留，具有良好应用前景。
一种腐蚀性 lif 洗剂及其制备方法

[发明专利]一种用于切割后电池铝壳清洗的组合物-CN202310555973.0在审
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C11D1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于切割后新能源电池铝壳表面污染物清洗的组合物，属于新能源电池制造领域。按质量百分数之和为100%计，所述组合物包括5‑10%的阴离子长链脂肪酸磷酸酯钠盐聚醚表面活性剂、3‑7%的分散剂、5‑15%的无机碱、5‑10%的螯合剂，余量为高纯水。本发明通过将阴离子长链脂肪酸磷酸酯钠盐聚醚表面活性剂与无机碱、分散剂、螯合剂的混配，可以高效去除电池铝壳在冲压、切割过程中残留的拉伸油、铝粉等污染物，并且对壳体不腐蚀不氧化，其易清洗、不残留，解决了市面上电池铝壳清洗存在的腐蚀氧化及产品良率不高的问题。
一种用于切割电池清洗组合

[发明专利]一种用于蓝宝石衬底片抛光后的清洗组合物-CN202310050491.X在审
发明人：刘小勇;吴远超;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生;李丛香;江艺玲 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C11D1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于蓝宝石衬底片抛光后的清洗组合物，按质量百分数之和为100%计，所述清洗组合物由以下质量百分数的原料制成：无机碱3‑15%、Gemini型聚醚磷酸盐表面活性剂1‑10%、渗透剂1‑5%、分散剂1‑8%，余量为水。本发明使用特定Gemini型聚醚磷酸盐表面活性剂的清洗组合物具有良好的除蜡、螯合、净洗、润湿、分散等作用，可以一次性对蓝宝石衬底片研磨抛光后残留的表面颗粒、蜡垢、灰尘等有机污染物进行有效去除，并且能解决业界存在的因“水合层”残留导致的难清洗问题，具有产品浓缩度高、清洗效果好、清洗良率高、使用寿命长、对环境友好等优点。
一种用于蓝宝石衬底抛光清洗组合

[发明专利]一种芯片切割清洗剂组合物-CN202211387392.2在审
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C11D3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片切割清洗剂组合物，属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于半导体领域的化学品制剂。质量百分数之和为100%计，包括1‑5%的氧化胺双子表面活性剂A，5‑10%的有机溶剂，1‑5%的分散剂，0.5‑2%的螯合剂，0.01‑0.1%的pH调节剂，余量为高纯水。本发明通过氧化胺双子表面活性剂与有机溶剂、螯合剂和分散剂混配，可以将芯片切割过程中产生的硅粉清洗干净，通过氧化胺的特殊结构对金属层起到保护作用，并能冷却切割刀和芯片摩擦产生的热量，且易清洗无残留。
一种芯片切割洗剂组合

[发明专利]一种用于IPM封装的半水基型助焊剂清洗剂-CN202310030020.2在审
发明人：刘小勇;叶鑫煌;房龙翔;肖小江;刘文生;李丛香 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C11D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于IPM封装的半水基型助焊剂清洗剂，属于半导体清洗剂领域。该半水基型助焊剂清洗剂所用原料及其所占重量百分比为：35‑60%的醇醚溶剂、1‑5%的有机胺、5‑20%的松香基抗氧化表面活性剂、2‑10%的增溶剂、40‑60%的去离子水，其重量百分比之和为100%。本发明半水基型助焊剂清洗剂通过采用松香基抗氧化表面活性剂，在对半导体电子器件上的助焊剂、焊锡膏、细小颗粒起到显著清洗效果的同时，可维持焊点的光亮，表面绝缘性能好，还可以有效防止IPM模组金属表面发生氧化，使该清洗剂尤其适用于半导体芯片、芯片型电容器及电路基板在焊接过程的污染物清洗。
一种用于 ipm 封装半水基型助焊剂洗剂

[发明专利]一种用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料清洗的组合物-CN202110771869.6有效
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C11D1/88 文献下载
摘要：本发明属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于OLED掩膜版及坩埚表面LiF材料清洗的组合物，按质量百分数之和为100%计，包括0.1‑5%的特定的乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂，5‑20%无机强碱性物质，0.5‑20%有机助剂，0.1‑5%螯合剂，余量为高纯水。本发明通过特定的乙二醇基Gemini型两性离子表面活性剂与无机强碱混配，可以快速并有效去除蒸镀工艺中掩膜版及蒸镀设备坩埚上附着的LiF电极材料，大大提高了锂盐的溶解度，解决了市面上产品存在的沉淀问题，且易清洗无残留。
一种用于 oled 掩膜版坩埚表面 lif 材料清洗组合

[发明专利]一种用于半导体芯片固体蜡清洗的组合物-CN202111060555.1有效
发明人：刘小勇;李丛香;邱小真;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生;黄晓莉;张梦雪 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C11D1/34 文献下载
摘要：本发明属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于半导体芯片固体蜡清洗的组合物，包括阴离子松香基磷酸酯钠盐聚醚表面活性剂，高效渗透剂，乳化剂，螯合剂，有机助剂和高纯水。本发明通过阴离子松香基磷酸酯钠盐聚醚表面活性剂与高效渗透剂和乳化剂混配，可以使固体蜡溶胀、破裂脱离芯片表面，并快速乳化溶解，解决了市面上溶剂型产品存在的环保和安全问题，且易清洗无残留。
一种用于半导体芯片固体清洗组合

[发明专利]一种高沉降性能的玻璃切削液-CN202211369189.2在审
发明人：刘小勇;叶鑫煌;房龙翔;肖小江;刘文生;李丛香 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C10M173/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高沉降性能的玻璃切削液，属于玻璃加工技术领域。所述玻璃切削液组分及其重量百分比为：极压添加剂5‑20%、润滑剂10‑20%、防锈剂5‑10%、改性阳离子沉降剂5‑15%、多元醇5‑20%、杀菌剂1‑5%、去离子水40‑70%。本发明高沉降性能的玻璃切削液通过合成制备的改性阳离子沉降剂，快速沉降玻璃粉末、固体微粒、金属离子，絮状沉降物，不悬浮，不结块，减少对光学玻璃表面的划伤，润滑性优良，无毒且不伤皮肤，绿色环保。
一种沉降性能玻璃切削

[发明专利]一种用于CF Rework彩膜工艺中的返工液及其清洗工艺-CN202211535038.X在审
发明人：刘小勇;邱小真;房龙翔;李丛香;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C11D1/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CF Rework彩膜工艺中的返工液及其清洗工艺，该返工液是由无机碱、有机胺、有机助剂、表面活性剂及高纯水组成。本发明的返工液可以有效去除CF工序中玻璃基板上的不良光刻胶，具有一次剥离，光刻胶不回粘，药液稳定性好，使用寿命长等优点，且挥发性小，低泡，易漂洗，对环境无污染。
一种用于 cf rework 工艺中的返工及其清洗

[发明专利]一种用于OLED OPEN-MASK清洗的电解液组合物-CN202210996878.X在审
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C25F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于OLED OPEN‑MASK清洗的电解液组合物，用于清洗OLED OPEN‑MASK表面及蒸镀孔内的灰尘、Partical和油污等污染物。按质量百分比计，所述组合物包含以下组分：5‑10%的无机强碱性物质，1‑5%的无机盐，0.5‑5%的螯合剂，1‑5%的有机溶剂，0.1‑5%的Gemini型两性离子表面活性剂A，余量为水。本发明通过Gemini型两性离子表面活性剂A与无机强碱、无机盐等的混配，显著提高溶液的电导率，增强电解能力，可以有效去除OPEN‑MASK表面及蒸镀空内的污染物，同时对掩膜版具有优异的缓蚀效果，在碱溶液中能保证掩膜版不被腐蚀，易于漂洗，无残留。
一种用于 oled open mask 清洗电解液组合

[发明专利]一种用于MASK掩膜板的中性金属清洗剂-CN202210996884.5在审
发明人：刘小勇;叶鑫煌;房龙翔;肖小江;刘文生;李丛香 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23G1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于MASK掩膜板的中性金属清洗剂，属于OLED清洗剂技术领域。所述中性金属清洗剂组分及其重量百分比为：5‑30%氧化剂、10‑20%无机盐、5‑15%聚合物重金属螯合剂、1‑10%pH调节剂、5‑15%表面活性剂、55‑75%去离子水。本发明中性金属清洗剂通过采用合成制备的聚合物重金属螯合剂，对银、镱等重金属具有很强的螯合能力，可以有效提高清洗效率和净洗效果。该清洗剂组分相容性好，气味小，对环境友好，无腐蚀性，不会对MASK掩膜板造成损伤。
一种用于 mask 掩膜板中性金属洗剂

[发明专利]一种用于OLED掩膜版表面阴极材料LiF清洗的组合物-CN202210759071.4在审
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌;肖小江;刘文生 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23G1/18 文献下载
摘要：本发明属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于OLED领域的化学品制剂，用于OLED掩膜版表面阴极材料LiF的清洗。包括0.5‑5%的乙二醇基咪唑啉Gemini型非离子表面活性剂，0.5‑2%的高效渗透剂，5‑20%无机强碱性物质，0.5‑20%有机助剂，0.1‑5%螯合剂，余量为高纯水。本发明通过乙二醇基咪唑啉Gemini型非离子表面活性剂与无机强碱混配，可以快速去除蒸镀工艺中掩膜版表面附着的阴极材料LiF，提高锂盐的溶解度，解决市面上产品存在的对掩膜版腐蚀的问题，易清洗无残留。
一种用于 oled 掩膜版表面阴极材料 lif 清洗组合

[发明专利]一种用于OLED掩膜版及坩埚清洗的组合物-CN202110262786.4有效
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔;叶鑫煌 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于OLED掩膜版及坩埚清洗的组合物，属于湿电子化学品领域，其所含各组分按质量百分数计为：无机强碱性物质5‑20%、有机碱0.5‑15%、有机助剂0.1‑50%、螯合剂0.1‑10%、PEG‑Gemini型非离子表面活性剂0.01‑10%、余量为水。本发明所得组合物能快速并有效的清洗去除蒸镀工艺中掩膜版及蒸镀设备坩埚上附着的氟化锂电极材料，且易清洗无残留，可有效提高清洗效率。
一种用于 oled 掩膜版坩埚清洗组合

[发明专利]一种CF工序光刻胶返工液组合物-CN202010592608.3有效
发明人：刘小勇;李丛香;房龙翔 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种CF工序光刻胶返工液组合物，属于湿电子化学品领域。按质量百分比计，所述组合物包含以下组分：0.5‑40%的无机碱性物质，0.5‑45%的有机胺，0.1‑50%的质子性极性有机溶剂，0.1‑50%的非质子极性有机溶剂，0.1‑30%的环状醇类化合物，0.01‑10%的化学式A‑Gemini型表面活性剂，其余量为水。本发明的组合物可以有效去除CF工序中玻璃基板上的不良光刻胶，具有剥离性能强，剥离时间短，操作温度低等优点，且不会对基板玻璃造成腐蚀，对光刻胶的分散性好，可以最大程度的降低滤芯的堵塞情况，并且挥发性小，低泡，易漂洗，对环境无污染。
一种 cf 工序光刻返工组合

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