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[发明专利]半导体存储装置-CN201910743609.0有效
发明人：野吕宽洋;越智悠介;杉本贵宏;金川直晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种能提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，本发明的半导体存储装置具备：主数据总线(MDB)，包含能在具有多个存储单元的存储单元阵列与串行/并行转换电路(12)之间分别并列传输数据信号的第1及第2数据线(200)；第1及第2中继缓冲器电路(19)，设置在第1数据线；及第3中继缓冲器电路(19)，设置在第2数据线(200)。主数据总线包含第1配线部，该第1配线部是沿着第1方向而设置，第1及第2缓冲器相互分隔而设置在第1配线部中的第1数据线，第3缓冲器设置在第1配线部中的第2数据线，第1至第3缓冲器的沿着第1方向的位置互不相同。
半导体存储装置

[发明专利]半导体集成电路-CN202210965450.9在审
发明人： 杉本贵宏 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种减少传送线路的消耗电流的半导体集成电路。本发明的半导体集成电路具备：第1电路，具有电平移位晶体管；传送线路，传输从第1电路输出的信号；第2电路，被输入在传送线路传输的信号；及保护电路，连接于传送线路。第1电路连接于被供给第1电压的电源线，将具有比第1电压降低相当于电平移位晶体管的阈值电压的电压的振幅的信号输出到传送线路。保护电路在传送线路的电压上升到特定的设定电压的情况下，使电流从传送线路流出。
半导体集成电路