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[发明专利]基板处理腔室和半导体处理系统-CN201711262383.X有效
发明人：梁奇伟;X·陈;祝基恩;D·卢博米尔斯基;朴书南;J-G·杨;S·文卡特拉马;T·特兰;K·欣克利;S·加格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。
处理半导体系统

[发明专利]气体分配组合件-CN201380048676.1有效
发明人：梁奇伟;X·陈;祝基恩;D·卢博米尔斯基;朴书南;J-G·杨;S·文卡特拉马;T·特兰;K·欣克利;S·加格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。
处理设备中的化学物质控制特征

[发明专利]用以改良控制的利用直流电辅助射频功率的半导体处理-CN201380041015.6有效
发明人： J-G·杨;X·陈;朴书南;白宗薰;S·加格;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。
用以改良控制利用直流电辅助射频功率半导体处理

[发明专利]用于填充介电质间隙的处理室-CN200780020050.4无效
发明人： D·卢博米尔斯基;梁奇伟;朴书南;祝基恩;叶怡利 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：本发明是揭露一种用于自介电前体的等离子而在基材上形成介电层的系统(100)。该系统(100)包括：一沉积室(201)；一位于沉积室(201)中以支托基材的基材座；以及一耦合至沉积室(201)的远程等离子产生系统，其中该等离子产生系统是用以产生包括一或多种反应性自由基的一介电前体。该系统(700)亦包括一前体分配系统(700)，包括位于该基材座上方的双通道喷洒头(700)。喷洒头(700)具有面板(802)，面板(802)包括第一组开孔(804)，反应性自由基介电前体通过第一组开孔(804)进入沉积室(201)，面板(802)还包括第二组开孔(806)，第二介电前体通过第二组开孔(806)进入沉积室(201)。亦可包括一原位(in-situ)等离子产生系统，以在沉积室(201)中由供应至沉积室(201)的介电前体而产生等离子。
用于填充介电质间隙处理

[发明专利]用于半导体工艺腔室的烟气挡板及分布器-CN200710187197.4无效
发明人： 朴书南;阿麦德·法尔汉;马哈拉·P·荷蒙特;卡马斯·桑杰;李永S;路四清 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了在半导体工艺腔室中分布气体的设备和方法。在本发明的一个实施方式中，在气体工艺腔室中使用的气体分布器包括主体。该主体包括具有气体偏转表面的挡板以使气流从第一方向转向第二方向。气体偏转表面包括凹入表面。该凹入表面至少包括气体偏转表面的表面区域的约75％。凹入表面充分地将气体朝向腔室壁偏转并减小来自挡板的金属原子的污染，从而可以减小时效处理时间。
用于半导体工艺烟气挡板分布