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- [发明专利]聚乳酸系膜-CN201280009441.7有效
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山村刚平;坂本纯;末冈雅则;广田真之
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东丽株式会社
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2012-01-24
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2013-11-06
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C08L67/04
- 本发明要解决的课题是,提供柔软性、耐热性、耐析出性、耐久性优异、且为了表现良好的透湿度而进行的拉伸、压花等的加工性优异的聚乳酸系膜。因而提供了一种聚乳酸系膜,其特征在于,是由组合物形成的膜,所述组合物含有聚乳酸系树脂作为树脂(A)、含有聚乳酸系树脂以外的热塑性树脂作为树脂(B)、含有被表面处理剂处理过的化合物作为填充剂(C),所述聚乳酸系树脂含有结晶性聚乳酸系树脂和非晶性聚乳酸系树脂,在树脂(A)和树脂(B)的合计100质量%中,含有树脂(A)10~95质量%、树脂(B)5~90质量%,并且相对于树脂(A)和树脂(B)的合计100质量份,含有填充剂(C)10~400质量份。
- 乳酸
- [发明专利]多孔性膜-CN201180039727.5有效
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山村刚平;坂本纯;末冈雅则;新沼馆浩
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东丽株式会社
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2011-08-10
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2013-05-08
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C08J9/00
- 本发明涉及一种多孔性膜,其为包含聚乳酸系树脂(A)、聚乳酸系树脂以外的热塑性树脂(B)和填充剂(C)的多孔性膜,在树脂(A)和树脂(B)的合计100质量%中,树脂(A)的含量为10~95质量%,树脂(B)的含量为5~90质量%,相对于树脂(A)和树脂(B)的合计100质量份,包含填充剂(C)1~400质量份,并且,孔隙率为1~80%。本发明提供柔软性、透湿性、耐热性和耐渗出性优异的聚乳酸系多孔性膜。
- 多孔
- [发明专利]薄膜和使用该薄膜的磁记录介质-CN200480033366.3有效
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末冈雅则;佃明光
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东丽株式会社
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2004-11-11
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2006-12-13
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B29C55/14
- 本发明提供一种薄膜,其特征在于,在180℃、无张力下进行热处理30分钟时的宽度方向的热收缩率为1.0~2.5%,在将长度方向和宽度方向的热膨胀系数分别记作αMD(×10-6/℃)、αTD(×10-6/℃)、长度方向和宽度方向的湿度膨胀系数分别记作βMD(×10-6/%RH)、βTD(×10-6/%RH)时,同时满足下式(1)~(4),还提供一种使用了该薄膜的磁记录介质。本发明的薄膜,通过将由温度、湿度导致的尺寸变化规定在特定的范围内,可以使形成磁记录介质时的尺寸变化,以及长度方向与宽度方向的尺寸变化的差变得极小。-10≤αMD≤10 (1);αMD-10≤αTD≤αMD-3 (2);-10≤βMD≤10 (3);βMD-10≤βTD≤βMD-3 (4)。
- 薄膜使用记录介质
- [发明专利]磁性记录介质-CN01101686.8有效
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末冈雅则;佃明光;伊藤伸明
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东丽株式会社
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2001-01-18
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2001-08-15
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G11B5/62
- 磁记录介质,以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数Na(10)(个/mm2)、50nm以上的突起数Na(50)(个/mm2)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数Na(10)’(个/mm2)满足2×104≤Na(10)≤2×107、0≤Na(50)≤5×104、-0.9≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体,磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录、读出可信度高,可计算机数据记录用。
- 磁性记录介质
- [发明专利]芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜和用其制作的磁记录介质-CN97110247.3无效
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筑木稔博;末冈雅则;伊藤伸明
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东丽株式会社
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1997-02-27
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2001-06-06
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C08J5/18
- 本发明提供移行性和耐擦痕性优良的、作为磁记录介质时的S/N之比良好的薄膜。$一种以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺为主成分、并在该成分中含有粒子的薄膜,在该膜的至少一面,粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax,比dmax深从表面到1μm的范围内的粒子浓度显示最小值或极小值的深度作为dmin,比dmax深粒子浓度分布曲线的1次微分值显示负的变曲点的深度作为d”,在各深度的粒子浓度作为ρ(d)时,要满足下式$10nm≤dmax≤300nm(1)$3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100(2)$或者$10nm≤dmax≤300nm(3)$3≤ρ(dmax)/ρ(d”)≤100(4)$ρ(dmax)/ρ(dmin)>100(5)$作为其特征的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜。
- 聚酰胺聚酰亚胺薄膜制作记录介质
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