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[发明专利]数模转换器、不良位数检测器及非易失性半导体存储装置-CN201910757229.2有效
发明人： 木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03M1/82 文献下载
摘要：本发明于使用切换电容器电路的数模(DA)转换器中，补偿偏移电压VOFST。本发明是一种由包括包含输入电路的第一差动放大器的切换电容器电路构成，将多个输入数字电压DA转换成模拟电压的并联积分型DA转换器，包括第二差动放大器的偏移消除电路于采样期间内，在第二差动放大器的反馈电路已短路的状态下，将第一差动放大器的输出电压输入第一电容器的第一端，另将基准电压从第二差动放大器的输出反馈至第一电容器的第二端与第二差动放大器的反相输入端子中，于保持期间内，在第二差动放大器的反馈电路未短路的状态下，将第一差动放大器的输出电压与基准电压的差电压经由第二电容器而输入第一差动放大器的反相输入端子中。
数模转换器不良位数检测器非易失性半导体存储装置

[发明专利]存储器的故障位计数电路及其方法-CN202111253489.X在审
发明人： 木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种存储器阵列的故障位计数电路，其中存储器阵列包括多个页面，多个页面中的每一个包括多个扇区和一冗余列。各页面的故障位计数电路包括：多个故障位计数单元，多个故障位计数单元中的每一个分别耦接至各扇区中，以提供故障位计数电流；冗余故障位计数单元，耦接冗余列并提供冗余电流；开关，具有第一端和第二端，其中开关被切换以耦合至多个故障位计数单元的输出之一，以接收来自多个故障位计数单元之一的故障位计数电流；及比较器，具有第一输入端、第二输入端与输出端，其中第一输入端接收参考电流，第二输入端接收故障测量电流和冗余电流相加得到的测量电流，且比较器通过比较参考电流和故障测量电流，使输出端输出判断信号，以指示各扇区的故障位的数量。
存储器故障计数电路及其方法

[发明专利]升压时钟产生器-CN202110993701.X在审
发明人： 木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明为一种升压时钟产生器，其包括第一升压单元，耦接到电源电压并接收通过将时钟信号反相产生的反相时钟信号，并产生双倍时钟信号；第二升压单元，耦接第一升压单元，以接收双倍时钟信号，并且还包括第三升压单元，第二升压单元与第三升压单元耦接电源电压。第三升压单元基于时钟信号和反相时钟信号进行操作，使得第二升压单元与第三升压单元一起操作，以将双倍时钟信号升压为三倍时钟信号。
升压时钟产生器

[发明专利]电流电压转换电路、基准电压产生电路及半导体存储装置-CN201910444948.9有效
发明人： 木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明可在比先前技术小的布局区域内供给稳定的基准电压。电流电压转换电路包括：第一电流镜电路，包含一对第一MOS晶体管与第二MOS晶体管及输出电阻；以及耗尽型N通道MOS晶体管，插入在被输入的第一电压与所述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管之间，且具有被反馈来自所述输出电阻的输出电压的栅极；且当已将基准电流输入所述第一MOS晶体管中时，藉由流入所述第二MOS晶体管及输出电阻中的与所述基准电流对应的电流来产生输出电压。另外，基准电压产生电路包括所述电流电压转换电路，将所述电流电压转换电路的输出电压作为基准电压而输出。
电流电压转换电路基准产生半导体存储装置

[发明专利]页缓冲电路与非易失性存储装置-CN201910723047.3有效
发明人： 木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种页缓冲电路与非易失性存储装置，能够提升数据读出的电压精确度等特性。页缓冲电路包括锁存电路。当经由位线将数据写入至存储器胞或从存储器胞读出数据时，该锁存电路暂时性地存储数据。页缓冲电路配置为使用切换式电容电路。
缓冲电路非易失性存储装置

[发明专利]电源开关控制电路及其控制方法-CN201910752402.X有效
发明人： 木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种电源开关控制电路及其控制方法，包括比较器(13)比较接点电压经分压后的分压电压(Vdiv1)及参考电压(Vref1)以输出电压(VCCOK)，比较器(23)比较低电压经分压后的分压电压(Vdiv2)及参考电压(Vref2)以输出电压(VDDOK)。具有计时电路(11)的启动电路(2)在电源开关控制电路被启动后将启动电路启动参考电压产生电路(12)，然后启动比较器(13)。在比较器(13)被启动后，控制器(30)会在电压(VCCOK)在H电平时将启动降压转换器(4)，且在电压(VCCOK)在L电平时开启MOS晶体管(Q1)。具有计时电路(21)的启动电路(3)在降压转换器(4)被启动后将启动参考电压产生电路(22)，然后启动比较器(23)。在比较器(23)被启动后控制器(30)将进入待机状态。
电源开关控制电路及其控制方法

[发明专利]电压产生电路及调节器电路-CN201510524919.5有效
发明人：荒川秀贵;木谷朋文 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及电压产生电路、调节器电路及半导体存储装置。该电压产生电路包括：电荷泵电路，进行升压至比电源电压高的高电压；以及输出电压控制电路，以使经升压的上述高电压变成规定目标电压的方式进行控制，上述输出电压控制电路包括至少2个无偏移比较器电路、或至少1个无偏移比较器电路及至少1个差动放大器，上述无偏移比较器电路包括：耦合电容器，输入与上述高电压对应的电压；差动放大器，将来自上述耦合电容器的电压与规定的参考电压进行比较，并将比较结果电压输出至上述电荷泵电路；以及多个开关，分别连接于上述差动放大器，用以消除上述差动放大器的偏移。
电压产生电路调节器半导体存储装置

[发明专利]负基准电压产生电路-CN201510534068.2有效
发明人：荒川秀贵;木谷朋文 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种负基准电压产生电路，与现有技术相比，可高精度地产生负基准电压，且电路结构简单。负基准电压产生电路包括开关电容器电路，具备连接第1及第2节点的电容器、连接第1节点的第1及第2开关、及连接第2节点的第3及第4开关；控制电路，产生第1至第4控制信号，以分别控制第1～第4开关。控制电路于第1期间对第1节点施加规定的正基准电压，以对电容器充电，在异于第1期间的第2期间，在第2期间基于对电容器充电的电压，自第2节点输出负电压，并通过重复第1及第2期间，自第2节点输出正基准电压的反转负电压做为负基准电压。
基准电压产生电路

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