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[发明专利]低功耗锁相环电路-CN201010229353.0有效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;曹永峰;唐逸 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明的低功耗锁相环电路包括鉴频鉴相器、环路滤波器、电荷泵、压控振荡器、分频器、信号检测电路和动态开关，所述鉴频鉴相器与所述电荷泵连接，所述电荷泵通过所述动态开关与所述环路滤波器连接，所述环路滤波器与所述压控振荡器连接，所述分频器的输入端与压控振荡器的输出端连接，所述分频器的输出端与所述鉴频鉴相器的一输入端连接，所述鉴频鉴相器的另一输入端连接外部参考信息，所述信号检测电路通过检测外部参考信息控制所述动态开关的通断，实现所述鉴频鉴相器与环路滤波器之间通路的接通与断开。本发明的低功耗锁相环电路提高了锁相环电路的工作效率，降低了锁相环电路的功耗。
功耗锁相环电路

[实用新型]一种锁相环频率综合器-CN200920214891.5有效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;曹永峰;何波;徐利锋 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锁相环频率综合器，采用多个工作在不同频段的压控振荡器，通过频段自动切换模块使得在不同的工作频率下有且只有相应频段的一个压控振荡器处于正常工作状态，并使用选择器选择该正常工作的压控振荡器的输出信号作为频率综合器的输出信号，从而在不同频段使用不同的压控振荡器进行频率综合，进而实现了低抖动、宽频率范围输出的频率综合器。
一种锁相环频率综合

[发明专利]一种D型触发器单元以及具有D型触发器单元的分频器-CN201010187388.2无效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;曹永峰;顾学强;王勇 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种D型触发器单元包括：第一两输入与非门、第二两输入与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器、以及第一D型触发器。本发明还提供了一种具有D型触发器单元的分频器，能够通过一组N位两进制数字信号M输入分频数，将其输入频率除以M+1，以生成输出频率。该具有D型触发器单元的分频器包括：N个级联的D型触发器单元，逻辑门电路以及内部复位电路。该D型触发器单元能用更少的器件实现较为复杂的电路，减少电路复杂程度和流片使用面积。该多位可编程、模块化的分频器能够实现从1到2N范围内的任意一个整数分频的，能够满足射频电路高速、结构简单的需求。
一种触发器单元以及具有分频器

[实用新型]片上中心抽头差分电感-CN200920076499.9有效
发明人：王勇;叶红波;任铮;胡少坚;朱建军;周伟;曹永峰;周炜捷;陈寿面;赵宇航 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01F29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种片上中心抽头差分电感，所述差分电感由绕线线圈、绕线线圈交叠区以及由绕线线圈末端引出的中心抽头组成，所述绕线线圈交叠区和中心抽头制作在同一金属层中，所述绕线线圈制作在另一金属层中，所述中心抽头呈“M”型或“T”型结构，所述中心抽头的引出线两端与地线连接，所述绕线线圈呈多边形或者圆形。与现有的中心抽头差分电感相比，本实用新型的片上中心抽头差分电感的中心抽头与绕线线圈交叠区处于同一金属层中，使得片上差分电感只需要两层金属即可完成片上中心抽头差分电感的制作，因此在获得相同性能的片上中心抽头差分电感情况下，相对于现有的三层金属的片上中心抽头差分电感，减少了一层金属层的工艺制作，从而极大地降低工艺制作成本，且具有广泛的应用价值。
中心抽头电感

[实用新型]锁相环电路-CN200920076165.1有效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;唐逸;王勇;曹永峰;叶红波 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锁相环电路。该锁相环电路包括依次连接的鉴频鉴相器、电荷泵、电流镜电路、环路滤波器、压控振荡器、分频器。该电流镜电路，用于接收并调整该电荷泵输出的控制电流，该环路滤波器过滤该调整后的控制电流产生该控制电压。本实用新型的锁相环电路通过该电流镜电路调整该锁相环电路的环路带宽和阻尼系数，从而提高了该锁相环电路的稳定性。
锁相环电路

[发明专利]用于ESD防护的MOS器件的形成方法-CN200910247747.6有效
发明人：俞柳江;王全;曹永峰;周伟;顾学强;肖慧敏;陈立山 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于ESD防护的MOS器件的形成方法，通过与该MOS器件类型相反的另一MOS器件的源/漏区的离子注入工艺，对形成该MOS器件的镇流电阻的区域进行反向注入，从而最终降低该区域的离子注入浓度，进而在不增加工艺步骤的基础上增加了该MOS器件的镇流电阻的阻值。另外，由于镇流电阻的阻值增大，在需要相同ESD防护性能的MOS器件时，可以减小其漏区与栅极之间的间隔，从而减小MOS器件的尺寸，降低成本。
用于 esd 防护 mos 器件形成方法

[实用新型]一种振动装置-CN200920177303.5无效
发明人：卞治华;曹永峰 -专利权人：中冶连铸技术工程股份有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： B22D11/053 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种设置有结晶器冷却回水管、结晶器喷淋环进水管和结晶器冷却进水管的振动装置，此外该振动装置还设置有结晶器电磁搅拌器冷却回水管、结晶器电磁搅拌器冷却进水管以及安装面板；其中，所述振动装置通过安装面板与结晶器连接，所述结晶器电磁搅拌器冷却回水管的一端与设置于安装面板上的电磁搅拌器冷却回水孔连通，所述结晶器电磁搅拌器冷却进水管的一端与设置于安装面板上的电磁搅拌器冷却进水孔连通，所述结晶器电磁搅拌器冷却回水管和结晶器电磁搅拌器冷却进水管的另一端分别与外部水管连通。采用本实用新型公开的振动装置，能使结晶器电磁搅拌冷却水直接接入结晶器电磁搅拌器，从而方便安装、拆卸和检修。
一种振动装置

[实用新型]恒定电流产生电路-CN200920208008.1有效
发明人：范红梅;周伟;胡少坚;曹永峰;王勇 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种恒定电流产生电路。该恒定电流产生电路包括：预定电流产生电路；连接该预定电流产生电路的滤波电路；镜像电流产生电路，该镜像电流产生电路包括第一放大器和第一晶体管，该第一晶体管与该预定电流产生电路形成镜像连接，该第一放大器与该第一晶体管电压跟随连接；比例电流产生电路，该比例电流产生电路包括第二放大器、第三放大器、第二晶体管、第三晶体管，该第二放大器与该第二晶体管电压跟随连接，该第三放大器与该第三晶体管电压跟随连接，调整该第二、第三晶体管的宽长比调整该比例电流产生电路的输入输出电流比例。本实用新型恒定电流产生电路具有较好的抗干扰性。
恒定电流产生电路

[实用新型]一种结晶器和包含这种结晶器的连铸机-CN200920177452.1无效
发明人： 曹永峰;熊杰 -专利权人：中冶连铸技术工程股份有限公司
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： B22D11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结晶器，所述结晶器包括结晶器本体和过渡框架，所述结晶器本体与所述过渡框架以可拆分方式连接。所述过渡框架与振动装置以可拆分方式连接。所述过渡框架包括矩形边框、第一支架和第二支架，所述第一支架和第二支架平行设置在所述矩形边框上。所述第一支架和第二支架上分别设有两个连通点，第一介质通路和第二介质通路一端连接所述结晶器本体，另一端分别连接在所述第一支架的两个连通点上；第三介质通路和第四介质通路分别连接在所述第一支架和第二支架的连通点之间。本实用新型还涉及一种连铸机。本实用新型的结晶器本体和过度框架采用可拆分方式连接，极大的降低了设计制造难度，节约成本。
一种结晶器包含这种连铸机

[实用新型]一种预焙铝电解槽加封阳极保温料的装置-CN200920109434.X有效
发明人： 曹永峰;赵连军;丁国臣 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C25C3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种预焙铝电解槽加封阳极保温料的装置，其特征在于该装置是由三块通过折页式连接的可相互开折条形板式结构，在条形板长度方向的两侧顶边上设有固定钩环。本实用新型的装置，有效减少了聚合物包装袋的使用量，降低了原铝的生产成本，每块新极上保温料能够做到定量，厚度均匀，这样电解槽阳极上表面的散热均匀，能有效保证各区域能量平衡，电解槽运行稳定，减少了专门的加封保温料作业，槽间作业时间平均减少，降低了劳动强度，提高了工作效率。
一种预焙铝电解槽加封阳极保温装置

[发明专利]片上中心抽头差分电感-CN200910053246.4无效
发明人：王勇;叶红波;任铮;胡少坚;朱建军;周伟;曹永峰;周炜捷;陈寿面;赵宇航 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01F29/02 文献下载
摘要：本发明公开一种片上中心抽头差分电感，所述差分电感由绕线线圈、绕线线圈交叠区以及由绕线线圈末端引出的中心抽头组成，所述绕线线圈交叠区和中心抽头制作在同一金属层中，所述绕线线圈制作在另一金属层中，所述中心抽头呈“M”型或“T”型结构，所述中心抽头的引出线两端与地线连接，所述绕线线圈呈多边形或者圆形。与现有的中心抽头差分电感相比，本发明的片上中心抽头差分电感的中心抽头与绕线线圈交叠区处于同一金属层中，使得片上差分电感只需要两层金属即可完成片上中心抽头差分电感的制作，因此在获得相同性能的片上中心抽头差分电感情况下，相对于现有的三层金属的片上中心抽头差分电感，减少了一层金属层的工艺制作，从而极大地降低工艺制作成本，且具有广泛的应用价值。
中心抽头电感

[发明专利]一种MOSFET频率特性偏差检测器及检测方法-CN200910055782.8有效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;曹永峰;叶红波 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种MOSFET频率特性偏差检测器及其检测方法。所提供的MOSFET频率特性偏差检测器用以探测集成电路制造过程中由于半导体工艺引起的MOSFET频率特性的波动，其包括参考电荷电路、计数器电路和电压控制振荡器，电压控制振荡器的一端耦接于参考电荷电路，另一端耦接于计数器电路。本发明提供的MOSFET频率特性偏差检测器及其检测方法，对半导体CMOS工艺中不同批次的MOSFET或是同一晶圆中不同位置的相同类型MOSFET，均可得到相应的输出计数，通过对计数数值进行分析与比较，很容易可以得到该半导体工艺中MOSFET频率特性的波动情况。
一种 mosfet 频率特性偏差检测器检测方法

[发明专利]一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法-CN200910055781.3无效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;曹永峰 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法。所提供的集成电路电阻电容工艺参数波动检测器用以探测由特定半导体工艺制成的电阻阻值和电容容值的波动以及该电阻电容所组成RC电路频率特性与理想值间的偏差，其包括参考电荷电路、计数器和比较器，比较器的一端耦接于参考电荷电路，另一端耦接于计数器。本发明提供的集成电路电阻电容工艺参数波动检测器对半导体晶圆中不同位置的相同类型电阻、电容采用本发明中的探测电路得到计数，并用本发明提供的使用方法对计数数值进行分析与比较，便可以准确而高效地得到该半导体工艺中电阻、电容的波动情况。
一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器使用方法

[发明专利]一种预焙铝电解槽的装炉方法-CN200910087744.0无效
发明人： 曹永峰;史志荣;胡清韬 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C25C3/06 文献下载
摘要：一种预焙铝电解槽的装炉方法，涉及一种铝电解过程的电解槽启动时的装炉方法。其特征在于其装炉过程步骤包括：(1)将纯煅后石油焦粒筛选后铺设于石墨阴极之上；(2)安装阳极；(3)边部人造伸腿上铺满氟化钙；(4)选择电解质块作为密封物密封阳极间缝、中缝，再在电解质块上覆盖纸片；(5)用冰晶石覆盖阳极，覆盖层厚度为10-25厘米。本发明的方法，由于没有杂质带入电解质体系中，特别是电解质块和纸片作为密封阳极间缝、中缝的密封材料，装炉过程使用没有富集任何杂质的电解质块与报纸相结合替代钢板、石棉板和硅酸钙板等材料，从而快速恢复新启动电解槽的原铝质量，大大缩短了原铝质量恢复周期降低了电解槽的启动成本，经济效益明显。
一种预焙铝电解槽方法

[发明专利]锁相环电路及其控制方法-CN200910052964.X有效
发明人：任铮;胡少坚;周伟;唐逸;王勇;曹永峰;叶红波 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种锁相环电路及其控制方法。该锁相环电路包括依次连接的鉴频鉴相器、电荷泵、电流镜电路、环路滤波器、环路滤波电阻调整电路、压控振荡器、分频器。该电流镜电路的输入端接收该电荷泵输出的控制电流，并调整该控制电流的大小。该环路滤波电阻调整电路根据该分频器分频数信号，调整该环路滤波器的电阻参数。本发明的锁相环电路通过该电流镜电路和该环路滤波电阻调整电路调整该锁相环电路的环路带宽和阻尼系数，从而提高了该锁相环电路的稳定性。
锁相环电路及其控制方法