“曹昌威”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种高纯铟真空铸锭炉-CN202220325622.1有效
发明人： 曹昌威;唐朝辉 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B22D21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯铟真空铸锭炉，包括炉体，其特征在于，还包括真空系统，所述真空系统包括石英管和旋片泵，所述旋片泵的输出端与石英管连通，所述石英管内安装有料斗和模具，所述模具位于所述料斗下方，所述炉体内设有用于对石英管进行加热的加热组件，所述石英管的上段设有第一温度传感器，所述石英管的下段设有第二温度传感器，所述第一温度传感器和所述第二温度传感器均与温度控制器相连，用于解决铸锭表面氧化严重的问题。
一种高纯真空铸锭

[实用新型]一种三氯化磷连续还原炉装置-CN202121494922.4有效
发明人： 曹昌威;唐朝辉 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及磷提纯技术领域，尤其涉及一种三氯化磷连续还原炉装置，包括加热单元内套设还原单元，冷凝单元与还原单元相连，冷凝单元位于加热单元下方；加热单元包括加热腔，加热腔分为可拆卸连接的第一加热段和第二加热段，还原单元包括还原腔，还原腔内设置开孔挡板，三氯化磷进料口与氢气进气口交叉开设于还原腔的端部，气化段与还原段相邻设置在还原腔内。冷凝单元包括冷凝器，冷凝器周面固定联通有U型分流管，U型分流管内部具有用于冷凝作业的3进2出结构，本实用新型设置3进2出的结构，可以保证在尾气排放并不充分的前提下，保证冷凝的正常进行，且保证冷凝效果时间的高效维持。
一种氯化连续还原装置

[实用新型]一种对EH油系统中的高调门油动机支架进行冷却的装置-CN202122364049.3有效
发明人：郑辉;曾祥鑫;蔡羲兴;曹昌威;李志南;叶子斌 -专利权人：郑辉
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： F01D25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种对EH油系统中的高调门油动机支架进行冷却的装置，包括：散热箱一与高调门油动机支架的一竖直侧壁固定，散热箱一内部分为进水腔一和回水腔一，散热箱一开设有进水口和回水口，进水口与进水腔一位置对应并连通，回水口与回水腔一位置对应并连通；散热箱二与高调门油动机支架的另一竖直侧壁固定，散热箱二内部分为进水腔二和与其连通的回水腔二，进水腔一与进水腔二通过水管一连通，回水腔一与回水腔二通过水管二连通。本实用新型通过在高调门油动机支架上设置散热箱一和散热箱二，该设置保证高调门油动机支架能够被及时地散热，散热效果好并且不改变油动机原有的行程，不改变高调门油动机支架的原有结构。
一种 eh 系统中的调门动机支架进行冷却装置

[发明专利]一种高纯三氯化磷连续还原生产高纯磷工艺方法-CN202110748634.5在审
发明人： 曹昌威;唐朝辉 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C01B25/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯三氯化磷连续还原生产高纯磷工艺方法，涉及磷提纯生产技术领域，其包括：S1.配比阶段需准备高纯度三氯化磷与高纯氢气进行配比，当三氯化磷的纯度为99.99％‑99.99999％时，氢气需用600ml/h至800ml/h的进气量配合；当三氯化磷的纯度大于等于99.999％时，氢气需用300L/h至400L/h的进气量配合；S2.加热气化阶段需用350℃至450℃的温度进行加热气化，用于减少三氯化磷与氢气的反应活化能，生成磷和氯化氢；S3.还原阶段需用850℃至950℃的温度进行，还原产出高纯度磷蒸汽，离开还原阶段；S4.将高纯磷蒸气冷却降温到40℃至80℃形成冷凝液态，将液态化的磷蒸汽流入黄磷储罐储存，得到高纯度磷；S5.循环S2至S4，用于高纯三氯化磷的连续还原反应，保证还原反应连续进行，保证提纯质量。
一种高纯氯化连续还原生产工艺方法

[发明专利]一种还原炉装置-CN202110748632.6在审
发明人：唐朝辉;曹昌威 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C01B25/027 文献下载
摘要：本发明涉及还原生产技术领域，尤其涉及一种还原炉装置。包括加热单元内套设还原单元，冷凝单元与还原单元相连，冷凝单元位于加热单元下方；加热单元包括加热腔，加热腔分为可拆卸连接的第一加热段和第二加热段，还原单元包括还原腔，还原腔内设置开孔挡板，三氯化磷进料口与氢气进气口交叉开设于还原腔的端部，气化段与还原段相邻设置在还原腔内，还原段内用石英材料填充。冷凝单元包括冷凝器，冷凝器周面固定联通有U型分流管，U型分流管内部具有用于冷凝作业的3进2出结构，本发明加热单元设置为上下分离式，实现温度分区控制、便捷出装。
一种还原装置

[发明专利]一种高纯镓粒生产工艺方法-CN202010577215.5有效
发明人： 曹昌威 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B22F9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯镓粒生产工艺方法，包括如下步骤：S1、在去离子水交换水中加入浓盐酸得到冷却剂；将高纯镓原料熔化为液态，并装入滴料瓶；S2、将滴料瓶的滴料口开口淹没置于在冷却剂水面下方内，冷却剂温度为5～15℃，开始滴料，滴料过程中以3～9cm/s速度水平移动滴料瓶，液态高纯镓原料滴入冷却剂后凝固为高纯镓粒；通过调整滴料瓶的滴料口开孔孔径大小，控制制备得到的高纯镓粒的粒径大小；S3、收集高纯镓粒，用10～20℃去离子交换水冲洗高纯镓粒至中性；S4、将冲洗后的高纯镓粒平铺在干燥箱内干燥，干燥温度13～23℃。与现有技术相比，本发明提供的方法利用常见的水作为冷却剂，在常温下制备得到粒径均匀的高纯镓颗粒，制备方法简单。
一种高纯生产工艺方法

[发明专利]一种高纯铟提纯方法-CN202010660255.6有效
发明人： 曹昌威;唐朝辉 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯铟提纯方法，在10‑2Pa真空条件下，将原料铟溶液通过真空负压吸入真空炉下段蒸发区，真空炉下段蒸发区温度为1020～1180℃，真空炉上段精馏塔温度为900～1000℃；原料铟溶液在真空炉下段蒸发区蒸发为铟蒸汽，铟蒸汽在真空炉上段精馏塔冷凝为高纯铟溶液并流出；将流出的高纯铟溶液冷凝至170～230℃，获得高纯铟固体。与现有技术相比，本技术方案提供的高纯铟提纯方法，利用真空环境降低铟溶液的沸点，同时利用较小的汽化和冷凝温差，使真空炉内的环境满足铟的蒸发和冷凝，其他杂质在该条件下难以蒸发或冷凝，以提高获得的高纯铟固体的纯度。
一种高纯提纯方法

[实用新型]一种用于黄磷净化的反应釜-CN202021344591.1有效
发明人： 曹昌威;唐朝辉 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于黄磷净化的反应釜，第一进料导管、第二进料导管的一端伸出至反应釜的外侧，另一端伸入至反应釜内，第一进料导管和第二进料导管内均设置有单向阀组件，单向阀组件能让第一进料导管和第二进料导管内的液体流入反应釜内，第三进料管通过三通组件均与第一进料导管、第二进料导管伸入反应釜的一端固定连接，第三进料管远离三通组件的一端设置有安装座，转轴为一端开口的空腔结构，转轴上设置有若干个与转轴空腔连通的管道，管道上设置有第一通孔，转轴开口的一端安装于安装座内，并且转轴能够沿安装座的轴线转动，反应釜的底部设置有第二通孔，转轴另一端穿过反应釜底部的第二通孔与驱动组件连接。提高黄磷净化的效果。
一种用于黄磷净化反应

[实用新型]一种生产高纯三氯化磷的氯化提纯装置-CN202021344273.5有效
发明人： 曹昌威;唐朝辉 -专利权人：楚雄川至电子材料有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C01B25/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生产高纯三氯化磷的氯化提纯装置，反应釜上设置有黄磷进料口、进气口、泄放口、第一测温口、测压口，第一测温口内设置有测温模块，测压口内设置有测压模块，分散装置设置于反应釜中；精馏提纯柱设置于反应釜的上部，并且与反应釜连通，精馏提纯柱内设置有填料层单元，精馏提纯柱的顶部设置有冷凝器，精馏提纯柱上设置有分流口和第二测温口，第二测温口内设置有测温模块；产品储罐通过分流管与分流口连通；尾气缓冲罐通过第一尾气管与精馏提纯柱顶部连通，尾气缓冲罐内设置有尾气缓冲填料层，尾气缓冲罐顶部设置有与尾气缓冲罐连通的第二尾气管。填料层单元在气液交换过程中实现杂质分离，提高了产品纯度。
一种生产高纯氯化提纯装置

[实用新型]一种高纯硒减压精馏提纯装置-CN201721399063.4有效
发明人： 曹昌威;刘益军;詹科;张程;田庭光 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： B01D3/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高纯硒减压精馏提纯装置，属于高纯材料提纯装置技术领域。所述装置包括原料釜，精馏柱，产品单元，尾气处理单元以及真空单元；所述原料釜上设置有进料口，所述精馏柱内从下到上设置有大直径填料层，中空层以及小直径填料层；所述产品单元包括产品分流管以及产品釜；所述尾气处理单元包括尾气管以及废料收集瓶；所述真空单元包括抽气管以及真空系统，所述抽气管通入废料收集瓶；所述原料釜、大直径填料层、中空层、小直径填料层、产品分流管、产品釜外部设置有加热系统。本实用新型硒减压精馏提纯装置精馏柱设置两段填料层，并带有外置回流管型，可以有效解决现有提纯装置无法有效分离低沸点杂质、生产效率低等技术难题。
提纯装置减压精馏精馏柱原料釜尾气处理单元本实用新型大直径填料产品单元废料收集真空单元直径填料产品釜抽气管分流管高纯硒中空层低沸点杂质高纯材料技术难题加热系统两段填料生产效率外部设置有效分离有效解决真空系统回流管进料口尾气管外置

[发明专利]硫化镉气相合成装置-CN201510489364.5有效
发明人： 曹昌威;詹科;张程;种娜;杨旭;雷聪 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C01G11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化镉气相合成装置，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管，所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接，并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角为0～90°。本发明的硫化镉气相合成装置反应装置具体使得气态硫和气态镉不采用相对的方向进入合成室，从而避免了两股反应气之间的对流并避免了因反应气之间接触不充分而导致的反应不充分、合成率低的问题。本发明通过在合成室中增加挡板组件，使得合成室空间得到了有效减小，同时使得反应相对充分，大大提高了合成率，可达到85～90％。
硫化相合装置

[实用新型]一种高纯磷的蒸馏装置-CN201620945254.5有效
发明人：张双全;曹昌威;段榆忠;黄远坤;田庭光 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯磷的蒸馏装置，所述蒸馏装置包括蒸馏炉、加热单元、冷却循环单元和控制单元，其中，所述蒸馏炉包括从左至右依次连接且互相连通的进料蒸发区、填料区和冷凝回收区，所述进料蒸发区上设置有进料端口和保护气进气口并且所述加热单元套装在所述进料蒸发区的外壁上，所述冷凝回收区上设置有出料端口并且所述冷却循环单元设置在所述冷凝回收区的外壁上；所述控制单元包括电源开关、温度指示控制器和热电偶，所述热电偶设置在进料蒸发区、填料区和冷凝回收区的外壁上，所述温度指示控制器与电源开关、热电偶和加热单元电连接。
一种高纯蒸馏装置

[实用新型]一种高纯铟的铸锭装置-CN201620945482.2有效
发明人： 曹昌威;詹科;张程;雷聪;田庭光 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B22D39/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯铟的铸锭装置，所述铸锭装置包括安装架、加热炉、石英坩埚、模具单元和控制单元，安装架包括底座和支撑架，支撑架包括第一支撑杆和第二支撑杆；加热炉悬挂设置在第一支撑杆上，石英坩埚设置在加热炉的炉筒中，石英坩埚包括石英坩埚体、石英坩埚流道、石英棒固定管和石英棒，石英棒固定管的底部设置有铟流出口；控制单元包括温度控制子单元、电磁阀子单元、称重‑旋转子单元和中央处理子单元，所述温度控制子单元、电磁阀子单元和称重‑旋转子单元均与中央控制子单元电连接；模具单元包括模具盘和设置在模具盘上的若干个模具，模具单元可旋转地设置在称重‑旋转台的顶部并位于铟流出口的下方。
一种高纯铸锭装置

[实用新型]一种锑还原炉-CN201420640907.X有效
发明人：种娜;詹科;曹昌威;向明川;李强 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锑还原炉，包括石英管、电阻炉和带观察孔的还原炉炉壳，电阻炉置于还原炉炉壳内，石英管横向穿过还原炉炉壳的中轴线，并放置于电阻炉内，所述石英管包括还原管内管、尾气排放管和出料管，还原管内管倾斜设置于石英管内，其进料端高于出料端，还原管内管的进料端设有进料管及进气管，出料端为敞口结构；尾气排放管和出料管都设于石英管的进料端，尾气排放管的末端接尾气处理装置，出料管设于石英管的下底面；电阻炉上设有电阻丝，电阻丝接电气控制装置。该锑还原炉采用自动出料，避免人员在出料过程中受高温金属液滴溅伤，安全系数提高，设备操作简单，制造方便，生产及还原效率高，生产使用成本低。
一种还原

[发明专利]一种制备6N高纯铝的方法-CN201410599866.9有效
发明人：詹科;曹昌威;种娜;杨旭 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本发明属于材料制备领域，具体为真空挥发法和区域熔炼法制备6N高纯铝的方法。该方法为：将原料铝在真空煅烧炉中融化后进行真空挥发，控制挥发温度为800—850℃；在氩气保护下进行水平区域熔炼提纯，控制熔区宽度30—50mm；然后对铝锭的表面进行处理；最后将清洗后的铝锭装入石英舟，在真空煅烧炉中加热到450—550℃。本方法操作简单，使用设备简便，工艺成本低廉，可制备出6N高纯铝，填补国内6N高纯铝的空白。
一种制备高纯方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条