专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器-CN201110217210.2无效
  • 李林;张帆;马晓辉;李占国;高欣;曲铁;薄报学;刘国军 - 长春理工大学
  • 2011-08-01 - 2012-01-25 - H01S5/10
  • 本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10);通过优化设计有源层6,使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消,实现了低线宽,改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料,x=0.33,阱宽厚度为3~5nm,中心波长λ=980nm~1036nm,线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。
  • 一种低线宽应变量子激光器

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