专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高发光效率的发光元件-CN200410085262.9有效
  • 欧震;林鼎洋;赖世国 - 晶元光电股份有限公司
  • 2004-10-08 - 2006-04-12 - H01L33/00
  • 一种高发光效率的发光元件,其中存在一基板;形成于该基板上的一第一氮化物半导体叠层;形成于该第一氮化物半导体叠层上的一氮化物发光层;形成于该氮化物发光层上的一第二氮化物半导体叠层,其中,该第二氮化物半导体叠层相对于该氮化物发光层的表面处,具有多个向下延伸的内六角锥形孔穴构造;形成于该第二氮化物半导体叠层上的一氧化物透明导电层,该氧化物透明导电层与该第二氮化物半导体叠层表面的内六角锥形孔穴的内侧表面形成低电阻欧姆接触,以降低发光元件的操作电压,提高发光元件的发光效率。
  • 发光效率元件
  • [发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200410077053.X有效
  • 谢明勋;蔡嘉芬 - 晶元光电股份有限公司
  • 2004-09-10 - 2006-03-15 - H01L33/00
  • 本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法,此半导体发光元件具有一不透光基板、形成于此不透光基板上的一结合结构、形成于此结合结构上的一半导体发光叠层、以及形成于此半导体发光叠层上的一荧光材料结构,且此半导体发光叠层是分离自一原始成长基板。本发明的半导体发光元件的制造方法包括有分离一半导体发光叠层自一原始成长基板、结合半导体发光叠层至一不透光基板上、及形成一荧光材料结构于半导体发光叠层上方。
  • 半导体发光元件及其制造方法
  • [发明专利]具有热通道黏结层的发光二极管-CN200410055654.0有效
  • 谢明勋 - 晶元光电股份有限公司
  • 2004-08-02 - 2006-02-15 - H01L33/00
  • 一种具有热通道黏结层的发光二极管,其特征为于结合基板与LED叠层之间的黏结层中形成金属凸块或半导体凸块穿透黏结层,以形成一散热通道,以增加发光二极管的散热效果,进而提高发光二极管的稳定性及发光效率。所述发光二极管至少包含:一高散热基板;一绝缘层;一LED叠层,形成于该绝缘层之上;以及一介于该高散热基板及绝缘层之间的一具有凸块热通道的黏结层,其中,藉由凸块穿透或部分穿透黏结层。
  • 具有通道黏结发光二极管
  • [发明专利]具有黏结层的发光元件阵列-CN200410058990.0有效
  • 刘文煌 - 晶元光电股份有限公司
  • 2004-07-29 - 2006-02-01 - H01L33/00
  • 一种具有黏结层的发光元件阵列,其藉由芯片接合技术,将一发光叠层以一黏结层接合于一基板上,再以蚀刻或其它分割方式,将发光叠层分割成多个发光阵列,再经由串联电性接合,使得该串联阵列可在较高的电压下操作,如此将可简化电源供应系统。该发光元件阵列至少包括:基板;形成于基板之上的黏结层;以及多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层,分布形成于该黏结层之上,其中该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层之间电极电性相连。
  • 具有黏结发光元件阵列

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