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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]喷头组件及半导体剥离装置-CN202123024285.7有效
发明人：兰升友;徐瑞林;耿峰;易熊军;文成龙 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B05B1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种喷头组件及半导体剥离装置。喷头组件包括：主喷头，主喷头与剥离液导管连接，用于喷洗待剥离件；次喷头，次喷头为多个，多个次喷头沿主喷头的周向间隔设置，次喷头的出口朝向主喷头设置，用于对主喷头的外表面进行喷洗。本实用新型解决了现有技术中半导体器件的剥离效率较低的问题。
喷头组件半导体剥离装置

[实用新型]一种循环系统-CN202122805831.4有效
发明人：文成龙;兰升友;易熊军;贾东;王浪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种循环系统，包括：循环存储槽，包括密封槽体、进口管和出口管，所述密封槽体分别与所述进口管、所述出口管连通，存储物通过所述进口管流入所述密封槽体内，所述存储物通过所述出口管流出所述密封槽体；高位溢流排放装置，设置在所述密封槽体的侧壁上，包括高位溢流管，所述密封槽体内超过阈值液位的所述存储物通过所述高位溢流管对外排放。本实用新型提出的循环系统，密封槽体内超过阈值液位的存储物通过高位溢流管对外排放，避免了密封槽体内液位或压力过高，更避免了由密封槽体内液位或压力过高可能导致的槽体炸裂等安全隐患，从而提高了湿法工艺制程的安全性。
一种循环系统

[实用新型]晶圆清洁装置及晶圆清洁设备-CN202122561109.0有效
发明人：兰升友;徐瑞林;易熊军;文成龙;王浪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆清洁装置及晶圆清洁设备。晶圆清洁装置包括：清洗槽体和阻值监测计。清洗槽体包括：清洗槽、旁流槽以及隔板。旁流槽设置于清洗槽的旁侧。隔板设置于旁流槽和清洗槽之间。隔板上设有多个连通结构，连通结构用于连通清洗槽和旁流槽，以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间流通。阻值监测计设置于旁流槽内，用于对晶圆清洗液进行阻值监测。上述晶圆清洁装置能够快速准确地监测晶圆清洗液的阻值，以提升晶圆的清洗效率和清洗良率。
清洁装置设备

[实用新型]一种晶圆单盒、晶舟盒及湿法刻蚀装置-CN202122639834.5有效
发明人：文成龙;徐瑞林;易熊军;兰升友 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆单盒、晶舟盒及湿法刻蚀装置。包括：框架；转动盒，所述转动盒上设置有安装槽，所述安装槽用于安装晶片；其中，所述转动盒设置在所述框架内并与所述框架转动连接。本方案中，由于安装有晶片的转动盒可以相对于框架转动，当把该晶圆单盒浸没在刻蚀槽中进行湿法刻蚀时，通过转动转动盒提高刻蚀槽中刻蚀液的流动性，使得刻蚀槽中的刻蚀液与晶片表面充分接触，从而提高湿法刻蚀的效果。
一种晶圆单盒晶舟盒湿法刻蚀装置

[实用新型]半导体清洗装置-CN202121316406.2有效
发明人：兰升友;易熊军;文成龙;黄韬;秦刚 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体清洗装置。半导体清洗装置包括：机体，机体具有沿待清洗件的移动方向依次设置的多个药液清洗槽，机体分别设置有进口和出口，进口和与进口相邻的药液清洗槽之间具有暂存腔；等离子清洗组件，等离子清洗组件设置在暂存腔内，用于对待清洗件进行预清洗处理。本实用新型解决了现有技术中半导体器件的清洗效率低且清洗效果差的问题。
半导体清洗装置

[实用新型]一种清洗设备-CN202122051114.7有效
发明人： 易熊军;兰升友;文成龙;黄韬 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清洗设备，其中，包括储液槽、机械臂、夹具和喷气部件，所述机械臂与所述储液槽相对设置，所述机械臂可朝向所述储液槽移动；所述夹具设于所述机械臂上，用于固定待洗物；所述喷气部件安装在所述机械臂上，用于向所述夹具和所述待洗物喷气。本申请公开的清洗设备使用时清洗完待洗物后用喷气部件向夹具和待洗物喷气，将残留在夹具和待洗物表面上的清洗液吹下，减少清洗液携出量，延长储液槽内清洗液的消耗周期，有利于降低成本。
一种清洗设备

[实用新型]光刻胶去除装置-CN202121540612.1有效
发明人：兰升友;冯中山;易熊军;文成龙;江仁杰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光刻胶去除装置。光刻胶去除装置包括：药液箱，药液箱具有至少一个用于容纳药液的药液池；晃动单元，晃动单元的至少一部分位于药液池内，且晃动单元在药液池内运动以扰动药液池内的药液。本实用新型解决了现有技术中晶圆的去胶效率低的问题。
光刻去除装置

[实用新型]一种用于加工晶圆的机台-CN202120635795.9有效
发明人：兰升友;徐瑞林;易熊军;文成龙;江仁杰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于加工晶圆的机台，其中，包括基座、机械臂和卡位结构，所述基座为可转动基座；所述机械臂设置在所述基座上，所述基座带动所述机械臂转动，并且所述机械臂背离所述基座的一端设置为用于取放晶圆的取放部；所述卡位结构设置在所述机械臂上，所述卡位结构设于所述取放部朝向所述基座的一侧。本申请通过增加卡位结构，使加工晶圆的过程中晶圆转移到机械臂上之后会自动调整位置，一次性完成晶圆的对准和放置，简化了晶圆加工步骤，提高了晶圆加工效率。
一种用于加工机台

[实用新型]光刻胶吐出装置-CN202022592273.3有效
发明人：熊超超;李瑶;肖清凯;易熊军;黄韬 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B65D47/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光刻胶吐出装置。光刻胶吐出装置包括：箱体，箱体具有挤出口和放置开口；光刻胶袋，光刻胶袋具有出口，出口与挤出口连通；挤压结构，挤压结构设置在箱体的放置开口处，挤压结构与箱体围成用于容置光刻胶袋的容纳空间，挤压结构与箱体活动连接并能够向压缩容纳空间的一侧运动。本实用新型解决了现有技术中光刻胶吐出系统存在光刻胶容易污染、浪费的问题。
光刻吐出装置

[实用新型]一种蚀刻清洗装置-CN202022477899.X有效
发明人：兰升友;徐瑞林;易熊军;文成龙;肖清凯 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蚀刻清洗装置，其包括依次连通的蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区；蚀刻区和减速清洗区沿第一方向连通，缓冲清洗区沿第二方向设置；蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区的腔内底部均设置有滚轮，蚀刻区、减速清洗区、转弯清洗区和缓冲清洗区的腔内顶部均设置有喷头；蚀刻区和减速清洗区内的滚轮沿第一方向滚动，缓冲清洗区内的滚轮沿第二方向滚动，转弯清洗区内的滚轮沿第三方向滚动；减速清洗区与转弯清洗区上的滚轮具有第一转动速度，缓冲清洗区上的滚轮具有第二转动速度；第二转动速度大于第一转动速度。本实用新型能够减少晶圆破片现象，并能够降低宕机率，从而提高了产能，降低了生产成本。
一种蚀刻清洗装置

[实用新型]可除静电的晶圆储存装置-CN202022165254.2有效
发明人：杨富可;杨浩;兰升友;易熊军;向雪燕 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H05F1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可除静电的晶圆储存装置。可除静电的晶圆储存装置包括箱体和负离子气体供应单元，箱体具有进气口，负离子气体供应单元与进气口可拆卸地连接，以向箱体内通入负离子气体，箱体包括多个叠置的晶圆储存腔，用以储存晶圆，多个晶圆储存腔均与进气口连通。本实用新型解决了现有技术中无法有效去除晶圆表面的静电的问题。
静电储存装置

[实用新型]蚀刻机台装置-CN202022136615.0有效
发明人：兰升友;柘涛;易熊军;杨富可;黄韬 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蚀刻机台装置。蚀刻机台装置包括：机体，机体具有沿晶圆的移动方向依次设置的第一蚀刻槽、第二蚀刻槽和水槽；快门，快门为多个，第一蚀刻槽和第二蚀刻槽之间的槽壁上、第二蚀刻槽和水槽之间的槽壁上分别开设有槽壁开口，各槽壁开口处分别对应设置有一个能够平移滑动的快门，以遮挡或避让槽壁开口，以使晶圆能够穿过槽壁开口在第一蚀刻槽、第二蚀刻槽和水槽之间移动。本实用新型解决了现有技术中蚀刻机台的元器件易腐蚀以及各工作区间之间互相影响的问题。
蚀刻机台装置

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