“易永财”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]引线生成方法、装置、设备及存储介质-CN202110707310.7有效
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人：深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明涉及EDA设计技术领域，公开一种引线生成方法、装置、设备及存储介质。本发明通过获取预设图形绘制窗口中展示的待处理器件的坐标信息，坐标信息包括待处理器件的引脚坐标、待处理器件的展示边框的对角坐标；根据对角坐标确定待处理器件的边框坐标方程；根据引脚坐标和边框坐标方程确定待处理器件的引脚对应的引线端点坐标；对引线端点坐标和引脚坐标进行连线，以获得待处理器件的引脚对应的引线。本发明通过获取待处理器件的坐标信息，然后根据坐标信息确定边框坐标方程，再确定引线的端点坐标，从而生成引线，相较于现有技术中需要根据电路符号的管脚名称手动标注引线，上述方式能够精准地自动生成引脚对应的引线，从而提高工作效率。
引线生成方法装置设备存储介质

[发明专利]静电防护主动触发电路及电子设备-CN202110701202.9有效
发明人： 易永财;朱小安;邵宇;叶平平 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于静电泄放保护技术领域，公开了一种静电防护主动触发电路、及电子设备。静电防护主动触发电路包括：RC触发模块、回滞单元、反相器、保护模块及静电阻抗器，RC触发模块，用于在检测到快速ESD脉冲的上升沿时，向反相器输出第一工作电压；反相器，用于根据第一工作电压输出触发信号，触发所述静电阻抗器；回滞单元，用于在检测到低速浪涌的幅值超过电压阈值时，向反相器输出第二工作电压；反相器，还用根据第二工作电压输出触发信号，触发静电阻抗器；保护模块，用于对电路进行保护。本发明通过对快速ESD脉冲及低速浪涌进行检测，触发静电阻抗器，并在电路中设置了保护模块，可以正确驱动静电阻抗器，并防止元器件收到损伤。
静电防护主动触发电路电子设备

[发明专利]一种用于集成电路的ESD防护结构-CN202110722669.1有效
发明人： 易永财;朱小安;邵宇;叶平平 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集成电路的ESD防护结构，涉及电子技术领域。所述结构包括IC芯片及ESD器件；所述ESD器件的第一端连接所述IC芯片的电源端口，所述ESD器件的第二端连接所述IC芯片的I/O端口，所述ESD器件的第三端连接所述IC芯片的接地端口；所述ESD器件，用于在所述IC芯片引脚遭受ESD应力冲击时，对所述IC芯片任意两引脚之间的ESD电流进行泄放。通过上述电路结构，可实现利用一个ESD器件对IC芯片任意两引脚间的ESD电流进行泄放，较传统方式而言，本发明能有效减小电路的复杂度，提高了用户使用体验感。
一种用于集成电路 esd 防护结构

[发明专利]一种电路工程用芯片可调角度的夹持装置-CN202211032254.2在审
发明人：陈文;王其军;易永财;邵宇 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种夹持装置，尤其涉及一种电路工程用芯片可调角度的夹持装置。本发明提供一种能够调节夹持角度，便于工作人员察看芯片引线焊接情况的电路工程用芯片可调角度的夹持装置。本发明提供了这样一种电路工程用芯片可调角度的夹持装置，包括：第一固定框，第一固定框底部前后两侧均左右对称连接有支撑座；第一挡板，第一固定框内左右两侧均前后对称连接有第一挡板；固定块，第一固定框内左右两侧均前后对称连接有固定块。通过工作人员转动转盘，转盘带动第一固定杆转动，使第一固定杆带动放置板上下摆动与第一挡板接触，并在第一挡板的作用下，对放置板进行支撑，从而达到便于工作人员察看芯片引线焊接情况的目的。
一种电路工程芯片可调角度夹持装置

[发明专利]一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备-CN202110723191.4有效
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人：深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备。SCR器件包括：N型外延、第一P阱区、第二P阱区、第一N+接触区、第二N+接触区、第一二极管及第一电极；第一P阱区与第二P阱区均位于N型外延上方，且第一P阱区与第二P阱区隔离设置，第一N+接触区位于第一P阱区内部上方，第二N+接触区与第一N+接触区隔离设置，且第二N+接触区部分位于第一P阱区及N型外延，第一二极管的负极连接第二N+接触区，第一二极管的正极连接第一电极。由于第二N+接触区及第一二极管，使得器件通过第一次弱回滞得到高维持电压，从而避免了闩锁现象，第二次强回滞得到低维持电压，从而降低了SCR器件的功耗，提高了SCR器件的鲁棒性。
一种用于 esd 防护双向双回滞 scr 器件设备

[发明专利]定位打孔方法、设备、存储介质及装置-CN202110716114.6有效
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05B19/402 文献下载
摘要：本发明公开了一种定位打孔方法、设备、存储介质及装置，根据待打孔金属板对应的初始坐标信息确定各金属板对应的pathSeg线段及预判通孔坐标信息，并控制各金属板对应的pathSeg线段进行移动，以使各金属板对应的pathSeg线段相交并获得目标交点坐标,将目标交点坐标作为待打孔的中心点坐标对各金属板进行打孔。本发明通过预判通孔位置控制各金属板对应的线段进行移动后相交并获得目标交点坐标，将目标交点坐标作为待打孔的中心点坐标对各金属板进行打孔，本发明相较于现有技术通过人工干预调整待打孔位置，导致对打孔位置定位准确性低，本发明实现了不需要人工干预，对金属板定位打孔，提升工作效率，缩短完成周期。
定位打孔方法设备存储介质装置

[实用新型]一种电路工程用芯片定位穿孔设备-CN202122335649.7有效
发明人： 易永财;刘佳明;王粲;邵宇;朱小安 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B28D1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种穿孔设备，尤其涉及一种电路工程用芯片定位穿孔设备。本实用新型提供一种可以精确定位，不易划伤芯片的电路工程用芯片定位穿孔设备。一种电路工程用芯片定位穿孔设备，包括：外壳，外壳外侧均匀间隔设置有支撑杆；第一导向杆，外壳内侧壁靠近底部左右对称设置有第一导向杆；放置板，第一导向杆之间滑动式设置有放置板，外壳前侧下部开有方形槽，放置板外与壳前侧下部的方形槽配合。工作人员通过拉动放置板，将两个夹块撑开，进而使夹块将芯片固定在放置板上，工作人员紧握把向下压，进而带动第三导向杆和钻头向下运动，第三弹性件被挤压发生形变，钻头在芯片上进行穿孔。
一种电路工程芯片定位穿孔设备

[发明专利]用于正负电源ESD保护的抗闩锁复合器件-CN202110723352.X在审
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人：深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，公开一种用于正负电源ESD保护的抗闩锁复合器件。在本发明中，所述抗闩锁复合器件包括：保护电路和ESD防护结构；所述ESD防护结构的第一端与所述保护电路的负电源端口连接，所述ESD防护结构的第二端与所述保护电路的正电源端口连接，所述ESD防护结构的第三端与所述保护电路的地电位端口连接；所述ESD防护结构，用于对所述保护电路任意两个端口输出的ESD电流进行泄放。通过保护电路和ESD防护结构构成复合器件，并且ESD防护结构能够提供任意两个电源端口进行抗闩锁的ESD通路，相较于现有技术中的多ESD二极管的方案，能够简化ESD防护结构，从而显著减少复合器件的版图面积。
用于正负电源 esd 保护抗闩锁复合器件

[发明专利]走线辅助修复方法及系统-CN202110658798.9在审
发明人： 易永财;朱小安;邵宇;涂萌颖 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明公开一种走线辅助修复方法及系统。通过获取待修复PCB板中与目标通孔相连的待修复走线，从待修复走线中删除不满足预设角度规则的相交线段，以获得不连续的走线段，根据待修复走线的原始轨迹将不连续的走线段进行连接，以获得新的待修复走线，返回从待修复走线中删除不满足预设角度规则的相交线段，以获得不连续的走线段的步骤，直至新的待修复走线中任意两条相交线段满足预设角度规则。通过从待修复走线中删除不满足预设角度规则的相交线段，得到新的待修复走线，再进行循环，直至任意两条相交线段满足预设角度规则，相较于现有在检测到不合理的走线时，人为修改，上述方式能够精准地自动辅助修复走线，给设计人提供参考，从而提高效率。
辅助修复方法系统

[发明专利]MOS触发SCR器件-CN202110722637.1在审
发明人： 易永财;朱小安;邵宇;叶平平 -专利权人：吉安砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种MOS触发SCR器件。MOS触发SCR器件包括P型衬底、位于P型衬底上端沿衬底的长度方向依次排列的低压N阱和低压P阱，位于低压N阱和所述低压P阱上端沿衬底的长度方向依次排列的第一SN区、第一SP区、第二SN区以及第二SP区、位于低压N阱和低压P阱交界处的第三区、位于第二SN区和第三区之间或位于第一SP区和第三区之间的可调部件。通过设置可调部件于第二SN区和第三区之间或第一SP区和第三区之间，并且通过调整可调部件，能够控制SCR器件中的寄生MOS管的阈值电压，当阈值电压改变时，SCR器件的触发电压也会改变，从而通过调整寄生MOS管的阈值电压实现对SCR器件的触发电压进行无级调整。
mos 触发 scr 器件

1
共 10 条