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[发明专利]一种煤矿污水处理药剂全自动加配装置-CN202210334615.2在审
发明人： 施金飞 -专利权人： 施金飞
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种煤矿污水处理药剂全自动加配装置，包括水平设置的处理罐，所述处理罐右侧中心处安装有主电机，所述主电机动力输出轴固定连接有传动杆，所述传动杆左端贯穿处理罐右侧，并延伸至处理罐内腔，所述传动杆外侧固定套接有三个混合叶片，三个所述混合叶片从左至右依次呈线性排列，且三个所述混合叶片均位于处理罐内腔，本发明通过混合叶片、第一转轴、第二转轴、电机、转盘、圆筒、出料电机、传动板、铰接板、调节杆、连接块等部件之间的相互配合，可实现在添加了一次干粉药剂后可满足系统运行用量，减少了工作人员的劳动强度，提高了药剂投放量的精确度，同时也提高了煤矿污水处理效率。
一种煤矿污水处理药剂全自动配装

[实用新型]一种电源装置-CN201921254070.4有效
发明人：邵超;李帅;施金飞;李立民 -专利权人：无锡旭康微电子有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电源装置，该装置包括：一基底，所述基底包括孔，所述孔延伸到所述基底中；一电源芯片，所述电源芯片置于所述基底的上方；一桥式电感，所述桥式电感横跨在所述电源芯片的两端及上方；其中，所述桥式电感为一整体，且所述电源芯片、桥式电感与所述基底通过所述孔互相电连接。本实用新型以立体层级的方式布置，缩小了系统板的尺寸，从而实现对PCB小尺寸的需求，满足最小型号系统终端产品的需要；桥式电感两端有电感本体作为支撑，不需要使用引线及注塑成型等方式提供支撑，简化工艺，节约成本，更利于散热；而且桥式电感也可以紧贴电源芯片的上方，空腔仅分布在电源芯片的两端，如此可更加节约立体空间，节省成本。
一种电源装置

[发明专利]一种电池电压平衡器、电池电压平衡装置及其控制方法-CN201910716983.1在审
发明人：李立民;邵超;施金飞;李帅 -专利权人：无锡旭康微电子有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电池电压平衡器、电池电压平衡装置及其控制方法，该装置中N个电池单元以正端与负端耦接方式串联成一串；(N‑1)个储能单元，每一个储能单元的一端对应耦接至所述N个电池单元中两相邻的电池的连接点；(N‑1)个转换单元，每一个转换单元对应与所述N个电池单元中相邻两电池单元并联并耦接对应的储能单元的另一端；(N‑1)个电池电压平衡器，每一个电池电压平衡器耦接对应的所述转换单元，并根据相邻两电池单元的电压差是否超过一预定值来决定是否进行一电池电压平衡操作。本发明根据相邻两电池单元电压差值的大小调整一平衡电流的大小或一平衡时间的长短，避免平衡能量过冲，提高平衡效率。
电池电压平衡电池单元储能单元转换单元耦接电池单元电压大小调整平衡电流平衡效率电压差连接点并联负端平衡器耦正端串联电池

[发明专利]电池电压平衡控制系统、电池电压平衡装置及其控制方法-CN201910717006.3在审
发明人：李立民;邵超;李帅;施金飞 -专利权人：无锡旭康微电子有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电池电压平衡控制系统、电池电压平衡装置及其控制方法，该装置中多个电池单元的正端与负端耦接串联成一串；一电池电压平衡控制系统，包含多个电池电压平衡单元，每一个电池电压平衡单元对应耦接相邻的两个电池单元，前级电池电压平衡单元的逻辑输出端与后级电池电压平衡单元的逻辑输入端耦接；其中，所述电池电压平衡控制系统还包含一决定单元，耦接第一级电池电压平衡单元，用以决定所有电池电压平衡单元同步进入检测阶段或者平衡阶段。本发明通过外部决定单元控制级联的第一级电池电压平衡单元，并以简单的逻辑电平转换方式逐级传输控制信号，从而实现逻辑信号的同步控制，以及更简单方便的级联使用和更精确的同步控制。
电池电压平衡控制系统耦接多个电池同步控制第一级级联传输控制信号电压平衡单元逻辑电平转换逻辑输出端单元控制电池单元逻辑输入逻辑信号平衡阶段负端前级正端串联检测外部

[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管-CN201610353260.6在审
发明人：张有润;郭飞;施金飞;刘影;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明属于高功率半导体技术领域，具体的说涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明主要通过在BJT的发射极1边缘与基极欧姆接触之间的外基区设置第二P+层9，第二P+层9为P型重掺杂层，可通过离子注入工艺形成，因为P性基区4位P型轻掺杂层，第二P+层9与P型基区4之间会形成一个由轻掺杂层指向重掺杂层的电场，该电场会阻止基区少子(电子)向外基区表面扩散，减小了外基区表面的电子浓度，降低了电子与空穴的复合率，减小界面态所导致的复合电流，从而提高器件的电流增益。
一种碳化硅双极结型晶体管