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[实用新型]一种可调节角度的点阵造型遮阳格栅系统-CN202320458046.2有效
发明人：张鹏飞;方同 -专利权人：上海方大智建科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： E04F10/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节角度的点阵造型遮阳格栅系统包括有若干呈点阵排列的固定安装在主体钢架上的遮阳格栅组件，每个遮阳格栅组件包括有格栅构件、立柱、连接插芯、转接件以及支撑构件，所述格栅构件能以不同安装角度套装在立柱上，连接插芯的一端插接在立柱的空腔内，连接插芯的另一端与转接件固定连接，连接插芯与立柱之间通过一限位结构限位，转接件固定安装于支撑构件上，所述支撑构件与主体钢架固定连接。本实用新型的可调节角度的点阵造型遮阳格栅系统，既能满足建筑遮阳需求，又能提升建筑整体艺术美观效果。
一种调节角度点阵造型遮阳格栅系统

[实用新型]一种拉索式格栅幕墙安装结构-CN202221653096.8有效
发明人：方同;张鹏飞 -专利权人：上海方大智建科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： E04B2/88 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑装饰技术领域，尤其涉及一种拉索式格栅幕墙安装结构，该拉索式格栅幕墙安装结构，包括格栅组件，拉索及安装组件；所述格栅组件与拉索通过所述安装组件固定，所述拉索还与外部结构连接。本实用新型不仅达到遮阳效果，避免了固定于玻璃幕墙之上一体化格栅的安全隐患，还简化了安装结构，实用性强。
一种拉索式格栅幕墙安装结构

[实用新型]一种GRC幕墙连接结构-CN201920389093.X有效
发明人：方同 -专利权人：上海方大勍瓴科技有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： E04B2/96 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GRC幕墙连接结构，包括固定连接于GRC幕墙本体内侧的龙骨，及与建筑物主体连接的支撑机构；支撑机构包括固定于建筑物主体上的预埋件，与预埋件固定连接的转接件，与转接件连接的受力件；龙骨置于受力件中，以使GRC幕墙本体挂接于建筑物主体的表面。本实用新型GRC幕墙连接结构，安装方便、快捷，而且龙骨与GRC幕墙本体的拼装可在工厂完成，避免了在工地现场花费大量的安装时间，节省了工期。另外，受力件的连接板上设有腰形孔，进而可根据GRC幕墙本体与建筑物主体之间所需要的间隔距离来调节受力件相对于转接件的位置，结构设置灵活，适应性更强，还可通过调节螺杆调节GRC幕墙本体的上下方向的位置。
幕墙建筑物主体受力件龙骨转接件幕墙连接结构本实用新型支撑机构预埋件安装方便调节螺杆间隔距离结构设置上下方向连接板腰形孔挂接拼装工地灵活

[实用新型]一种单元化门窗系统-CN201820032568.5有效
发明人：方同 -专利权人：上海方大勍瓴科技有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： E06B3/58 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种单元化门窗系统，包括：门窗单元化板块、与用于紧固单元门窗板块的扣件及第一密封胶条以及边框、所述边框设置在建筑物主体结构洞口边上；所述门窗单元化板块包括窗玻璃、第二密封胶条、玻璃压线以及窗框，所述窗玻璃通过所述第二密封胶条连接所述玻璃压线于所述窗框内，再把室内测的铝合金扣条安装好，最后塞入三元乙丙胶条即可完成整个门窗系统的安装；本实用新型可提高施工进度、节省安装措施成本、满足精度等要求，按照单元化门窗安装方式整体吊装，实现工地现场的快装，节省工期。
门窗系统密封胶条单元化边框本实用新型玻璃压线门窗单元窗玻璃窗框建筑物主体结构三元乙丙胶条铝合金扣条塞入措施成本紧固单元门窗安装施工进度整体吊装扣件快装洞口门窗室内工地

[发明专利]使用大于晶圆直径的等离子体排除区域环控制斜面蚀刻膜轮廓-CN200980109919.1有效
发明人：方同;金允尚;金基灿;乔治·斯托亚科维奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-03-10 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种清洁半导体衬底的斜面边缘的方法。将半导体衬底放在等离子体处理装置的反应室中的衬底支架上。衬底具有覆盖该衬底的上表面和斜面边缘的电介质层，该层在该斜面边缘的顶点的上方和下方延伸。将工艺气体引入该反应室内并将其激励为等离子体。用该等离子体清洁该斜面边缘从而除去该顶点下方的该层而不除去该顶点上方的该层的全部。
使用大于直径等离子体排除区域控制斜面蚀刻轮廓

[发明专利]斜面蚀刻工艺之后的铜脱色防止-CN200880124011.3无效
发明人：方同;安德鲁·D·贝利三世;金润相;奥利维尔·利古塔;乔治·斯托贾斯科维奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： A99Z99/00 文献下载
摘要：一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导体衬底的方法，其中该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上，该方法包含在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底；在完成该斜面边缘蚀刻后抽空该斜面蚀刻机；使脱氟气体流入该斜面蚀刻机；在该半导体衬底的外围处将该脱氟气体激励为脱氟等离子体；以及在阻止该半导体衬底的该暴露铜表面脱色的条件下用该脱氟等离子体处理该半导体衬底，其中该脱色在过长的暴露于空气中之后出现。
斜面蚀刻工艺之后脱色防止

[发明专利]用于晶片边缘处理的方法和装置-CN200780048829.7有效
发明人：金润相;杰克·陈;方同;安德鲁·贝利三世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：用于补救等离子体斜角刻蚀过程中对该基板造成的与电弧有关的损害的方法和装置。等离子体罩被置于该基板上方以防止在两个环形接地板之间产生的等离子体与该基板上的暴露的金属化相接触。附加地或替换地，可以使用无碳氟化工艺源气体或在等离子体产生过程中将RF偏置功率逐渐升高以减少在斜角刻蚀过程中的与电弧有关的损害。另外，附加地或替换的，氦和/或氢可以被添加到工艺源气体中以减少在斜角刻蚀过程中的与电弧有关的损害。
用于晶片边缘处理方法装置