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[发明专利]多晶硅块及其制造方法-CN201710531719.1有效
发明人：汉斯·沃赫纳;拉斯洛·法布里 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅块及其制造方法。所述多晶硅块为方形并且在其表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。所述制造方法包括：提供多晶硅棒，将所述多晶硅棒粉碎成方形块，以及对多晶硅块进行清洁，其中，使用具有至少一个齿辊的齿辊式粉碎机进行粉碎，所述至少一个齿辊包含W2C相，或者包含WC相以及0.1‑10％选自由以下组成的组中的金属碳化物：碳化钛、碳化铬、碳化钼、碳化钒和碳化镍，或者由具有1–25％W的钢组成。
多晶及其制造方法

[发明专利]钢材表面的处理-CN201280053435.1有效
发明人： 拉斯洛·法布里;芭芭拉·米勒;迈克尔·斯特普 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C23C22/02 文献下载
摘要：通式R_nZ_pSiX_(4-n-p)的化合物在用于处理钢材表面中的应用，其中X选自由H、OH、卤素、烷氧基(C1-C3)、酰氧基(C1-C3)和NR¹R²组成的组；其中R¹和R²各自选自由H、甲基和乙基组成的组；其中R选自由直链和/或支化的C1-C6烷基自由基、直链和/或支化的C1-C6烯基自由基或可选地被O、S间断的C1-C6芳基自由基组成的组，其中Z为(可选地支化和/或不饱和的)C1-C6-亚烷基-自由基-结合的有机官能团，其选自由卤素、可选取代的氨基基团、酰胺、醛、烷基羰基、羧基、羟基、巯基、氰基、烷氧基、烷氧基羰基、磺酸、膦酸、磷酸酯、酰氧基、甲基酰氧基、缩水甘油氧基、环氧基和乙烯基基团组成的组，其中n＝0、1或2并且p＝1、2或3且3≥(n+p)≥1，其中通式(1)的所述化合物含有不多于20个碳原子。
钢材表面处理

[发明专利]多晶硅块及其制造方法-CN201310339272.X在审
发明人：汉斯·沃赫纳;拉斯洛·法布里 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅块及其制造方法。所述多晶硅块为方形并且在其表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。所述制造方法包括：提供多晶硅棒，将所述多晶硅棒粉碎成方形块，以及对多晶硅块进行清洁，其中，使用具有至少一个齿辊的齿辊式粉碎机进行粉碎，所述至少一个齿辊包含W2C相，或者包含WC相以及0.1-10%选自由以下组成的组中的金属碳化物：碳化钛、碳化铬、碳化钼、碳化钒和碳化镍，或者由具有1-25%W的钢组成。
多晶及其制造方法

[发明专利]用于制造单晶的设备和方法、单晶及半导体晶片-CN200710002144.0无效
发明人： 拉斯洛·法布里;冈特·斯特雷贝尔;汉斯·厄尔克鲁格 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体材料单晶的设备和方法。该设备包括一个室以及设置在该室内的由坩埚加热器包围的坩埚、用于屏蔽生长的单晶的辐射护板以及在该坩埚加热器与该室的内壁之间的绝热材料。该设备的特征在于用于密封在该内壁与该绝热材料之间的缝隙并且形成气态羰基铁向该单晶传输的障碍的弹性密封材料。本发明还涉及使用该装置、所制的单晶以及由此切下的半导体晶片制造半导体材料单晶的方法。该单晶及半导体晶片的特征在于边缘区域，该边缘区域从圆周向该单晶或该半导体晶片内径向延伸至最多R－5毫米的距离并且具有一定的铁浓度，其中该边缘区域内的铁浓度低于1×10⁹原子/cm³。
用于制造设备方法半导体晶片