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[实用新型]一种用于光电器件的多重量子阱结构-CN201521107595.7有效
发明人：陈铭胜;武良文;陈庆维 -专利权人： 扬州德豪润达光电有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于光电器件的多重量子阱结构，应用于氮化镓基光电器件中，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分的厚度小于其它势阱层，如此可补偿最靠近P型半导体层的势阱层因受电子阻挡层压电场的影响，改善带隙倾斜较其它势阱层大的问题，利用工程调整方式，以达到有效提高氮化镓基光电器件的发光纯度。
一种用于光电器件多重量子结构

[发明专利]一种用于光电器件的多重量子阱结构-CN201510993017.6在审
发明人：陈铭胜;武良文;陈庆维 -专利权人： 扬州德豪润达光电有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光电器件的多重量子阱结构，应用于氮化镓基光电器件中，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分或厚度小于其它势阱层，如此可补偿最靠近P型半导体层的势阱层因受电子阻挡层压电场的影响，改善带隙倾斜较其它势阱层大的问题，利用工程调整方式，以达到有效提高氮化镓基光电器件的发光纯度。
一种用于光电器件多重量子结构

[实用新型]半导体发光器件-CN201520038292.8有效
发明人：王冬雷;梅劲;陈刚毅 -专利权人： 扬州德豪润达光电有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：半导体发光器件，包括衬底、形成于衬底上的结晶层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、过渡层、多量子阱层和P型氮化镓层；还包括低温氮化镓层，低温氮化镓层形成于N型氮化镓层上，且其上形成若干凹坑；应力释放层，应力释放层的厚度小于100nm并由依次形成于低温氮化镓层上的1至K层In_x(k)Ga_1-_x(k)N构成，其中，第k层In_x(k)Ga_1-x(k)N的厚度d_k小于第k-1层In_x(k-1)Ga_1-x(k-1)N的厚度d_k-1，且x(k)＞x(k-1)，k＝1,…,K，K≤5；P型氮化镓层覆盖凹坑。本实用新型通过根据量子阱的铟的组分调整应力释放层中InGaN的层数及总厚度，使各层InGaN的铟的组分从底层至表面递增，厚度递减，达到逐步释放应力的目的。
半导体发光器件

[实用新型]一种可以提高光效的半导体发光器件-CN201420859558.0有效
发明人：王冬雷;金振模;梅劲 -专利权人： 扬州德豪润达光电有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种可以提高光效的半导体发光器件，包括：衬底，形成于所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；所述N型氮化镓层表面形成有若干个间隔布置的凹坑，N型氮化镓层上单位面积内分布的凹坑的面积小于10％。本实用新型在量子阱生长前通过引入有规律分布的凹坑，使得后续覆盖的P型氮化镓层能够在整个量子阱区域提供空穴载流子，从而使空穴能够均匀的扩散至更多的靠近N型氮化镓层的量子阱，提高发光效率。
一种可以提高半导体发光器件

[发明专利]半导体发光器件及其制备方法-CN201510027914.1在审
发明人：王冬雷;梅劲;陈刚毅 -专利权人： 扬州德豪润达光电有限公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：半导体发光器件及其制备方法，半导体发光器件包括衬底、形成于衬底上的结晶层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、过渡层、多量子阱层和P型氮化镓层；还包括低温氮化镓层，低温氮化镓层形成于N型氮化镓层上，且其上形成若干凹坑；应力释放层，应力释放层的厚度小于100nm并由依次形成于低温氮化镓层上的1至K层Inx(k)Ga1‑x(k)N构成，其中，第k层Inx(k)Ga1‑x(k)N的厚度dk小于第k‑1层Inx(k‑1)Ga1‑x(k‑1)N的厚度dk‑1，且x(k)＞x(k‑1)，k＝1,…,K，K≤5；P型氮化镓层覆盖凹坑。本发明通过根据量子阱的铟的组分调整应力释放层中InGaN的层数及总厚度，使各层InGaN的铟的组分从底层至表面递增，厚度递减，达到逐步释放应力的目的。
半导体发光器件及其制备方法