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[发明专利]一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法-CN201010552229.8有效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
一种离子植入装置通过氢化制造半导体方法

[发明专利]汽化器-CN201010190597.2有效
发明人：乔治·萨科;道格拉斯·R·亚当斯;德罗尔·奥韦德;托马斯·N·霍尔斯基;戴维·J·哈特尼特 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明揭示一种汽化器单元，其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度，其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中，且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的温度下。顶部区为与底部区的界面的热分配器，底部的侧壁和底部壁将自界面所接收的热分配到暴露于馈入材料的空腔的表面。机械和电子编码的锁定、防止接近和有效使用提供安全性。硼烷、十硼烷(decaborane)、碳簇和其它大分子被汽化以用于离子植入。展示与新颖蒸汽传送系统以及与离子源配合的此类汽化器。
汽化器

[发明专利]通过植入N-及P-型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法-CN201010227473.7无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及通过植入N-及P-型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法，揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N-型及P-型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。
通过植入离子负离子制造 cmos 器件方法

[发明专利]用于从离子源提取供在离子植入中使用的离子的方法及设备-CN200780016534.1无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;罗伯特·W·米尔盖特;乔治·P·萨科;韦德·艾伦·克鲁尔 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01J27/00 文献下载
摘要：为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。
用于离子源提取离子植入使用方法设备

[发明专利]可与离子源一起使用的蒸气传送系统及用于此系统的气化器-CN200780021626.9无效
发明人：道格拉斯·R·亚当斯;德罗尔·奥韦德;托马斯·N·霍尔斯基 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： F16D49/00 文献下载
摘要：本发明揭示蒸气传送系统及方法，其控制来自用于半导体制造的固体馈入材料(尤其是包含簇分子的材料)的蒸气的加热及流动。所述系统及方法安全且有效地将所述蒸气传导到利用点，尤其是到用于离子植入的离子源。离子束植入展示为使用来自所述簇材料的离子。所述蒸气传送系统包括所述离子源的反应性气体清洁、控制系统及协议、广泛动态范围流量控制系统及有效且安全的气化器选择。硼烷、十硼烷、碳硼烷、碳簇及其它大分子经气化以用于离子植入。所述系统展示为与新颖气化器、离子源及反应性清洁系统协作。
离子源一起使用蒸气传送系统用于气化

[发明专利]离子束设备和离子植入的方法-CN200780021260.5无效
发明人：希尔顿·F·格拉维什;达勒·康拉德·雅各布森;托马斯·N·霍尔斯基;萨米·K·哈赫托 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G21K5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种多用途离子植入器束线配置，其经构造以使得能够植入常用单原子掺杂剂离子物质和簇离子，所述束线配置具有质量分析器磁体，其界定在所述磁体的铁磁性极之间的具有相当大宽度的极间隙和质量选择孔隙，所述分析器磁体的大小设定为可容纳来自槽形离子源提取孔隙的离子束，且在对应于所述束的宽度的平面中在所述质量选择孔隙处产生分散，所述质量选择孔隙能够设定为质量选择宽度，所述宽度的大小经设定以选择所述簇的束，所述质量选择孔隙也能够设定为显著更窄的质量选择宽度，且所述分析器磁体在所述质量选择孔隙处具有足以允许选择具有实质上单一原子量或分子量的单原子掺杂剂离子束的分辨率。
离子束设备离子植入方法

[发明专利]汽化器-CN200780020636.0无效
发明人：乔治·萨科;道格拉斯·R·亚当斯;德罗尔·奥韦德;托马斯·N·霍尔斯基;戴维·J·哈特尼特 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01J27/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种汽化器单元，其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度，其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中，且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的温度下。顶部区为与底部区的界面的热分配器，底部的侧壁和底部壁将自界面所接收的热分配到暴露于馈入材料的空腔的表面。机械和电子编码的锁定、防止接近和有效使用提供安全性。硼烷、十硼烷(decaborane)、碳簇和其它大分子被汽化以用于离子植入。展示与新颖蒸汽传送系统以及与离子源配合的此类汽化器。
汽化器

[发明专利]通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法-CN200680043695.5有效
发明人：韦德·A·克鲁尔;托马斯·N·霍尔斯基 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明揭示一种工艺，其包含将碳团簇植入到衬底中以当在制造集成电路中的PMOS晶体管结构的过程中用硼和磷掺杂所述衬底时改进晶体管接面的特性。由此新颖方法产生两个工艺：(1)对USJ形成的扩散控制；和(2)用于应力工程的高剂量碳植入。结合PMOS中的源极/漏极结构的硼或浅硼团簇植入来说明对USJ形成的扩散控制。更明确地说，首先，以与后续硼植入大致相同的剂量将例如C－IeHx+的团簇碳离子植入到源极/漏极区中；然后优选使用例如B18Hx+或BioHx+的硼氢化物团簇，进行浅硼、硼团簇、磷或磷团簇的离子植入以形成源极/漏极延伸。经后续的退火和活化后，由于碳原子吸集间隙缺陷而减少硼扩散。
通过植入碳团簇制造半导体装置系统方法

[发明专利]通过植入N－及P－型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法-CN200810111492.6无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As₄H_x⁺簇与B₁₀H_x或B₁₀H_x⁺簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。
通过植入离子负离子制造 cmos 器件方法

[发明专利]通过植入N－及P－型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法-CN200810111491.1无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As₄H_x⁺簇与B₁₀H_x或B₁₀H_x⁺簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。
通过植入离子负离子制造 cmos 器件方法

[发明专利]一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法-CN03815031.X有效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01J7/24 文献下载
摘要：本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式B_nH_x⁺和B_nH_x^－，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
一种离子植入装置通过氢化制造半导体方法

[发明专利]对从固体升华的蒸气流的控制-CN200480037062.4无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;罗伯特·W·米尔加特三世 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： A01G13/06 文献下载
摘要：一种用于向一真空室输送一稳定的升华蒸气流的蒸气输送系统，其包括一固体材料气化器、一机械节流阀及一压力表、随后是一通往所述真空室的蒸气导管。所述蒸气流速取决于所述气化器的温度及位于所述气化器与所述真空室之间的机械节流阀的流导的设定值二者。所述气化器的温度取决于根据一设定点温度进行的闭环控制。所述机械节流阀受到电控制，例如阀门位置受到根据所述压力表的输出进行的闭环控制。通过此种方式，所述蒸气流速可大体与压力表输出成正比。所有暴露至自所述气化器至所述真空室的蒸气的表面均受到加热来防止冷凝。图中显示一闸阀及一旋转的蝶阀用作上游节流阀。在使用一固定的固体材料充填量时，可使所述气化器的温度在一很长的时间段内保持稳定，在所述时间段内，随着所述充填量的升华，所述节流阀从其工作范围中的一较低的流导缓慢开启。当达到一更大的阀门排放量时，升高温度，以使所述阀门重新调节至其较低的流导设定值，以使其可重新随着所述充填量的进一步消耗而缓慢开启。
固体升华蒸气控制

[发明专利]用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置-CN200480037117.1无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;罗伯特·W·米尔加特三世;小乔治·P·萨科;戴尔·康拉德·雅各布森;韦德·艾伦·科鲁尔 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01J7/24 文献下载
摘要：通过具有使用反应性卤素气体(F1，F2)就地蚀刻清理一离子源(400)及一提取电极(405)的设置的源及通过具备可延长清理之间运行持续时间的特征来增强或延长离子源(400)的运行寿命。后者包括：进行精确的蒸气流量控制，进行离子束光学元件的精确聚焦，及对所述提取电极进行温度控制以防止形成沉积物或防止电极被破坏。一种由一用于产生掺杂剂离子以进行半导体晶片处理的离子源构成的装置耦接至一远端等离子体源，所述远端等离子体源向第一离子源输送F或Cl离子以便清理所述第一离子源及所述提取电极中的沉积物。这些方法及装置能在以可冷凝的溃入气体(例如升华的蒸气源)运行时实现长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化砷元素及磷元素时能实现长的设备正常运行时间、并有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及装置。
用于离子植入延长设备正常运行时间方法装置

[发明专利]通过植入N－及P－型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法-CN03820085.6无效
发明人： 托马斯·N·霍尔斯基;达勒·C·雅各布森;韦德·A·克鲁尔 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As₄H_x⁺簇与B₁₀H_x或B₁₀H_x⁺簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。
通过植入离子负离子制造 cmos 器件方法

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