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[发明专利]包含多种生酸剂化合物的光致抗蚀剂-CN201910614043.1在审
发明人： J·W·撒克里;成镇旭;P·J·拉宝美;V·简恩 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：包含多种生酸剂化合物的光致抗蚀剂。本发明涉及新的光致抗蚀剂组合物，其包括(a)包含与其相连的生酸剂的聚合物；和(b)并不与聚合物相连的且包含一个或多个酸不稳定性基团的生酸剂化合物。
生酸剂化合物光致抗蚀剂聚合物光致抗蚀剂组合物酸不稳定性基团生酸剂

[发明专利]图案处理方法-CN201710561637.1在审
发明人： 成镇旭;李明琦;朴钟根;J·A·凯茨;V·吉安;C·吴;P·D·赫士德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案处理方法，其包含(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征；(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和有机溶剂，其中所述嵌段共聚物包含(i)包含由4‑乙烯基‑吡啶形成的第一单元的第一嵌段，和(ii)包含由乙烯基芳香族单体形成的第一单元的第二嵌段；和(c)从所述衬底去除残余图案收缩组合物，在所述图案化特征的表面上方留下所述嵌段共聚物的涂层，由此提供与涂布所述图案处理组合物之前的图案化特征的图案间距相比减小的图案间距。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
图案处理方法

[发明专利]使用共聚物多层电解质的负型显影方法和由其制备的制品-CN201710590169.0在审
发明人： P·D·休斯塔德;J·朴;J·张;V·吉安;成镇旭 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文公开一种多层制品，其包含衬底；以及安置于所述衬底上方的两个或更多个层，其中每一所述层包含嵌段共聚物，其包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含含有氢受体或氢供体的重复单元，且所述第二嵌段包含当所述第一嵌段的重复单元含有氢受体时含有氢供体或当所述第一嵌段的重复单元含有氢供体时含有氢受体的重复单元；其中所述两个或更多个层的最内层的所述第一嵌段结合到所述衬底，且安置于所述最内层上方的每一层的所述第一嵌段结合到各别底层的所述第二嵌段；且其中最外所述两个或更多个层的所述第二嵌段的所述氢供体或氢受体为封端的。
使用共聚物多层电解质显影方法制备制品

[发明专利]适合与外涂光致抗蚀剂涂层结合使用的涂层组合物-CN201010263243.6有效
发明人： J·P·阿马拉;J·F·卡梅隆;成镇旭;G·P·普罗科普维茨 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-06-12 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一方面，提供了有机涂层组合物，特别是抗反射涂层组合物，其包括含有二烯/亲双烯体的反应产物。另一方面，提供了有机涂层组合物，特别是抗反射涂层组合物，其包括含有羟基‑萘酸基团、例如6‑羟基‑2‑萘酸基团的组分。本发明优选的组合物有助于减少曝光辐射时从基材反射进入其上的光致抗蚀剂涂层，和/或起到平坦化层、适形层或通孔‑填充层的作用。
适合外涂光致抗蚀剂涂层结合使用组合

[发明专利]包含多种生酸剂化合物的光致抗蚀剂-CN201310637229.1在审
发明人： J·W·撒克里;成镇旭;P·J·拉宝美;V·简恩 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：包含多种生酸剂化合物的光致抗蚀剂。本发明涉及新的光致抗蚀剂组合物，其包括(a)包含与其相连的生酸剂的聚合物；和(b)并不与聚合物相连的且包含一个或多个酸不稳定性基团的生酸剂化合物。
包含多种生酸剂化合物光致抗蚀剂

[发明专利]坩埚加热装置和包括该坩埚加热装置的淀积装置-CN200810214020.3有效
发明人：鲁硕原;姜泰旻;成镇旭;李相奉;李承默;朴镇佑;金善浩;郑明钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：一种坩埚加热装置和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。该坩埚加热装置包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在所述主体并具有喷嘴的盖；带，其通过接触部分与所述坩埚相连；热电偶，其与所述带相连；壳体，其用于容纳所述坩埚和所述带；和加热器，其设置在所述壳体内部，用于加热所述淀积材料。
坩埚加热装置包括

[发明专利]具有晒版器件的激光诱导热成像装置-CN200610146554.8有效
发明人：鲁硕原;金茂显;成镇旭;李相奉;金善浩 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： B41M5/382 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。在LITI装置的彼此分隔地置于可转印层和中间器件表面之间的两个组件中形成的磁性材料产生磁力。磁体或磁性材料形成在下面的LITI装置的两个组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；4)基底支撑件和晒版器件。
具有器件激光诱导成像装置

[发明专利]激光诱导热成像设备和激光诱导热成像方法-CN200610143367.4有效
发明人：鲁硕原;金茂显;李城宅;金善浩;成镇旭;宋明原;李相奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： B41M5/382 文献下载
摘要：一种用于成像施主薄膜的成像层到受体基板上的激光诱导热成像设备。该激光诱导热成像设备包括：基板台和施主薄膜，其中，该基板台包括磁铁，并且适于容放具有有机光发射装置的象素区的受体基板，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的永磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
激光诱导成像设备方法

[发明专利]激光诱导热成像的设备和方法及有机光发射显示装置-CN200610143368.9有效
发明人：鲁硕原;金茂显;金善浩;宋明原;成镇旭;李城宅;李相奉 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： B41M5/382 文献下载
摘要：激光诱导热成像(LITI)的设备、LITI的方法及有机光发射显示(OLED)装置。用于形成OLED装置发光层的LITI设备包括：基板台，适合容放受体基板和施主膜以被层压，该受体基板具有OLED装置的像素区和磁铁，该施主膜具有要传输到像素区的发光层；激光振荡器，用于辐射激光到施主膜上；接触框架，适合于设置在基板台和激光振荡器之间，该接触框架具有与传输到受体基板的发光层对应的至少一个传输部分且具有用于与受体基板形成磁力的磁铁；和接触框架传输机构，用于移动接触框架到基板台上。
激光诱导成像设备方法有机发射显示装置

[发明专利]激光诱导热成像设备和制造有机发光二极管的方法-CN200610140373.4有效
发明人：鲁硕原;李城宅;金茂显;宋明原;金善浩;成镇旭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： B41M5/382 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。
激光诱导成像设备制造有机发光二极管方法

[发明专利]有机发光二极管及其制造方法-CN200610139384.0有效
发明人：鲁硕原;金茂显;成镇旭;金善浩;宋明原 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法。该有机发光二极管包括：像素限定层，位于基底上，该像素限定层具有在其中的开口并具有邻近于所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，位于所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。
有机发光二极管及其制造方法

[发明专利]激光感应热成像装置和使用其制造有机发光二极管的方法-CN200610142214.8有效
发明人：鲁硕原;李城宅;金茂显;金善浩;宋明原;成镇旭;李在濠;姜泰旻;金镇洙;郭鲁敏 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B41M5/40 文献下载
摘要：一种激光感应热成像装置和使用该装置制造有机发光二极管的方法，它能在真空状态下进行激光感应热成像时减少或防止受主衬底和施主膜之间杂质或孔隙的出现。一种激光感应热成像装置，包括：包含用于接收成像层的受主衬底的衬底台，该成像层在受主衬底上形成；电磁体；具有永磁体的、设置和层叠在衬底台上的施主膜，且电磁体与施主膜的永磁体形成磁力；用于将激光发射到施主膜的激光振荡器；以及至少在其中设有衬底台的室。
激光感应成像装置使用制造有机发光二极管方法

[发明专利]用于激光诱导热成像的膜供体装置-CN200610121985.9有效
发明人：李承铉;成研周;宋明原;俞炳旭;姜泰旻;成镇旭;鲁硕原;金茂显;金善浩 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
用于激光诱导成像供体装置

[发明专利]激光诱导热成像设备-CN200610121986.3有效
发明人：鲁硕原;金茂显;姜泰旻;郭鲁敏;金镇洙;成镇旭;宋明原;金善浩 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B41M5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)设备和使用该设备制造电子装置的方法。该LITI设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述LITI设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在LITI设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI系统的两个以下组件中：1)半成品装置和膜供体装置；2)半成品装置和接触框；3)基底支撑件和膜供体装置；或者4)基底支撑件和接触框。
激光诱导成像设备

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