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[发明专利]N型双H桥电机驱动芯片的高边驱动方法、装置和电路-CN202310669361.4有效
发明人：陈应秋;刘涛 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及电机驱动芯片技术领域，具体公开了一种N型双H桥电机驱动芯片的高边驱动方法、装置和电路，其中，该方法包括步骤：获取NMOS驱动管的栅极电压；比较NMOS驱动管的栅极电压和预设电压的大小；在NMOS驱动管的栅极电压小于预设电压时，基于电源电压对NMOS驱动管的栅极进行充电，预设电压小于电源电压；在NMOS驱动管的栅极电压大于或等于预设电压时，基于电机驱动芯片的内部电荷泵对NMOS驱动管的栅极进行充电直至NMOS驱动管的栅极电压大于或等于目标电压，目标电压大于电源电压；该方法将高边处的NMOS驱动管的驱动过程区分为两个充电阶段进行，大大缩短了高边处的NMOS驱动管开启时间。
型双电机驱动芯片方法装置电路

[发明专利]一种低压PMOS开关电路、系统、控制方法及控制装置-CN202310683546.0在审
发明人：刘涛;张世东 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及开关电路技术领域，具体公开了一种低压PMOS开关电路、系统、控制方法及控制装置，其中，低压PMOS开关电路包括电源输入端、PMOS开关管、电源电压检测器、逻辑控制器、第一开关、第二开关和负压电荷泵；该低压PMOS开关电路基于电源电压检测器实时检测电源输入端的电压大小，并生成用于判断电源输入端的电压是否能驱动PMOS开关管导通的检测信号，即该检测信号表征了电源输入端的电压是否满足驱动PMOS开关管导通的条件，使得逻辑控制器能根据该检测信号控制PMOS开关管的栅极通过第二开关接地或接入负压电荷泵，使得PMOS开关管在低压状态下能通过负压电荷泵产生绝对值足够大的栅源电压而导通。
一种低压 pmos 开关电路系统控制方法装置

[发明专利]BUCK电路控制方法、装置、电源驱动芯片及开关电源-CN202310683552.6在审
发明人：刘涛 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种BUCK电路控制方法、装置、电源驱动芯片及开关电源，其中，方法包括以下步骤：S1、在BUCK电路的电感电流为负电流时，生成中断检测信号；S2、根据中断检测信号的连续生成次数调节BUCK电路的功耗模式；该方法无需利用常开的电流检测电路进行SENSE负载电流检测，其基于BUCK电路的电感电流变化即可实现自反馈功耗调节，能有效简化BUCK电路结构并降低BUCK电路静态功耗。
buck 电路控制方法装置电源驱动芯片开关电源

[发明专利]编程脉宽调节电路、调节方法、编程电路及快闪存储器-CN202111392226.7有效
发明人：徐明揆;吴彤彤;温靖康 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种编程脉宽调节电路、调节方法、编程电路及快闪存储器，其中，调节电路包括：输入模块，用于获取编程使能信号en和第一偏置电压信号vbp；转换模块，用于根据第一偏置电压信号vbp的大小生成调节信号；输出模块，用于获取编程电流信号pgm_en和调节信号，并根据调节信号和编程电流信号pgm_en生成编程信号pgm_stop；该调节电路根据第一偏置电压信号vbp的大小生成调节信号，然后根据该能反映编程操作进度的调节信号和编程电流信号pgm_en生成编程信号pgm_stop，使得用于对存储单元进行编程操作的编程信号pgm_stop的脉冲宽度可调。
编程调节电路方法闪存

[发明专利]延时关断控制电路、电源及电子设备-CN202310243000.3在审
发明人：李振国;刘永锋 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03K17/28 文献下载
摘要：本发明涉及模拟电路技术领域，具体公开了一种延时关断控制电路、电源及电子设备，其中，延时关断控制电路包括：供电电路、反相电路、RS触发器、第一晶体管、第二晶体管、第一信号输入端、第二信号输入端及第一电容；供电电路的输出端与第一晶体管的源极连接，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，第一信号输入端与第一晶体管的栅极及第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的源极通过第一电容与第二晶体管的漏极及反相电路的输入端连接，反相电路的输出端与RS触发器的R端连接，第二信号输入端与RS触发器的触发端连接，RS触发器的Q端为电路输出端；该延时关断控制电路具有占用版图面积小、结构简单、功耗小的优势。
延时控制电路电源电子设备

[发明专利]采样保持电路、采样保持方法、装置及电流检测电路-CN202310017267.0有效
发明人：王兵 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/59 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种采样保持电路、采样保持方法、装置及电流检测电路，其中，采样保持电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第一电容及保持环路；该采样保持电路的功耗为纳安级，能实现超低功耗的采样保持，即基于有源的保持环路和第一电容进行电荷补偿，能保证采样结束后采样电压信号保持稳定不变。
采样保持电路方法装置电流检测

[发明专利]用于短路保护的瞬态响应电路及电池充电芯片-CN202211677530.0在审
发明人：王兵 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种用于短路保护的瞬态响应电路及电池充电芯片，其中，用于短路保护的瞬态响应电路包括:第一电容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和电流镜模块，该用于短路保护的瞬态响应电路，能够在电池发生意外短路时，自动识别到目标电池的电压产生瞬间突变，并通过改变电路输出端的电压控制开关器件由原来的闭合状态转换为关断状态，实现目标电池充电状态的快速中断，具有反应迅速的特点，有效提高电池充电芯片的安全性，且能在无需增加额外功耗的情况下实现了对目标电池的瞬态短路保护。
用于短路保护瞬态响应电路电池充电芯片

[实用新型]低噪声的有源滤波电路、带隙基准电路及电源管理芯片-CN202223500178.1有效
发明人：刘永锋;王兵 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;成都博尔微晶科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种低噪声的有源滤波电路、带隙基准电路及电源管理芯片，其中，该低噪声的有源滤波电路包括：第一MOS管、第二MOS管、恒流电源、滤波电容、带隙基准输入端及滤波电压输出端；该低噪声的有源滤波电路基于运算放大器和第一MOS管构成等效大电阻，并利用第二MOS管和恒流电源控制第二MOS管的等效电阻，使得第二MOS管的导通电阻与第一MOS管的电阻之比与两者的尺寸之比成反比，从而实现在无需置入电阻器件的情况下获取一个等效大电阻以构成高指数的RC电路，有效降低滤波电路的截止频率，提高滤波效果，并可采用电容量低于一般滤波电路的滤波电容，从而减少了整个电路的面积。
噪声有源滤波电路基准电源管理芯片

[发明专利]一种校验矩阵生成方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111386408.3有效
发明人：黎永健;蒋双泉 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03M13/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片数据纠错技术领域，具体公开了一种校验矩阵生成方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取信息码位数；根据信息码位数获取校验码位数和校验矩阵列数；根据校验码位数和校验矩阵列数获取数据1的总数；根据最佳最小奇重量列码的校验矩阵性质和数据1的总数分配数据1，获取初始矩阵；在初始矩阵上添加单位矩阵组成校验矩阵，单位矩阵的阶数与校验码位数相等；该方法根据代表位宽的信息码位数以及校验码位数、校验矩阵列数确定校验矩阵规模和数据1的总数，并利用最佳最小奇重量列码的校验矩阵性质完成数据1的分配，以快速完成校验矩阵的生成，能极大地缩短最佳最小奇重量列码的校验矩阵的生成时间。
一种校验矩阵生成方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种具有迟滞特性的电压监测电路-CN202210043109.8在审
发明人：吴彤彤;蒋丁;徐明揆;南鍾基 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明属于电压监测电路技术领域，特别涉及一种具有迟滞特性的电压监测电路。本申请通过设置第七场效应管，使电路中存在一条正反馈支路，这条正反馈支路是第七场效应管的漏极处的信号由第二场效应管、第七场效应管两级放大后回到第七场效应管的漏极处，属于并联电压正反馈。第七场效应管在迟滞比较器的负输入端电压超过正输入端电压，并在下降过程中导通，提供了迟滞电压。
一种具有迟滞特性电压监测电路

[发明专利]开关机出错侦测系统、方法及控制终端、装置-CN202111384006.X在审
发明人：林晓新;唐维强;徐光明;孙兆兴 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请涉及芯片测试技术领域，具体提供了开关机出错侦测系统、方法及控制终端、装置，其中，系统包括：控制终端，与所述待测芯片电性连接，用于获取所述待测芯片的错误信息，并根据所述错误信息生成第一控制信息；微控制器，与所述控制终端电性连接，用于获取所述第一控制信息，并根据所述第一控制信息生成触发信息；逻辑分析仪，与所述微控制器和所述待测芯片电性连接，用于获取所述触发信息，根据所述触发信息触发获取所述待测芯片产生所述错误信息时的瞬间异常时序；该开关机出错侦测系统不仅能够准确抓到待测芯片产生错误信息时的瞬间异常时序，还不需要修改待测芯片中的主控端程序，提高了开关机出错侦测系统的通用性。
开关机出错侦测系统方法控制终端装置

[发明专利]闪存芯片的测试方法、装置、系统、电子设备及存储介质-CN202111671086.7在审
发明人：蒋双泉;黎永健 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C29/16 文献下载
摘要：本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种闪存芯片的测试方法、装置、系统、电子设备及存储介质，其中，测试方法包括以下步骤：获取完整测试命令信息；拆解所述完整测试命令信息生成操作信息和地址信息；根据所述操作信息调节多个待测试闪存芯片的写使能状态和/或QPI使能状态；分别发送所述操作信息和所述地址信息给对应的待测试闪存芯片以对所述对应的待测试闪存芯片进行测试，并获取对应的测试结果；该测试方法能同时利用相同的操作信息和地址信息对多个待测闪存芯片进行测试，实现了闪存芯片的批量同步测试，完成芯片流向市场之前的质量检测和评估，有效提升了闪存芯片的测试效率。
闪存芯片测试方法装置系统电子设备存储介质

[发明专利]大容量闪存芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111671091.8在审
发明人：温靖康;刘梦;高益;王振彪 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种大容量闪存芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质，其中，测试方法包括以下步骤：获取全片测试命令；根据闪存芯片中的灵敏放大器的数量及位置信息将闪存芯片的存储阵列划分为多个独立测试区域；根据全片测试命令生成分别对应于每个独立测试区域的独立测试命令；分别根据独立测试命令对对应的独立测试区域进行独立测试；获取所有独立测试的独立测试结果，并根据所有独立测试结果生成闪存芯片的测试结果；该测试方法对应生成独立测试命令以使不同独立测试区域能进行独立测试，从而使得闪存芯片中不同独立测试区域的测试时间能相互重合或交错，减少了整个测试过程耗费的时间，提高测试效率。
容量闪存芯片测试方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种pump电路-CN202111640230.0在审
发明人：蒋丁;温靖康;王小光 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片控制技术领域，具体提供了一种pump电路，其包括：升压电路组，用于根据时钟信号CLK生成输出电压VOUT，其一端与电源电压VCC连接，所述升压电路组包括多个升压电路；时钟控制电路，与所述升压电路组的另一端连接，用于获取所述输出电压VOUT，并根据所述输出电压VOUT生成所述时钟信号CLK；级数控制电路，与所述升压电路组的另一端连接，用于根据所述输出电压VOUT调节所述升压电路组中用于生成所述输出电压VOUT的所述升压电路的接入数量；当输出电压VOUT较高时，级数控制电路控制较少的升压电路接入升压电路组以降低输出电压VOUT和驱动电流，本申请可以使用更小规格的电容从而避免出现设计冗余和产生大量无用功耗的情况。
一种 pump 电路

[发明专利]一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法-CN202111635745.1在审
发明人：蒋双泉;黎永健 -专利权人： 成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对Norflash的小面积、可多次列冗余替换方法，属于半导体存储技术领域，先对替换地址通过两级选择器进行分级拆分处理，然后对主存储区出错处判断第两个选择器的地址是否两次替换，考虑到统一出两次出错后大概率会成为坏区，因此若是相同则跳过，然后执行先判断一一分配的冗余区是否可用，若是不可用则对调用其他的冗余资源对其替换，对冗余区执行若是检测出错误则可将记录信息转存到其他的锁存器中，且具有多次机会，综上可实现兼具小面积和多次列冗余替换，从而在小成本的基础上极大的提升器件良率和芯片性能的一致性。
一种针对 norflash 面积多次冗余替换方法

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