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[发明专利]一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法-CN200510027144.7无效
发明人：郭方敏;甄红楼;陆卫;李宁;林剑锋;朱自强;徐向晏;忻佩胜;陈效双;郭少令;赖宗声 -专利权人：华东师范大学;中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
一种量子红外探测器平面制备方法

[发明专利]MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法-CN200410093144.2无效
发明人：赖宗声;王连卫;忻佩胜;彭德艳;李国栋;汪绳武 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法，包括14个工艺操作步骤：制备第一硅片和第二硅片；生长二氧化硅薄膜；淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层；蚀去第二多晶硅层；去第一正胶；淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜；淀积第三多晶硅层和第四多晶硅层；蚀去第四多晶硅层；制备光纤定位槽腐蚀口和第一电极腐蚀口、第二电极腐蚀口；淀积二氧化硅支臂；制备复合光学薄膜F－P空腔和电极孔；溅射合金铝高反射薄膜；键合；制备光纤定位槽，得MEMS电控动态增益均衡器芯片。该方法有以下优点：采用复合光学薄膜，光信号增益的调节范围大；采用键合工艺，产品可靠；和产品体积小，与大规模集成电路的制作工艺相兼容。
mems 动态增益均衡器芯片制备方法

[发明专利]硅基微机械光调制器芯片的制备方法-CN200410025789.2无效
发明人：茅惠兵;王基庆;赖宗声;忻佩胜;王力 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2004-07-06 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种硅基微机械光调制器芯片的制备方法，包括硅片准备和磷扩散；制备牺牲层二氧化硅薄膜；制备氮化硅薄膜；蒸铝膜；负胶光刻并腐蚀铝膜；反应离子刻蚀氮化硅薄膜；去除铝膜；腐蚀牺牲层二氧化硅薄膜；正胶光刻；制备复合金属膜；完成电极制备；负胶光刻；腐蚀牺牲层二氧化硅得到悬浮腔；反应离子去胶十四个工艺步骤。有工艺才成熟，成本低等优点。本发明的方法制备的硅基微机械光调制器芯片是光纤到户通讯系统中的关键器件。
微机调制器芯片制备方法

[实用新型]硅基级联式MEMS移相器-CN03255246.7无效
发明人：石艳玲;李炜;卿健;赖宗声;朱自强;忻佩胜 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2003-07-04 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01Q3/30 文献下载
摘要：一种硅基级联式MEMS移相器，属于微电子机械和微波通讯器件技术领域。背景技术的级联式MEMS移相器，插入损耗低，移相范围大，下拉电压较高。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器，不仅插入损耗小、移相范围大，而且下拉电压低。本实用新型的技术方案是在已有的硅基级联式MEMS移相器上，部分加宽金属弹性桥4的桥面宽度和选用合适的金属弹性桥4的构成材料。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器还有寿命长，易于与其他元器件集成，体积小，易于制造，生产成本低的优点。
级联 mems 移相器

[发明专利]硅基微机械微波/射频开关芯片的制备方法-CN03151007.8无效
发明人：茅惠兵;赖宗声;朱自强;忻佩胜;胡梅丽 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种硅基微机械微波/射频开关的制备方法，包括硅片准备和第一次氧化；光刻并腐蚀二氧化硅层、制备初步的二氧化硅桥墩16；硅片第二次氧化；再次光刻并腐蚀二氧化硅层，形成二氧化硅桥墩16；制备铬－金双金属层18；光刻并腐蚀铬－金双金属层18，形成传输线10、1、8、7；制备聚酰亚胺牺牲层19；光刻并腐蚀聚酰亚胺牺牲层19；亚胺化；正胶光刻接触层20的图形；蒸发铬－金双金属层21；形成接触层2；制备氮化硅悬臂梁薄膜22；制备并腐蚀氮化硅的铝保护层23；形成悬臂梁3；制备上电极金属层24；形成上电极12、4；形成悬臂梁3的空间结构十八个工艺步骤。有工艺成熟，成本低等优点。硅基微机械微波/射频开关是现代无线通讯系统中的关键器件。
微机微波射频开关芯片制备方法

[发明专利]MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法-CN03128801.4无效
发明人： 忻佩胜;朱自强;赖宗声;杨震;李国栋;彭德艳;李德红;张晓东;汪绳武 -专利权人：华东师范大学;上海永鼎光电子技术有限公司
申请日： 2003-05-26 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：一种MEMS电可调光衰减器芯片的制备方法，属微电子器件制备技术领域，包括14个工艺操作步骤：制备衬底和下电极1；生长二氧化硅薄膜2；制备凹腔22；溅射铝膜；制备牺牲层5；淀积氮化硅薄膜6；溅射铝膜7；光刻腐蚀孔4；去正胶3和铝膜7；光刻上电极图形8；溅射钛铂金膜；制备钛铂金电极；腐蚀牺牲层5，得空腔体10；脱水干燥，得衰减器芯片12，有制备工艺简单，适于批量生产，产品体积小，性能好等优点，适于用来制备MEMS电可调光衰减器芯片12，继而制得MEMS电可调光衰减器器件，可在波分复用光纤光网络中，用来调整均衡各信道光信号的强弱，还可以用于模拟光纤长距离传输的光功率损耗或检测传输系统的动态范围。
mems 调光衰减器芯片制备方法

[发明专利]微电子机械毫米波压控相移器的制造方法-CN02111685.7无效
发明人：郭方敏;赖宗声;朱自强;朱守正;忻佩胜 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2002-05-16 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微电子机械(MEMS)毫米波压控相移器的制造方法,属微电子固体器件制造的技术领域,以产品的半成品,即经加工的、表面刻蚀有接地导带2、信号线4和接线端5的条带图案和信号线4上生长有氮化硅层7的基片1为原料,通过采用调配的环化橡胶负性光刻胶作牺牲层6和光刻胶涂布技术,在该半成品上制成20～30多个高低一致、宽度相同、排列整齐的金属微桥3,有成品率高、电性能优越开启电压低、相移量大,且连续可调的优点,特别适于作毫米波压控相移器。
微电子机械毫米波相移制造方法