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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅粉末以及利用其制造碳化硅晶锭的方法-CN202211665374.6在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：公开了一种碳化硅粉末以及利用其制造碳化硅晶锭的方法。碳化硅粉末包含碳和硅并且通过二维图像分析测量的颗粒圆形度为0.4至0.9。
碳化硅粉末以及利用制造方法

[发明专利]碳化硅粉末、利用其制造碳化硅晶锭的方法及碳化硅晶片-CN202211665498.4在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;甄明玉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉末、碳化硅粉末的制备方法及碳化硅晶片。碳化硅粉末包含碳和硅，并且在碳化硅粉末中，通过X射线光电子能谱法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。
碳化硅粉末利用制造方法晶片

[发明专利]具有优异电磁屏蔽性能和导热率的多层石墨片及其制备方法-CN201980044044.5有效
发明人： 徐正斗;金熏;金政圭;白种甲 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2019-05-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：实施方案涉及具有优异的电磁屏蔽能力和导热率的多层石墨片及其制造方法，所述多层石墨片具有五层以上的多层结构，并且能被制造成厚度为70μm以上以达到显著提高电磁屏蔽能力的目的。此外，所述多层石墨片通过将混合了非均质材料的混合型层压板石墨化而制成的，使得以较低的成本同时实现导热率和电磁屏蔽能力，从而可用作厚膜片，广泛应用于例如家用电器和电动汽车等领域。
具有优异电磁屏蔽性能导热多层石墨及其制备方法

[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法-CN202211379327.5在审
发明人：甄明玉;具甲烈;金政圭;崔正宇;徐正斗;朴钟辉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅晶片及其制造方法。碳化硅晶片包括上表面和下表面，所述上表面包括第一目标区域，所述第一目标区域是以所述上表面的中心为基准在所述上表面的半径的85％以内的区域，在所述第一目标区域中，沿第一方向以15mm的间隔测量的摇摆曲线中的第一峰值ω角以在所述上表面的中心测量的摇摆曲线中的中心峰值ω角为基准在‑0.5°至+0.5°以内，所述第一方向是[1‑100]方向，是通过所述上表面的中心的方向。
碳化硅晶片及其制造方法

[发明专利]碳化硅晶片、外延晶片和半导体器件-CN202210692252.X在审
发明人：崔正宇;甄明玉;朴钟辉;徐正斗;金政圭;具甲烈 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片，外延晶片以及半导体器件。所述碳化硅晶片具有一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面。一个表面的平均Rmax粗糙度为2.0nm或更小，一个表面的平均Ra粗糙度为0.1nm或更小。边缘区域是从碳化硅晶片边缘到中心的距离为碳化硅晶片半径的5％到75％的区域，中心区域是在碳化硅晶片的中心具有碳化硅晶片半径的25％的区域。该一个表面边缘区域的平均Rmax粗糙度和一个表面中心区域的平均Rmax粗糙度之间的差值为0.01nm至0.5nm。本发明的碳化硅晶片在表面的几乎所有区域都具有优异的粗糙度和光学特性，并且表现出均匀的质量。
碳化硅晶片外延半导体器件

[发明专利]碳化硅晶片和应用该碳化硅晶片的半导体装置-CN202210323093.6在审
发明人：崔正宇;朴钟辉;金政圭;徐正斗;具甲烈 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶片和应用该碳化硅晶片的半导体装置。碳化硅晶片包括彼此面对的一个表面和另一表面，其中，一个表面是碳化硅晶体的硅原子层露出的表面，并且另一表面是碳化硅晶体的碳原子层露出的表面，并且其中，在通过激光照射碳化硅晶片的一个表面所得到的光致发光信号强度谱图中，强度超过谱图的平均信号强度1.2倍的峰值信号的数量为1/cm2或更少。
碳化硅晶片应用半导体装置

[发明专利]制备石墨片的方法-CN201780065296.7有效
发明人： 徐正斗;金政圭;白种甲 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：本实施方案涉及一种在不使用昂贵的聚酰亚胺膜的情况下以低成本制备具有高导热率的石墨片的方法。
制备石墨方法

[发明专利]碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统-CN202210038941.9在审
发明人：金政圭;具甲烈;徐正斗;崔正宇;朴钟辉 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅晶片制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统。所述碳化硅晶片制造方法包括弯曲测量步骤；切割开始步骤；切割进行步骤，第一切割速度在约±5％的变化范围内基本上恒定；以及完成步骤，增加所述第一切割速度并且完成碳化硅锭的切割。所述线锯的供给量在切割开始步骤中达到第一供应量，随后在所述完成步骤之前在约±5％的变化范围内基本上恒定。r是所述一个表面的半径，a可以是i)1.4弧度至1.75弧度或ii)2.96弧度至3.32弧度。
碳化硅晶片制造方法系统

[发明专利]碳化硅晶片及其制造方法和半导体器件-CN202111093519.5在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;崔正宇;张炳圭;甄明玉;金政圭;徐正斗 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实施方式提供如下的碳化硅锭及碳化硅晶片：在碳化硅锭的制造过程中，通过控制非活性气体的流量、反应容器的热特性来确保换算弹性模量、硬度等的机械特性。并且，本实施方式提供如下的碳化硅锭及晶片：如位错密度等的缺陷值降低，具有良好的质量。
碳化硅晶片及其制造方法半导体器件

[发明专利]碳化硅锭的制造方法及由此制成的碳化硅锭-CN202110996198.3在审
发明人：朴钟辉;具甲烈;金政圭;崔正宇;高上基;张炳圭;梁殷寿;徐正斗 -专利权人：赛尼克公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅锭的制造方法、碳化硅锭制造系统及由此制成的碳化硅锭，其中，在碳化硅锭的制造步骤中，在正式生长锭的步骤中，设置在反应容器的内部向外部方向具有倾斜角的引导件，并以规定速度移动加热机构，从而根据锭的生长来改变反应容器的内部的温度分布。
碳化硅制造方法由此制成

[发明专利]石墨片及其制备方法-CN201680004414.9有效
发明人：朴岐伦;甄明玉;金政圭;徐正斗;白种甲;朴钟辉;吴浚禄 -专利权人： SKC株式会社
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B32/20 文献下载
摘要：本申请提供一种石墨片，该石墨片在水平和垂直方向的热扩散率之比为300或300以上。此外，本申请还提供了一种在垂直方向上的热扩散率为2.0mm2/s或2.0mm2/s以下的石墨片。该石墨片在水平和垂直方向上具有优异的导热性及柔韧性，并且制造成本低，因此具有经济优势。
石墨及其制备方法

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