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[发明专利]超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法及产品-CN202111417754.3在审
发明人：宿非凡;刘伟洋;徐晖凯;田野;赵士平 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法，所述制备方法可实现三维超导量子比特加工，并提供了制备方法的步骤，还提供了通过超导量子比特及其辅助器件多层膜的制备方法制备的产品。本发明的制备超导量子比特的微纳加工技术，通过激光直写、反应离子刻蚀、高电压电子束曝光等步骤可以实现简单的三维超导量子比特加工。
超导量子比特及其辅助器件多层制备方法产品

[发明专利]用于超导量子电路的真空间隙平行板电容及其制备方法和应用-CN202010800498.5在审
发明人：金贻荣;薛光明;于海峰;令狐克寰;徐晖凯;李志远;李永超;杨真 -专利权人：北京量子信息科学研究院
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于超导量子电路的真空间隙平行板电容，所述真空间隙平行板电容包括上芯片电极板、下芯片电极板和超导焊柱，所述超导焊柱连接所述上芯片电极板和下芯片电极板。还提供了其制备方法和应用。本发明方案针对现有技术问题，提出一种新型量子比特旁路电容设计方案。该设计方案结合倒装焊技术，能够实现真空间隙的平行板电容结构。电容上下极板之间通过超导铟柱进行支撑并提供电连接。由于真空是完全无损耗的，铟柱超导之后也是无损耗的，且平行板电容内部电场分布非常均匀，因此这种电容结构将能够为进一步提升量子比特退相干性能带来好处。
用于超导量子电路真空间隙平行电容及其制备方法应用

[发明专利]多层膜结构、其制备方法及应用-CN201910293113.8在审
发明人：宿非凡;刘伟洋;徐晖凯;田野;吕力;赵士平 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层膜微纳加工方法及其产品和应用。本发明可以应用于所有多层膜工艺的量子比特以及量子比特辅助器件的制作。可以实现三维量子比特及量子比特辅助器件的制作，也可以应用于未来的量子计算中集成化多量子比特的制备。实现3维新型量子比特的制备，加工精度达到纳米级。利用该技术制备负超导量子干涉仪。
量子制备辅助器件多层膜应用超导量子干涉仪多层膜结构量子计算微纳加工集成化纳米级制作三维加工

[发明专利]叉指电容的制备方法及形成相邻的蒸镀图案的方法-CN201410475485.X有效
发明人：薛光明;邓辉;田野;刘伟洋;徐晖凯;郑东宁;赵士平 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种叉指电容的制备方法及形成相邻的蒸镀图案的方法。包括用蒸镀材料形成的蒸气在衬底上形成指对；指对形成步骤包括在衬底上形成一腔室，腔室具有开口和由衬底提供的底壁；对衬底进行第一次蒸镀，使得蒸气沿第一方向进入腔室的内部并形成第一蒸镀膜，第一蒸镀膜的至少一部分形成在底壁上用于形成第一指；对衬底进行第二次蒸镀，使得蒸气经第二方向进入腔室内部并形成第二蒸镀膜，第二蒸镀膜的至少一部分形成在腔室的底壁上以用于形成第二指；第一方向和第二方向选择成使得第一蒸镀膜和第二蒸镀膜在衬底的底壁处横向间隔开。通过蒸镀时调控第一方向、第二方向与竖直面夹角，在避免手指短路的前提下实现了较小的手指间距。
电容制备方法形成相邻图案