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- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910165189.9无效
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徐振斌;郑光茗;庄学理
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2009-07-27
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2010-10-06
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H01L21/8234
- 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括形成一栅极堆叠于一硅基底之上，形成虚置间隙子于该栅极堆叠的侧壁上，各向同性地蚀刻该硅基底以形成凹陷区于该栅极堆叠的一侧，形成一半导体材料于所述凹陷区之内，该半导体材料相异于该硅基底；移除所述虚置间隙子，形成多个栅极间隙子层，其具有氧化物-氮化物-氧化物配置于该栅极堆叠与该半导体材料上，以及蚀刻所述间隙子层以形成栅极间隙子于该栅极堆叠的侧壁上。本发明优点在于该应变界面可提升半导体装置的载流子迁移率；另一优点在于多层配置的间隙子以及最佳化的蚀刻步骤以克服间隙子残留问题；再一优点在于所述方法可相容于CMOS工艺流程且可容易地实行。
- 半导体装置及其制造方法
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