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[实用新型]低失调、低漂移的JFET输入运算放大器-CN201822143995.3有效
发明人：罗志勇;彭焕先;李春悦;苏全振;李庆奎;邱晓华 -专利权人：锦州七七七微电子有限责任公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H03F3/16 文献下载
摘要：一种低失调、低漂移的JFET输入运算放大器，包括集成在同一个芯片上的失调调零电路、输入ESD保护电路、差分输入电路、电压放大电路、偏置电路、保护电路和输出扩流电路；所述差分输入电路包括电源正端VS+、电源负端VS－、三极管Q～Q6以及结型场效应管J1和J2，其特殊之处是：所述结型场效应管J1与J2、三极管Q2与Q3左右布置且分别采用共质心的交叉耦合结构，电阻R1与R2、三极管Q1与Q4、三极管Q5与Q6对称分布在芯片中轴线两侧。本实用新型输入失调电压低、精度高、温度漂移小，对差分输入电路采用完全共质心拓扑结构交叉耦合的版图设计，进一步降低了电路的失调电压及漂移，达到0.1mV以下，满足了使用要求。
三极管差分输入电路输入运算放大器结型场效应管低漂移低失调质心电路芯片漂移电压放大电路交叉耦合结构输出扩流电路本实用新型版图设计电源负端电源正端调零电路对称分布交叉耦合偏置电路失调电压输入失调拓扑结构温度漂移左右布置电压低中轴线电阻失调

[实用新型]单片功率运算放大器-CN201020100559.9无效
发明人： 彭焕先;罗志勇 -专利权人：锦州七七七微电子有限责任公司
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片，其特殊之处是：所述的金属管壳为菱形功率管壳，在单片运算放大器芯片背面设有钛镍银多层电极，所述的单片运算放大器芯片通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上，在金属管壳上还设有二个薄膜过渡基片，在薄膜过度基片上面设有导带，在单片功率运算放大器芯片上对应键合点和导带之间以及在管腿和对应的导带之间键合有硅铝丝。其优点是：输出电流大，可靠性高，在±15V电源电压下可以长时间工作在150mA～200mA的输出电流的状态，并且可以输出大于325mA的电流，完全满足了电压调节器、音频放大器、伺服放大电路和功率驱动电路的要求。
单片功率运算放大器

[实用新型]三端固定正输出集成稳压器-CN201020113524.9无效
发明人：薛晓东;彭焕先;罗志勇 -专利权人：锦州七七七微电子有限责任公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种三端固定正输出集成稳压器，由金属管壳和管芯构成，其特殊之处是：所述的金属管壳为菱形，管芯通过铅锡银合金粘片粘接在金属管壳上。优点是：采用菱形金属管壳以及管芯采用铅锡银合金粘片粘接在管壳上，可以降低管芯封装的热阻，提高电流输出能力，工作温度范围大，可以满足后级运算放大器的要求。
固定输出集成稳压器