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[发明专利]一种基于梯度信息熵正交基分解的磁异常检测方法-CN202111365676.7有效
发明人：王成栋;彭根斋;周家齐;闫欢;陈勇;王豪;雷廷宇 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于梯度信息熵正交基分解的磁异常检测方法。本发明根据采集到的磁梯度张量背景信号的特点估计出信号分布的方差，构建信息熵的指标，并通过此指标来对采集到的五个磁异常梯度张量分量信号进行信息熵处理，再采用新的标准正交基对五个处理后的信号进行整合以及处理，得到梯度信息熵正交基分解的输出信号，再根据输出信号判断是否存在铁磁目标导致的异常信号。
一种基于梯度信息正交分解异常检测方法

[发明专利]一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法-CN202310130224.3有效
发明人：李晓宇;吴薄;王梦佳;刘福涵;彭根斋;闫欢;蒋运石;张志红;张芦 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法，属于微型传感器技术领域，所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口，并在腔体内填充线圈材料，从而使其形成螺线管线圈；将两个硅基片相对的表面进行处理，之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合；本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性，采用刻槽放置磁芯的方法，能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害，采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响，提高器件的工作稳定性和可靠性，也能达到减小器件尺寸的目的。
一种基于 wlp 工艺 mems 磁通门传感器制作方法

[发明专利]一种硅基片上电感及其制作方法-CN202310225334.8有效
发明人：李晓宇;吴薄;王梦佳;兰洋;顾杰斌;彭根斋;唐宝权;蒋运石;张志红;张芦;闫欢 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基片上电感，属于电感器件技术领域，包括硅支架（9）、金属线圈（10）、磁环（11）和电极（12），其中，所述金属线圈（10）通过绕线的方式绕制在硅支架（9）上面并通过堆叠的方式实现线圈闭环，所述磁环（11）绕制在金属线圈（10）中间，所述电极（12）堆叠在电感上并与金属线圈（10）实现互联，本发明还公开了上述电感的制作方法，所述方法包括制作线圈硅片、制作电极硅片以及铸造制备器件等步骤；本发明制备的螺线管式电感器具有占用芯片面积小、涡流损耗小和电感值较高等的优点。
一种硅基片上电感及其制作方法

[发明专利]一种利用时间相干性抑噪的磁异常检测方法-CN202111365646.6有效
发明人：王成栋;彭根斋;雷廷宇;闫欢;陈勇;杨冬辰;周家齐 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用时间相干性抑制背景噪声的磁异常检测方法。该方法利用地磁背景噪声在间隔比较近的时间段内具有较强的的相干性的特点，针对同一传感器采集的不同时间段的信号，在频域自适应地计算地磁背景噪声在时间上的传递函数，利用传递函数消除目标信号中的地磁背景噪声，提高磁异信号的信噪比，以便检测到磁异常目标。本发明可以提高磁异常信号的信噪比，有助于找到磁性目标。
一种利用时间相干性异常检测方法

[发明专利]一种基于级联检测系统的磁异常信号检测方法-CN202111365585.3有效
发明人：王成栋;彭根斋;杨冬辰;闫欢;陈勇;王豪;周家齐 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种级联随机共振的磁异常信号检测方法。在双稳态随机共振系统的基础上，对随机共振处理之后的信号进行标准正交基分解，通过对标准正交基分解后的能量使用蒙特卡罗方法进行样本估计，然后进行恒虚警检测，并且通过级联级联检测系统的方法来识别目标磁信号是否存在磁异常。
一种基于级联检测系统异常信号方法

[发明专利]一种磁通门传感器ASIC接口电路-CN202211673736.6在审
发明人：陈姝言;兰雨娇;李晓宇;王梦佳;彭根斋 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01R33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁通门传感器ASIC接口电路，属于磁变量测量领域，用于和探头一起构成磁通门传感器，包括振荡器、开关网络、选频放大电路；振荡器第一输出端用于输出频率为f1的本振信号，第二输出端用于输出频率为1/4 f1的方波信号；第一输出端经分频计数器连接探头，经分频计数器将本振信号八分频后送入探头中产生频率为1/8 f1的交变电压信号；所述第二输出端和探头的输出端均连接开关网络，所述开关网络用于根据方波信号对交变电压信号的二次谐波分量进行解调，解调为仅有二次谐波分量的单相电压信号。本发明具有小型化、低功耗、高信噪比的特点，能以在弱信号下得到高信噪比的检测信号，更适合应用于航天及单兵装备磁强计领域进行磁场测量。
一种磁通门传感器 asic 接口电路

[发明专利]电子罗盘传感器误差及安装误差快速标定与补偿方法-CN202211611052.3有效
发明人：文泓琛;彭根斋;唐宝权;张芦;张志红;白雪;袁荟烽 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01C17/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子罗盘传感器误差及安装误差快速标定与补偿方法，涉及电子罗盘的误差补偿领域，其方法为：先选择一电子罗盘，得到MEMS三轴加速度计在每个位置处x、y、z轴上的理论值和初始测量值、和x、y轴上多个样本点的初始磁场强度，送入卡尔曼滤波器；再求解MEMS三轴加速度计的误差补偿参数矩阵、以及磁场数据的椭圆拟合参数，分别对MEMS三轴加速度计和磁传感器数据进行补偿，本发明不仅能减小数据输出噪声，还能有效地补偿MEMS加速度计自身零偏、刻度因子、非正交及安装误差，并且对外界的磁场干扰进行补偿。精度较高，操作简单，易于实现，具有重要的工程实用价值。
电子罗盘传感器误差安装快速标定补偿方法

[发明专利]电子罗盘传感器温度误差一体化标定与补偿方法-CN202211426042.2在审
发明人：唐宝权;彭根斋;白雪;张芦;张志红;文泓琛 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子罗盘传感器温度误差一体化标定与补偿方法，包括将电子罗盘置于温箱内六个测试位上；分别求解加速度传感器在三轴上的正向校准参数、反向校准参数和磁传感器在三轴上的校准参数；再将电子罗盘置于工作环境中，根据当前温度、当前的测量值，利用校准参数进行补偿。本发明通过6个特殊位置等效形成变化的环境磁场和重力场作用在电子罗盘的传感器上，依据不同环境磁场和重力场作用时传感器敏感轴测量值随温度的变化特性，同时完成加速度传感器和磁传感器温度补偿参数计算，直接对电子罗盘系统的传感器进行温度补偿校准，极大的提升了温度补偿准确性和可靠性，简化了校准步骤，满足批量化生产时电子罗盘传感器温度误差标定需要。
电子罗盘传感器温度误差一体化标定补偿方法

[发明专利]基于单霍尔探头的宽量程强磁场测量系统及其测量方法-CN202211298871.7有效
发明人：唐宝权;彭根斋;闫欢;张芦;张志红;赵勇;白雪;袁荟烽 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单霍尔探头的宽量程强磁场测量系统及测量方法，包括磁感知探头、信号调理和模拟转换子单元、控制与校准子单元和探头激励子单元，磁感知探头输入端和输出端分别连接探头激励子单元和信号调理和模拟转换子单元，控制与校准子单元与信号调理和模拟转换子单元、和探头激励子单元双向通信。本发明仅采用单根磁感知探头，采用两种信号调理电路搭配2片ADC协同完成磁信号采集，在保证磁场采集精度的前提下能实现自动量程检测，最终实现了20T宽量程范围的多段磁场高精度磁场检测功能。相较于传统多探头分量程范围实现宽量程范围磁场信号采集，本发明具有操控简单方便、实用性强、校准效率高等特点。
基于霍尔探头量程磁场测量系统及其测量方法

[发明专利]MEMS磁通门传感器检测系统及方法-CN202210596082.5在审
发明人：陈嘉民;邹旭东;马良博;许薇;张志红;彭根斋 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R33/028 文献下载
摘要：本公开提供一种MEMS磁通门传感器检测系统，包括：激励单元，用于产生三路信号；其中一路为激励信号，另外两路为正交参考信号；MEMS磁通门传感器，其输入端与激励单元的激励信号端连接，其输出端连接到解调单元，用于提取与外界磁场信号相对应的磁通门信号；检测单元，包括解调单元和数据处理模块，解调单元包括正交乘法解调模块、平行乘法解调模块，解调单元分别与激励单元的两路正交参考信号端连接；数据处理模块根据磁通门信号、正交参考信号计算得到外部磁场的强度。本公开还提供一种MEMS磁通门传感器检测系统的检测方法。本公开的检测系统和检测方法能够实现微弱磁场的高精度测量。
mems 磁通门传感器检测系统方法

[发明专利]基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法-CN202210115351.1有效
发明人：李晓宇;冯楠轩;王梦佳;彭根斋;兰洋;胡艺缤;张志红 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01P1/383 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
基于 mems 技术通讯用集总参数环行器及其制作方法

[发明专利]一种基于参数优化随机共振的磁异常信号检测方法-CN202011532926.7有效
发明人：王成栋;彭根斋;杨冬辰;闫欢;陈勇 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01V3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于参数优化随机共振的磁异常信号检测方法。本发明根据磁异常信号磁偶极子的特征和随机共振系统的特点进行建模，构建影响因子指标，并通过此指标和输出标准差来量化随机共振系统的输出响应，采用智能优化算法寻找最优参数，实现参数的自适应匹配，最后将采集的磁信号作为输入，得到随机共振系统的输出信号，再根据输出信号判断是否存在铁磁目标导致的异常信号。
一种基于参数优化随机共振异常信号检测方法

[发明专利]一种磁异常检测的自适应去噪方法及平台-CN202111365721.9在审
发明人：王成栋;彭根斋;王豪;闫欢;陈勇;杨冬辰;雷廷宇 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁异常检测的自适应去噪方法及平台，能够根据不同应用场景，对含有地磁背景噪声的磁异常信号进行去噪，提高信噪比。该方法的具体步骤包括：1)现场安装并调整仪器；2)根据应用场景估计现场参数的范围；3)根据现场参数的范围确定去噪算法的参数；4)开启磁异常信号采集平台；5)得到高信噪比的磁异常信号。采集平台主要包括上位机、采集器、磁传感器、外场电源；现场的仪器调整包括磁传感器的方位、水平和传感器间的距离。方法根据现场环境估算磁目标运动速度的范围、运动轨迹与磁传感器最近距离的范围，然后根据估算范围得到去噪方法的参数，最后开启磁异常信号采集平台，得到高信噪比的磁异常信号。本发明目的在于提供一种磁异常检测自适应去噪方法，根据使用场景调整去噪算法的参数，提高采集信号的信噪比。
一种异常检测自适应方法平台

[实用新型]一种用于高精度电子罗盘批量快速标定装置-CN202121828751.4有效
发明人：刘有彬;白雪;朱家辉;胡艺缤;张志红;彭根斋;杨勤 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01C17/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高精度电子罗盘批量快速标定装置，属于电子罗盘领域，包括水平调整平台，所述水平调整平台上设置有一个主定位槽，所述主定位槽内安装有一个正六面体，所述正六面体的内侧的每个面分别安装待标定的电子罗盘，所述水平调整平台下设置有调平装置，在所述主定位槽内还设置有用于安装电子罗盘的副定位槽；采用本实用新型的标定装置实现电子罗盘的批量快速标定，大大地降低了操作复杂度，提升了效率和标定结果的准确性，满足高精度电子罗盘的标定要求。
一种用于高精度电子罗盘批量快速标定装置

[实用新型]一种优化的铁氧体移相器驱动电路-CN202121581793.2有效
发明人：赵勇;唐宝权;张志红;胡艺缤;彭根斋;白雪;刘有彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种优化的铁氧体移相器驱动电路，包括电源、H桥电路和铁氧体，所述电源包括第一驱动电源和第二驱动电源；所述H桥电路包括四个N‑MOSFET管Q1、Q2、Q3和Q4，铁氧体一端接在Q1的S极和Q3的D极之间，另一端经功率电感L1接在Q3的S极和Q3的D极之间，第一驱动电源和第二驱动电源分别经一储能滤波电容接地。本实用新型增设功率电感，能有效解决铁氧体移相器置位电流前段的电流陡峭问题，使移相器在置位电流前段具有更好的可调性，提高铁氧体移相器的相位利用率；通过设计两个驱动电源，可以更加灵活的调节置位过程和复位过程的驱动时间。
一种优化铁氧体移相器驱动电路

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