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[发明专利]一种具有垂直裂缝结构的低热导率热障涂层及其制备方法-CN202111318058.7有效
发明人：马文;高元明;白玉;张鹏;齐英伟;张辰楠;董红英;黄娇 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C4/11 文献下载
摘要：本发明公开一种具有垂直裂缝结构的低热导率热障涂层及其制备方法，热障涂层的化学式为Srx(Zr0.9A0.05B0.05)O1.95+x，A和B分别为镧、铈、钕、钐、铕、钆、镝、铒、镱、镥、钇中的一种，且A与B不相同，0.8≤x≤1.0；制备方法为：以硝酸锶、硝酸锆、A(NO3)3和B(NO3)3加入水中，得到混合硝酸盐溶液；将其和氨水同时滴入草酸铵溶液中；滴定完成并经陈化、水洗和醇洗，得粉体浆料；将粉体浆料与分散剂混合后加入去离子水和磨珠球磨，得前驱体悬浮液；将前驱体悬浮液喷涂到基体材料上。本发明的热障涂层具有优良的高温相稳定性，均匀分布的垂直裂缝结构，有利于降低涂层热导率并获得长寿命。
一种具有垂直裂缝结构低热热障涂层及其制备方法

[发明专利]氧化物陶瓷包覆金属铝的低红外、抗氧化复合材料、制备方法及其应用-CN202111577492.7有效
发明人：马文;齐英伟;李恩博;白玉;董红英;李杨扬;张鹏;张辰楠;刘红霞 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明公开氧化物陶瓷包覆金属铝的低红外、抗氧化复合材料、制备方法及其应用，复合材料以金属铝为核材料，以氧化物陶瓷粉体为包覆型壳材料；所述金属铝为片状金属Al粉，所述氧化物陶瓷粉体为氧化锆、锆酸锶或稀土锆酸盐。通过氧化物陶瓷包覆获得一种具有高温低红外辐射性能的核壳复合粉体材料。所制复合粉体可在600℃以下温度环境中长期保持较低红外辐射水平。室温至600℃范围，其中Al@ZrO2核壳复合粉体3‑5μm及8‑14μm波段红外辐射率分别为0.215‑0.256，0.213‑0.252。
氧化物陶瓷金属红外氧化复合材料制备方法及其应用

[发明专利]基于离子体积差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法-CN202210931874.3在审
发明人：马文;张鹏;白玉;董红英;刘红霞;张辰楠;李杨扬;齐英伟 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N25/18 文献下载
摘要：本发明公开了基于离子体积差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法，包括如下步骤：步骤一，以晶格动力学和玻尔兹曼输运方程为基础，根据陶瓷材料掺杂后掺杂离子和宿主离子的体积差会造成声子散射的原理，推导出掺杂后晶体声子驰豫时间表达式；步骤二，根据所述声子弛豫时间表达式求得掺入每种稀土元素后晶体的声子驰豫时间；步骤三，求得的所有声子弛豫时间中最低声子驰豫时间对应的稀土元素即为可以最有效降低该晶体热导率的稀土元素；本发明从严格的理论推导上给出了可执行的稀土元素掺杂陶瓷材料降低热导率的稀土元素选择方法，且易于操作，大大降低了人力物力消耗。
基于离子体积降低陶瓷材料热导率稀土元素选择方法

[发明专利]基于离子质量差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法-CN202210931875.8在审
发明人：马文;张鹏;董红英;白玉;闫淑芳;李杨扬;张辰楠;齐英伟 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于离子质量差降低陶瓷材料热导率的稀土元素选择方法，包括如下步骤：步骤一，推导出掺杂后晶体声子驰豫时间表达式；步骤二，根据所述声子弛豫时间表达式中，求得掺入每种稀土元素后晶体的声子驰豫时间；步骤三，将求得的所有声子弛豫时间排序,得到最低声子驰豫时间对应的稀土元素，即为可以最有效降低该晶体热导率的稀土元素；本发明为从严格的理论推导上给出了可执行的稀土元素掺杂陶瓷材料降低热导率的稀土元素选择方法，易于操作，且经济成本低，能够有效的降低稀土元素掺杂陶瓷材料的研发成本，缩短研发周期。
基于离子质量降低陶瓷材料热导率稀土元素选择方法

[发明专利]一种硒代羟基磷灰石涂层及其制备方法和应用-CN202111614857.9有效
发明人：白玉;李多多;张辰楠;马文;王家琪 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： A61L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种硒代羟基磷灰石涂层及其制备方法和应用，其制备方法为：将四水硝酸钙和/或氯化钙溶于水后,调pH，得到混合溶液A；将磷酸氢二铵和/或磷酸二氢铵、以及亚硒酸钠和/或亚硒酸钾依次溶于水并调pH，得到混合溶液B；在水浴条件下，将混合溶液B逐滴加入混合溶液A中，反应结束后继续水浴加热、陈化，用去离子水洗涤沉淀物至上清液为中性，得到粉体沉淀；向粉体沉淀中加入去离子水和分散剂，进行球磨，得到待喷涂悬浮液；将待喷涂悬浮液喷涂到钛合金基体表面；该涂层可用于氟中毒患者的骨科植入材料。本发明将硒掺杂到HA中并喷涂到骨科植入材料表面，可用于改善氟中毒患者骨损伤部位的微环境，达到骨损伤修复的目的。
一种羟基磷灰石涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种低热导率、高相稳定性的锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料及其制备方法和应用-CN201911222586.5有效
发明人：马文;张景新;白玉;董红英;张辰楠;张鹏;齐英伟;陈伟东 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开一种低热导率、高相稳定性的锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料及其制备方法和应用，所述锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料的化学式为SrX(Zr0.9Yb0.05A0.05)O1.95+X，其中A为Y或Gd，X为大于或等于0.7，且小于或等于0.9；采用固相法制备：以SrCO3、ZrO2、Yb2O3和A2O3粉体为原料，将原料称重后混合，用研钵进行研磨，以无水乙醇为介质；然后进行焙烧及热处理，得到锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料。本申请制备方法简单，原料易得且价格低廉。该材料在室温至1450℃温度范围内有很好的相稳定性，并且热导率最高的陶瓷比现有热障涂层材料低30％以上，比锆酸锶材料低20％以上；热导率最低的陶瓷比常规热障涂层YSZ材料降低了40％以上，比锆酸锶材料降低30％以上。
一种低热稳定性锆酸锶基复合陶瓷热障涂层材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钛合金表面阻燃封严一体化涂层及其制备方法和应用-CN201911229347.2有效
发明人：马文;齐英伟;白玉;汪瑞军;马小斌;鲍曼雨;赵嘉炜;张辰楠;陈伟东 -专利权人：内蒙古工业大学;北京金轮坤天特种机械有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C4/129 文献下载
摘要：本发明公开一种钛合金表面阻燃封严一体化涂层及其制备方法和应用，涂层由阻燃层涂层和可磨耗封严涂层组成，所述阻燃层涂层位于钛合金表面与可磨耗封严涂层之间。制备方法包括如下步骤：(1)钛合金基材的表面处理；(2)钛合金基材的预热；(3)阻燃层涂层的制备；(4)可磨耗封严涂层的制备。本发明将钛锆非晶合金的阻燃层作为粘结层使用，取消了原有的粘结层，采用镍铬铝‑膨润土作为可磨耗的封严面层，其作用是保护叶片与机匣，同时降低之间的孔隙率，提高热效率，从而降低制造成本，减小维护成本。
一种钛合金表面阻燃一体化涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种Al3+-CN201911176014.8有效
发明人：马文;李恩博;白玉;董红英;张鹏;张辰楠;齐英伟;陈伟东 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开一种Al3+掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法，半导体陶瓷材料的分子式为SrZr1‑xAlxO3，其中x为Al3+掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO3为基体，掺杂不同比例的Al3+制备获得半导体陶瓷材料，具体包括如下步骤：(1)锆酸锶粉体制备；(2)素坯成型；(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3‑5μm波段小于0.5，热导率低于2.5W·m‑1·K‑1，能够在室温至1400℃环境温度下使用，并且在600‑1200℃下的热导率可降至1.5W·m‑1·K‑1以下，可以很好的在高温环境中服役，并且在长期的高温环境中性能稳定，抗腐蚀氧化能力强。
一种 al base sup

[发明专利]一种钕铁硼磁体表面复合耐蚀涂层及其制备方法-CN201911151528.8在审
发明人：马文;高元明;白玉;董红英;张鹏;张辰楠;齐英伟;贾瑞灵 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开一种钕铁硼磁体表面复合耐蚀涂层及其制备方法，复合耐蚀涂层自钕铁硼磁体表面向外依次包括冷喷涂铝涂层、表面钝化处理得到的氧化铝钝化层和封孔陶瓷漆层。制备方法包括如下步骤：(1)钕铁硼基体的表面处理；(2)铝粉的处理；(3)冷喷涂铝涂层；(4)钝化处理得到氧化铝钝化层；(5)封孔处理得到封孔陶瓷漆层。本发明制得的钕铁硼磁体表面铝基复合耐蚀涂层具有优异的耐局部腐蚀性能，既与钕铁硼磁体良好的结合形成耐蚀涂层，又克服了单纯铝涂层自身存在强度和硬度较低和表面存在微孔的缺陷，作为烧结钕铁硼磁性材料表面防腐工艺，延长其使用寿命。
一种钕铁硼磁体表面复合涂层及其制备方法

[发明专利]含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法-CN201110383773.9无效
发明人：杨槐;王冬;张永明;苗宗成;张辰楠;金召奎 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C07C255/50 文献下载
摘要：本发明属于液晶化合物合成技术领域，涉及含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法。该化合物结构如下所示：其中n为1-4的整数，R₁为供电子基团，R₂为吸电子基团。该类化合物主要经Sonogashira偶联反应和去三甲基硅反应得到。本发明制备的一类含氟双二苯乙炔液晶化合物具有大的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团，且分子无对称性。本发明制备的含氟双二苯乙炔类液晶化合物具有大双折射率，且分子两端基团的特点，将在非线性光学、3D图像显示、空间光调制器及光学设备上有很大的应用前景。
含氟双二苯乙炔液晶化合物及其制备方法

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