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[发明专利]半导体开关触发装置-CN202211617257.2在审
发明人：彭军华;操国宏;曾文彬;张西应;金新亚;张志豪;刘栋;高超;窦金龙;唐柳生;刘应;文鼎 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03K3/57 文献下载
摘要：本申请提供的一种半导体开关触发装置，通过光脉冲激发电路激发脉冲信号，脉冲电流形成电路，上位机控制所述供电电路的输出不同的电压，以使所述脉冲电流形成电路能够输出不同的脉冲电流，从而能够实现脉冲电流可调。
半导体开关触发装置

[发明专利]一种双向晶闸管及其制造方法-CN201911109074.8有效
发明人：王政英;姚震洋;朱为为;李勇;操国宏;王东东;郭润庆;王亚飞;张西应;高军;银登杰 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。
一种双向晶闸管及其制造方法

[发明专利]直流高压电源、高位取能装置及其供电方法-CN201510701625.5有效
发明人：唐柳生;任亚东;颜骥;吴煜东;孙文伟;张西应;石铿 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明提供了一种直流高压电源、高位取能装置及其供电方法，包括高压输入端、低压输出端、取能电路、储能电路、锁存电路和节流电路；取能电路包括开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路通过控制开关的导通来控制高压输入端向储能电路充电；锁存电路与储能电路和开关电路连接，用于在储能电路充电完成后，通过控制开关的关断来控制高压输入端停止向储能电路充电；节流电路的输入端与储能电路连接、输出端与低压输出端连接，用于对储能电路输出的电流进行节流恒流处理，并将处理后的电流输出至低压输出端。本实施例中的高位取能装置具有接线方式简单、电压应用范围大、漏电流小以及供电时间长等优点。
直流高压电源高位装置及其供电方法