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[发明专利]一种氧化锆陶瓷表面镀覆的二氧化锆纳米管薄膜涂层及其制备方法与应用-CN201811520056.4有效
发明人：王辰;张耿民;许亦权;梁莉;陈燕辉;韩雪;杨楠 -专利权人：中国人民解放军总医院第八医学中心
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A61K6/818 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锆陶瓷表面镀覆的二氧化锆纳米管薄膜涂层及其制备方法与应用。所述薄膜涂层包括锆微米膜和ZrO2纳米管层，锆微米膜位于所述氧化锆陶瓷与ZrO2纳米管层之间，分别与氧化锆陶瓷和ZrO2纳米管层接合，用于连接氧化锆陶瓷和ZrO2纳米管层。本发明先以离子镀膜技术在氧化锆陶瓷表面镀以锆膜，再通过阳极氧化将锆膜部分氧化成ZrO2纳米管。本发明将物理镀膜和电化学氧化方法结合后，成功地在化学惰性极强的氧化锆陶瓷表面制备出纳米管结构的薄膜涂层，有效提高了粘接剂在氧化锆陶瓷表面的润湿性，可明显增强氧化锆陶瓷与粘接剂的粘接强度，极大改善了氧化锆陶瓷的粘接性能，实现其在牙科修复体中更广泛的临床应用。
一种氧化锆陶瓷表面镀覆纳米薄膜涂层及其制备方法应用

[实用新型]一种湿开棉辊气动制动装置-CN201921437813.1有效
发明人：王明国;魏同;张耿民;潘召军;韩荣桓 -专利权人：山东英利实业有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： D01G9/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿开棉辊气动制动装置，包括湿开棉辊轴，所述湿开棉辊轴的自由端套设有制动盘，所述湿开棉辊轴的顶端设有相互适配的平键和键槽；所述湿开棉辊轴的端部设有分别和所述制动盘和平键固定连接的压盘；还包括夹持住所述制动盘的气动制动钳，所述制动盘伸入所述气动制动钳的制动衬块内，所述气动制动钳与压缩空气气源连通。该装置使用简单，制动时间可调，制动效果好，尤其适用于湿开棉辊停车清理、检修过程。
一种湿开棉辊气动制动装置

[实用新型]一种氧化锆陶瓷表面镀覆的二氧化锆纳米管薄膜涂层和氧化锆陶瓷牙科冠桥修复体-CN201822084566.3有效
发明人：王辰;张耿民;许亦权;梁莉;陈燕辉;韩雪;杨楠 -专利权人：中国人民解放军总医院第八医学中心
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氧化锆陶瓷表面镀覆的二氧化锆纳米管薄膜涂层，所述薄膜涂层包括锆微米膜和二氧化锆纳米管层，锆微米膜位于所述氧化锆陶瓷与二氧化锆纳米管层之间，分别与氧化锆陶瓷和二氧化锆纳米管层接合，用于连接氧化锆陶瓷和二氧化锆纳米管层。本实用新型先以离子镀膜技术在氧化锆陶瓷表面镀以锆膜，再通过阳极氧化将锆膜部分氧化成二氧化锆纳米管。本实用新型将物理镀膜和电化学氧化方法结合后，成功地在化学惰性极强的氧化锆陶瓷表面制备出纳米管结构的薄膜涂层，有效提高了粘接剂在氧化锆陶瓷表面的润湿性，可明显增强氧化锆陶瓷与粘接剂的粘接强度，极大改善了氧化锆陶瓷的粘接性能，实现其在牙科修复体中更广泛的临床应用。
氧化锆陶瓷二氧化锆纳米管本实用新型薄膜涂层粘接剂锆膜离子镀膜技术电化学氧化纳米管结构牙科修复体表面镀覆表面制备化学惰性临床应用物理镀膜阳极氧化粘接性能表面镀润湿性接合粘接成功

[发明专利]一种基于动量分析器的飞行时间质谱计-CN201410126379.0无效
发明人：郭等柱;张耿民;薛增泉 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本发明提出一种基于动量分析器的飞行时间质谱计（MTOF-MS），使得离子质量数与其飞行时间呈线性关系，从而大大扩展仪器的质量数上限，明显提升仪器的分辨本领。本发明所依据的物理原理是，将传统的“等做功”离子加速方式改变为“等冲量”离子加速方式，也即，先把所有离子压缩到一个薄层内等待起飞，然后用高压窄脉冲加速离子，所有等电荷离子将获得同样的动量，再进入无场漂移区，最后按照离子质量数不同陆续到达探测器。也可以让离子通过无场漂移区后再进入离子反射器，折返后再次通过无场漂移区最后陆续到达探测器。按照到达离子的时间序列记录信号，即可识别离子种类。
一种基于动量分析器飞行时间质谱计

[发明专利]一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法-CN201210488574.9无效
发明人：梁佳;张耿民 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法，其步骤主要包括：首先将摆洗好的钛片进行第一次阳极氧化，完毕之后，利用超声去掉附着在钛片上的二氧化钛纳米管薄膜；然后，将钛片重新装入电极，进行第二次阳极氧化，完毕之后，取出钛片进行摆洗；最后即可获得二氧化钛纳米尖阵列薄膜。本发明的方法实现了适合于场发射的二氧化钛纳米尖阵列的制备。与传统的微电子场发射针尖阵列相比，本发明方法简单，制备参数容易控制，而且阵列的尖端比较尖锐，有利于场发射的获得。而且，经高温退火后的二氧化钛纳米尖阵列薄膜，具有更低的开启与阈值场强，特别是在450℃下退火的样品具有最小的开启与阈值场强，场发射性能明显提高。
一种用于发射氧化纳米阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法-CN201010033725.2无效
发明人：李仕琦;张耿民 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压突然升高至90-200V保持0.5-10min，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。该方法通过电压跃迁使得氧化钛纳米管阵列与基底的脱离和氧化钛纳米管底部的打通同时实现，大大简化了双通氧化钛纳米管阵列的制备过程，且制备参数容易控制，氧化钛纳米管阵列底部打开的效果好，对促进氧化钛纳米管阵列在光电转换中的应用有着重要的意义。
一种氧化纳米阵列制备方法

[发明专利]一种微型原子气室封装设备及工艺技术方法-CN200810224030.5有效
发明人：郭等柱;苏娟;汪中;陈徐宗;张耿民;赵兴钰 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种微型原子气室封装设备及工艺技术方法，包括：样品室、压力杆、样片、样品台、加热丝与测温探头、真空泵连接口、充气进口、直流高压电源、电压表、电阻和其它测控装置，包括步骤1材料的选取，步骤2材料的加工，步骤3样片的清洗，步骤4第一面键合，步骤5第二面键合，步骤6样品检测，将采用原位化学反应法生成的金属铷封闭在微型气室中的方法。本发明的有益效果具体如下：本发明涉及的专用设备是基于阳极键合技术原理的，采用了相对廉价的机械泵—分子泵抽气机组的普通高真空系统，同时用惰性气体对真空系统反复充气“清洗”以及对样片局部进行高温烘烤除气等措施来尽可能地减轻残余气体和吸附气体的影响，特别是减轻铷的氧化问题。
一种微型原子封装设备工艺技术方法

[发明专利]一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法-CN200810101187.9无效
发明人：奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
一种具有三维凹陷结构及其制备方法

[发明专利]具有三维凹陷结构的硅及其制备方法-CN200810101189.8无效
发明人：奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。
具有三维凹陷结构及其制备方法

[发明专利]一种具有三维中空结构的硅及其制备方法-CN200810101190.0无效
发明人：奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
一种具有三维中空结构及其制备方法

[发明专利]具有三维中空结构的硅及其制备方法-CN200810101188.3无效
发明人：奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋脊长度和底面长方形的宽度的和，特别的，当屋顶形的屋脊长度为零时，该屋顶形退化为正四棱锥形，也可以称为金字塔形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
具有三维中空结构及其制备方法

[发明专利]一种氧化锌铁电薄膜的制备方法-CN200710119652.7无效
发明人：于利刚;张耿民;栾桂东;张金铎;郭等柱 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.清洗锌片，除去锌片表层的氧化物并使之平整；b.以0.3～0.5摩尔/升的氢氧化锂水溶液作为电解液，阳极氧化锌片；c.取出锌片，用去离子水冲洗干净，在锌片表面获得氧化锌薄膜，该薄膜为多孔状结构，厚度可达10微米，呈现铁电性质。本发明的方法实现了氧化锌在溶液法生长过程中的锂掺杂，获得了具有铁电性质的氧化锌薄膜，简单易行，所需原料廉价，所用设备简单，制备参数容易控制，实现了氧化锌由一般的压电材料向铁电材料的转化。
一种氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]一种光控燃料气体源的制造方法及其制备装置-CN200510086422.6无效
发明人：郭等柱;薛增泉;张耿民;张兆祥;赵兴钰;张琦锋;侯士敏;申自勇;高崧;吴锦雷 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H₂)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。
一种光控燃料气体制造方法及其制备装置

[发明专利]碳纤维复合单根碳纳米管及其制备方法-CN200510011678.0无效
发明人：薛增泉;奚中和;张耿民;张暐;王胜;吴越;王晶云;梁学磊;吴锦雷;彭练矛;赵兴钰 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： B32B5/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
碳纤维复合单根碳纳米及其制备方法

[发明专利]氧化钨微米管及其制备方法-CN200610011721.8无效
发明人：奚中和;张耿民;吴越;郭等柱 -专利权人：北京大学
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称，直径为1至6微米，长度为5至10微米。所述的制备方法包括步骤：(1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中；(2)通入保护气体，除去反应腔室内空气，并使腔内压强保持在0.35至0.45MPa之间；(3)加热，使反应腔室内温度达到1100－1300℃，并保持30－45分钟，在钨基底上生长氧化钨微米管，其化学成分为WO₃·xH₂O；(4)反应腔室内温度自然降至室温，微米管的化学成分由WO₃·xH₂O脱水而成为六角型氧化钨：h－WO₃。
氧化钨微米及其制备方法

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