“张毅先”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果35个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]ESD保护电路及显示装置-CN202210328429.8有效
发明人： 张毅先;胡俊艳;陈诚;戴超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请实施例提供的ESD保护电路及显示装置中，包括侦测模块、放大模块以及放电模块，采用侦测模块能以较快的速度感知到I/O端上出现了ESD异常电荷；然后通过放大模块将ESD异常电荷放大，从而使放电模块更充分地导通，以实现更好的ESD保护效果。本申请实施例采用了低温多晶氧化物晶体管技术，可以实现性能良好的侦测模块及放大模块，让放电模块在正常工作过程时泄漏电荷较小，而在出现ESD异常电荷时，还能以较快的相应速度将ESD异常电荷释放掉，保护I/O线路及其相关电路，不受到冲击电流和冲击电压的损坏。
esd 保护电路显示装置

[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置-CN202010374078.5有效
发明人： 张毅先;龚吉祥;鲜于文旭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置，所述方法通过采用半色调掩膜板在光阻层上刻蚀出厚薄不一的区域，并在不同的区域制作不同尺寸的孔结构，仅需一道光罩工艺便可制作多个不同尺寸的孔结构，将现有技术中的四道光罩工艺优化为一道光罩工艺，减少了设备和材料的投入，降低了生产成本，简化了工艺工序，提高了产品竞争力。
阵列制作方法显示装置

[发明专利]像素电路及显示面板-CN202110981828.X有效
发明人：王选芸;陈诚;戴超;张毅先 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素电路及显示面板，该像素电路包括第二布线、第一发光控制单元、驱动单元以及补偿单元，通过第一发光控制单元的控制端与补偿单元的控制端共用第二布线，可以节省像素电路的布线数量，进而提高了显示分辨率；同时，驱动单元的控制端仅配置了补偿单元，减少了驱动单元的控制端的漏电路径。
像素电路显示面板

[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置-CN202010527205.0有效
发明人：周菁;张毅先;鲜于文旭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板通过在第一衬底上形成转换端子层，并使转换端子层形成转换端子，第一衬底在转换端子对应位置形成第一开口，使得源漏极层形成的数据线通过第一过孔与所述转换端子连接，使得在驱动芯片与显示面板的连接过程中，驱动芯片通过转换端子层与源漏极层的数据线连接，从而实现驱动芯片与显示面板的连接，无需在显示面板的下边框设置扇出区、绑定端子、弯折区，使得显示面板的边框的宽度降低，提高了显示面板的屏占比，缓解了现有显示装置存在走线较多导致边框较宽，进而导致显示装置的屏占比较低的技术问题。
显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]像素驱动电路及显示面板-CN202111409334.0在审
发明人：王选芸;陈诚;戴超;张毅先 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本申请提出了一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路包括发光器件、驱动单元、补偿单元、复位单元、自举电容、电容复位单元以及数据写入单元，补偿单元包括并联设置的至少两个晶体管，至少两个晶体管中与驱动晶体管的栅极连接的晶体管的有源层包括氧化物半导体，本申请通过有源层包括氧化物半导体的晶体管所具有的低截止态漏电流的特性抑制在低频工作条件下驱动管栅极漏电，能够实现低频显示，降低显示功耗。
像素驱动电路显示面板

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法-CN202010529346.6有效
发明人：龚吉祥;张毅先;鲜于文旭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板以及薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅极；有源层，对应于所述栅极设置；源极和漏极，设置于所述有源层两端并与所述有源层电连接；以及层间绝缘层，设置于所述有源层与所述源极和所述漏极之间，所述层间绝缘层中开设有台阶状的接触孔，所述源极和漏极分别填充于所述接触孔中并与所述有源层电连接。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN202010580236.2有效
发明人：龚吉祥;张毅先;鲜于文旭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提出了一种阵列基板及其制造方法，包括：基底；第一TFT，设置于该基底上，该第一TFT包括设置于该基底上的第一有源层、设置于该基底和该第一有源层上且覆盖该第一有源层的第一栅极绝缘层、及设置于该第一栅极绝缘层上的第一栅极；第二TFT，设于该第一栅极绝缘层上，该第二TFT包括设置于该第一栅极绝缘层上的第二有源层、设置于该第二有源层上的第二栅极绝缘层、及设置于该第二栅极绝缘层上的第二栅极；该第一栅极的材料与该第二有源层的材料相同，且为一体成型结构。
阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺-CN201711278338.3有效
发明人：刘刚;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺，其中，膜层刻蚀工艺用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀，膜层的第一表面上形成有光刻胶，光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶，膜层刻蚀工艺包括如下步骤：采用含O2气体对膜层进行预处理，以去除残留光刻胶，其中，预处理持续预设时长；采用第一刻蚀气体对膜层进行刻蚀处理。上述膜层刻蚀工艺，先采用含O2气体对膜层进行预处理，其中的O2气体经射频放电形成一定浓度的氧离子活性分子，氧离子活性分子与光刻胶发生反应，以去除残留光刻胶，使光刻胶的形貌恢复正常，避免需要刻蚀的那部分膜层被光刻胶遮挡，导致膜层的形貌也出现异常，从而影响薄膜晶体管的品质的情况出现。
薄膜晶体管制作方法刻蚀工艺

[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板-CN202011409523.3在审
发明人：孙小茜;龚吉祥;张毅先 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，制备方法包括如下步骤：提供一衬底并在衬底上形成相互间隔的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，以及覆盖第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的层间绝缘层；在层间绝缘层背离衬底的一侧上涂布光刻胶层，利用半色调光罩对光刻胶层曝光显影以形成一阻挡层；以及，对光刻胶层及层间绝缘层进行多次干法刻蚀，以形成部分暴露第一薄膜晶体管的辅助电极的第一孔、部分暴露第一薄膜晶体管的有源层的第二孔、部分暴露第二薄膜晶体管的有源层的第三孔，以及部分暴露衬底的第四孔。
阵列制备方法显示面板

[发明专利]源漏极成膜前处理方法-CN201711465227.3有效
发明人：刘刚;铃木浩司;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种源漏极成膜前处理方法，包括如下步骤：在预处理腔室内，将碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行电离操作，形成等离子体；在所述预处理腔室内，采用所述等离子体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作。上述源漏极成膜前处理方法，通过碳氟气体、氢气和氩气的混合气体对自然形成的二氧化硅层进行干法刻蚀操作，能够较好地去除P‑Si或者A‑Si表面自然形成的二氧化硅，由于氩气的存在，能够减少碳氟气体对侧壁中正常的二氧化硅的腐蚀，从而对侧壁中GI和ILD中的二氧化硅影响较小。此外，由于氢气的存在，还能够减少对P‑Si或者A‑Si的刻蚀，提高了刻蚀选择比，能够较好地去除非晶硅或者多晶硅表面自然形成的二氧化硅层。
源漏极成膜前处理方法

[发明专利]栅极绝缘层成膜前的多晶硅层处理方法及处理系统-CN201810136398.X有效
发明人：刘刚;铃木浩司;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种栅极绝缘层成膜前的多晶硅层处理方法及栅极绝缘层处理系统，其中多晶硅层处理方法包括如下步骤：在真空反应腔室内，对氧气进行等离子化形成第一氧离子，采用所述第一氧离子对基板表面的多晶硅层进行第一次轰击清洗；在真空反应腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行等离子化形成等离子体，采用所述等离子体对经过第一次轰击清洗后的基板表面的多晶硅层进行第二次轰击清洗；在真空反应腔室内，对氧气进行等离子化形成第二氧离子，采用所述第二氧离子对经过第二次轰击清洗后的基板表面的多晶硅层进行第三次轰击清洗。上述多晶硅层处理方法能够较好地去除多晶硅层表面以氧化硅为主的氧化物，能够减少P‑Si表面出现mura。
栅极绝缘层成膜前多晶处理方法系统

[发明专利]有机发光显示装置、有机电致发光器件及其制备方法-CN201810010052.5有效
发明人：冼伟材;铃木浩司;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光显示装置、有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括：导电反射层，所述导电反射层包括依次层叠的铝膜层、银膜层和氧化铟锡膜层；有机发光层，所述有机发光层形成于所述氧化铟锡膜层上；阴极层，所述阴极层形成于所述有机发光层上。位于导电反射层的上层的氧化铟锡膜层能够防止银膜层大面积裸露在空气中而氧化，铝膜层具有较高的反射率，能够提高导电反射层的反射率，有效提高有机发光器件的反射率，并有效降低器件的功耗，铝膜层具有较高的导电率，而铝膜层作为下层膜层可提高膜层粘附力，能够更好地与下层的平坦化层连接。
有机发光显示装置电致发光器件及其制备方法

[发明专利]非晶硅表面处理方法-CN201810136389.0有效
发明人：刘刚;辛少强;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种非晶硅表面处理方法，非晶硅表面处理方法包括如下步骤：在真空腔室内，对含氧气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对非晶硅层进行第一次干法刻蚀操作；其中，所述含氧气体为氧气、二氧化氮中的至少一种；在真空腔室内，对碳氟气体、氢气和氩气的混合气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对经过第一次干法刻蚀操作处理后的所述非晶硅层进行第二次干法刻蚀操作。上述处理方法，第一等离子体中的活性氧分子对混合物中的有机物具有较好的清除作用，第二等离子体能够较好地去除混合物中的二氧化硅，能够减少非晶硅表面出现MURA，从而能够提高产品质量。
非晶硅表面处理方法

[发明专利]显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法-CN202010423212.6在审
发明人：何家庆;彭浩;张毅先 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供了显示面板、显示装置、以及显示面板的制作方法，该显示面板具有显示区，包括：衬底、发光层、第一电路层以及第二电路层，发光层设于衬底上，第一电路层设于发光层靠近衬底的一侧，第一电路层包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管与发光层电性连接，第二电路层设于第一电路层靠近或者远离衬底的一侧，第二电路层包括第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管电性连接，以控制发光层的发光情况，其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均设于显示区；该方案缩减了显示面板周围边框的尺寸，提高了显示面板的屏占比。
显示面板显示装置以及制作方法

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202010382043.6在审
发明人：周菁;张毅先;鲜于文旭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括显示区和外延区，显示面板包括绑定模组和显示模组；绑定模组覆盖所显示区和外延区，绑定模组包括绑定导电层，绑定导电层电性连接于外置的驱动芯片；显示模组覆盖显示区和外延区，显示模组设置在绑定模组上，显示模组包括薄膜晶体管阵列结构，薄膜晶体管阵列结构包括源漏导电层；源漏导电层位于外延区的部分通过过孔电性连接于绑定导电层。本申请绑定模组设置在显示模组的背面，并将显示模组中的源漏导电层通过过孔与绑定模组的绑定导电层电性连接，从而达到窄边框化的效果。
显示面板及其制备方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 35 条