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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种快速中子成像系统-CN201910044797.8有效
发明人：吴宜灿;李雅男;张早娣;章勇;胡丽琴;王芳 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01T3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速中子成像系统，包括中子转换屏、反光镜、像探测器、光学调整架、暗箱、屏蔽模块和计算机控制系统，其中，中子转换屏、反光镜、像探测器和光学调整架设于暗箱内，屏蔽模块设于正对中子束的暗箱一侧；中子转换屏包括中子‑质子转换层、质子能量选择层、电子倍增层和荧光层；像探测器采用硅光电倍增管阵列，或像增强CCD相机；光学调整架包括第一平移台和第二平移台；第一平移台的一端设有反光镜，另一端连接有第二平移台，第二平移台上设有与反光镜相对而设的像探测器；计算机控制系统远程控制第一平移台和第二平移台的移动。本发明结构简单、紧凑，且能满足不同视场范围和分辨率的成像要求。
一种快速中子成像系统

[发明专利]一种固体材料中氚含量的测量方法-CN202111534622.9在审
发明人：肖丹;陈思泽;梅华平;韩运成;章勇;张思纬;张早娣;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01T1/185 文献下载
摘要：本发明提供了一种固体材料中氚含量的测量方法，包括，S1：将被测对象置于平行电极板之间，改变电极板两端的电压参数，获取多组能谱数据；S2：计算在不同电场强度下，β射线诱发的X射线能谱数据；S3：建立多能谱组合反演模型，构建总射线能谱与不同深度的射线能谱在电场下的函数关系，基于不同电场强度下的反演模型，求解氚在不同深度的分布情况。本发明的优点在于：通过加高压的手段对测量谱进行增强，避免在测量过程中产生较大的误差，为后续的数据反演提供了保障，提高了反演计算的准确率。
一种固体材料含量测量方法

[发明专利]一种离子注入样品台-CN201410187456.3有效
发明人： 张早娣;周溯源;李慧;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入样品台，包括密封板、样品台底座、步进电机、样品板支架、齿轮连接轴、样品板、束流插孔、抑制电极、绝缘柱、电压插孔和计算机控制系统，样品台主体部分由样品台底座、步进电机、样品板支架、步进电机、齿轮连接轴和样品板从下至上依次连接；步进电机1可推动样品板支架左右移动，步进电机2可推动齿轮连接轴旋转并带动样品板转动；步进电机1和步进电机2均与计算机控制系统相连；样品板与束流插孔相连；抑制电极通过绝缘柱与样品台底座固定连接，且其通过导线连接电压插孔。该样品台可以通过计算机进行远距离控制，具有平移功能和旋转功能，离子注入过程中可以快速精确地更换样品，并且可以精确控制样品的倾斜角度。
一种离子注入样品

[发明专利]基于分布式电磁铁的矩形平面阴极电弧靶-CN201310468970.X有效
发明人：黄志宏;张早娣;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分布式电磁线圈的矩形平面阴极电弧靶，包括矩形平面靶材本体及其背面布置的不少于2组的电磁铁组，各电磁铁组为与电源连接的、不少于2个的串联电磁铁。在电弧产生过程中，使各电磁铁组交替与电源导通，从而使得弧斑在靶材表面的路径加长，增加了靶材表面的有效冷却面积，并将材利用率从现有的30%提高至65%；同时，还可通过改变电流大小来改变磁场强弱，改变弧斑运行速度，也可提高靶材利用率，同时减少沉积于膜层中的液滴。
基于分布式电磁铁矩形平面阴极电弧

[发明专利]一种集成式阴极电弧靶-CN201310473310.0有效
发明人：黄志宏;张早娣;闫少健;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成式阴极电弧靶，包括水冷阴极、阳极、绝缘组件、限弧机构、磁控限弧机构、档板机构和引弧机构，水冷阴极包括靶，引弧机构包括引弧针；其中：水冷阴极通过绝缘组件安装于阳极；限弧机构固定于绝缘组件，用来限制弧斑的运动范围；磁控限弧机构固定于阳极且位于阳极和水冷阴极之间，用来调节冷阴极的靶面的磁场强度；挡板机构和引弧机构固定于阳极，引弧机构的引弧针与水冷阴极的靶面接触。本发明简化了电弧离子镀设备真空腔体，促进电弧离子镀设备模块化和标准化；具有烧蚀均匀、靶利用率高的优点；安装维护方便，运行稳定。
一种集成阴极电弧

[发明专利]一种制备石墨烯的设备及方法-CN201210157870.0有效
发明人： 张早娣;王泽松;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备石墨烯的设备和方法，该设备主要包括负离子源、分析磁铁、扫描系统、样品架、束流积分仪和真空室，采用上述设备能在能量为5-30keV的范围内进行碳团簇离子在衬底中的注入，然后利用不同温度下碳在衬底中溶解度的不同，经退火处理，使碳从衬底表面析出形成石墨烯。采用本发明设备和方法可以制备面积大、缺陷少、层数少且层数分布均匀的石墨烯，所制备的石墨烯可用作锂离子电池、超级电容器的电极材料，为石墨烯在锂电池、电容器等工业化产品中的大规模应用提供了一种新的途径。
一种制备石墨设备方法

[发明专利]一种用碳团簇离子束制备超薄碳膜的方法-CN201110370968.X有效
发明人：王泽松;王世旭;张早娣;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备超薄碳膜的方法。用铯离子溅射石墨靶产生小碳团簇负离子束，在合适的真空条件下，经减速电场后在基材表面上扫描沉积形成超薄碳膜。本装置主要由离子源、扫描器、沉积靶室和真空系统组成。离子源、扫描器、沉积靶室依次相连，处于真空系统之中。离子源产生的碳团簇负离子束，其能量从十几KeV降低到几十或几百eV，经扫描在衬底上形成厚度均匀的超薄碳膜。本发明利用低能团簇负离子束单个原子的低能量、剂量精确可控的优势，实现直接沉积法制备超薄碳膜。
一种用碳团簇离子束制备超薄方法

[发明专利]一种场电离粒子发生器-CN201110332681.8无效
发明人： 张早娣;王世旭;王泽松;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种场电离粒子发生器，由真空腔、电极部分、低压电源、高压电源、束流表和计算机系统构成，电极部分由顺次垂直安装在真空腔中的发射极、栅极和收集极构成，栅极通过真空腔中导出的低压电极与低压电源连接，低压电源、束流表、发射极依次相连；收集极通过真空腔中导出的高压电极与高压电源连接，高压电源、束流表、发射极依次相连；束流表、束流表、低压电源、高压电源均与计算机系统相连。本发明中的场电离材料为带有毛刺并且制备在镀有钛膜的硅衬底上的纳米阵列。本发明所提供的场电离粒子发生器可以作为场电离离子源和中子发生器。
一种电离粒子发生器

[实用新型]一种场发射和场电离测量装置-CN201120162029.1有效
发明人： 张早娣;王泽松;付德君 -专利权人：武汉大学
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场发射和场电离测量装置，由真空腔、电极部分、低压电源、高压电源、数字电流表、数模转换器和计算机系统构成，电极部分由顺次垂直安装在真空腔中的发射极、栅极和收集极构成，三者之间分别用绝缘材料隔开；栅极、低压电源、数字电流表、发射极依次相连，收集极、高压电源、数字电流表、发射极依次相连，数字电流表与计算机系统相连，低压电源、高压电源分别通过数模转换器与计算机系统相连。本实用新型装置采用计算机控制、在同一真空腔内实现了场发射和场电离过程的自动扫描测试，方便快捷，且提高了测试精度。
一种发射电离测量装置

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