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[实用新型]一种硅麦克风传感器叠板用的压合治具-CN202221948991.2有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H05K3/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅麦克风传感器叠板用的压合治具，包括上下布置的上模和下模，所述上模和下模上均设置有多个散热孔，所述上模上设置有第一散热机构，所述下模上设置有第二散热机构，所述第一散热机构和第二散热机构具有相同结构；所述第一散热机构包括多个均匀分布的散热槽；所述第一散热机构还包括移动组件和多个第一散热组件，多个第一散热组件与散热孔一一对应，该硅麦克风传感器叠板用的压合治具，实现了根据不同型号产品工艺要求提高压合治具的降温速度的功能，防止冷却速度太慢而导致焊锡膏从液态到固态转换时造成介金属化合物产生和较大的合金颗粒，降低焊接的抗疲劳强度，造成各PCB板之间产生开裂。
一种麦克风传感器叠板用压合治具

[发明专利]一种硅麦克风传感器叠板压合治具的使用方法-CN202210889357.4在审
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅麦克风传感器叠板压合治具的使用方法，包括以下步骤：S1、将压合治具上的上模和下模分开，然后将产品放入下模并定位；S2、上模装入下模后通过锁紧机构锁紧；所述上模和下模上均设置有多个散热孔，所述上模上设置有第一散热机构，所述下模上设置有第二散热机构，所述第一散热机构和第二散热机构具有相同结构；所述第一散热机构包括多个均匀分布的散热槽；该硅麦克风传感器叠板压合治具的使用方法，实现了根据不同型号产品工艺要求提高压合治具的降温速度的功能，防止冷却速度太慢而导致焊锡膏从液态到固态转换时造成介金属化合物产生和较大的合金颗粒，降低焊接的抗疲劳强度，造成各PCB板之间产生开裂。
一种麦克风传感器叠板压合治具使用方法

[发明专利]一种液晶面板驱动用传感器的叠板工艺-CN202210889747.1在审
发明人： 张巧杏;袁野;张国珠 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶面板驱动用传感器的叠板工艺，包括以下步骤：S1、将MEMS芯片和IC芯片贴装在第一PCB板上，且MEMS芯片位于第一PCB板上的声孔处；S2、第二PCB板和第三PCB板焊接合成为罩壳；S3、罩壳焊接在第一PCB板上，IC芯片和MEMS芯片均位于第一PCB板、第二PCB板和第三PCB板合成为一个密封的音腔体内，产品封装完成。该液晶面板驱动用传感器的叠板工艺，通过首先将MEMS芯片和IC芯片贴装在第一PCB板上，再将合成为罩壳的第二PCB板和第三PCB板焊接在第一PCB板上，使IC芯片和MEMS芯片均位于第一PCB板、第二PCB板和第三PCB板合成为一个密封的音腔体内，可以避免第二PCB板减小MEMS芯片和IC芯片贴装在第二PCB上的操作空间，降低了MEMS芯片100和IC芯片贴装难度。
一种液晶面板驱动传感器工艺

[发明专利]一种液晶面板驱动用传感器的封装工艺-CN202210889356.X在审
发明人： 张巧杏;袁野;张国珠 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶面板驱动用传感器的封装工艺，包括以下步骤：a、烘烤、打标；b、第一PCB板300打印、第一PCB板300SIP、第一PCB板300贴电容、回流焊、AOI、贴胶带；c、第一PCB板300、第二PCB板400和第三PCB板500叠板；d、分割；e、外观抽检、包装出货；所述步骤c包括以下步骤：S1、将MEMS芯片100和IC芯片200贴装在第一PCB板300上，且MEMS芯片100位于第一PCB板300上的声孔301处；S2、第二PCB板400和第三PCB板500焊接合成为罩壳；上述步骤S1和步骤S2次序并列。该液晶面板驱动用传感器的封装工艺，将MEMS芯片和IC芯片贴装在第一PCB板上和第二PCB板和第三PCB板焊接形成罩壳可以在同一时间内完成，即生产时间实现重叠，提高了工作效率。
一种液晶面板驱动传感器封装工艺

[发明专利]一种提高线性度的MEMS硅麦集成电路及设计方法-CN202110290236.3有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高线性度的MEMS硅麦集成电路及设计方法，包括MEMS传感器芯片，所述MEMS传感器芯片包括位于上方的第一硅片和位于下方的第二硅片，所述第一硅片的振动膜片层的下底面和所述第二硅片的第二背板层的淀积金属层通过第一电极电连接,所述第一硅片的第一背板层还连接有第三电极，所述第一硅片的第一背板层设有上下贯通的至少一个第一通孔，所述第二硅片的第二背板层设有上下贯通的至少一个第二通孔，所述振动膜片层的振动膜片区域设有上下贯通的至少一个第三通孔，所述第三通孔与所述第一通孔和第二通孔二者之一保持贯通，所述第一通孔和第二通孔彼此之间错位设置，本发明MEMS传感器芯片实现在不同频率下响应曲线的一致，具有较好的线性度。
一种提高线性 mems 集成电路设计方法

[实用新型]一种新型双路光耦集成电路及平面型框架-CN202220524258.1有效
发明人：袁野;张巧杏;全庆霄;王辉 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型双路光耦集成电路及平面型框架，包括平面型框架、内封装体、外封装体、两个发光件、两个光电接收件和两组MOSFET，各发光件、光电接收件和MOSFET均同平面设置于平面型框架，所述发光件、光电接收件和MOSFET一一对应，每组MOSFET的数量为两个，同组的两个MOSFET前后布置，两个发光件前后布置，所述发光件位于光电接收件的左侧，所述MOSFET位于光电接收件的右侧，所述光电件和光电接收件通过点胶体形成光通路，所述点胶体通过内封装体进行包覆固定，所述外封装体包覆于内封装体，所述内封装体与点胶体形成一个向下凹的反射曲面，所述外封装体的颜色为黑色，所述内封装体的颜色为白色，所述点胶体颜色为透明。
一种新型双路光耦集成电路平面框架

[实用新型]一种基于IPD技术的2.4GHz带通滤波器-CN202220550306.4有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于IPD技术的2.4GHz带通滤波器，涉及电子技术领域，该基于IPD技术的2.4GHz带通滤波器包括：砷化镓基板，用于由IPD技术构成，在砷化镓基板表面设置电路主体；接地铜柱，用于贯穿砷化镓基板，使得电路主体和接地底板连接；接地底板，用于接地；电路主体，用于构成滤波器，对输入信号进行滤波处理；电路主体包括输入端口、输出端口、第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容，第一电感的一端连接输入端口、第一电容，第一电容的另一端连接接地端口，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型利用薄膜IPD工艺在砷化镓材料的基板上实现，具有集成度高、带内插损小、小型化的特点。
一种基于 ipd 技术 2.4 ghz 带通滤波器

[实用新型]一种IPD低通滤波器-CN202220603806.X有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IPD低通滤波器，其特征在于：该IPD低通滤波器包括：砷化镓基板，用于放置金属层、LC滤波器、隔离板；金属层，用于进行电连接，共有两层，上层金属层尺寸小于下层金属层；隔离板，用于隔离两层金属层；与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型解决了传统的低通滤波器只能采用平面结构，占用的芯片面积太大，不能满足射频前端对器件小型化的需求，以及性价比高、插入损耗高的问题；本滤波器采用多阶LC滤波器原型，并通过IPD砷化镓平台的工艺实现等效集总电路模型。集总电感采用平面螺旋电感，集总电容采用MIM电容结构，这种实现方式能够显著减小滤波器尺寸，并且很好的达到要求的性能参数。
一种 ipd 滤波器

[发明专利]一种三维结构的射频电感及其设计方法-CN202110290215.1有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维结构的射频电感及其设计方法，包括在上下方向上至少设有的第一硅衬底层和第二硅衬底层，以及在所述第一硅衬底层顶部设有的第一平面螺旋金属带层和在所述第二硅衬底层顶部设有的第二平面螺旋金属带层，所述第一平面螺旋金属带层由外圈向内圈顺时针旋转的尾端与第二平面螺旋金属带层由外圈向内圈顺时针旋转的尾端通过贯通所述第一硅衬底层的第一硅通孔电连接。本发明使上层和下层电感结构的电场方向相反，相互抵消，提高趋肤深度，提高电感材料的利用率，达到提高品质因数Q降低功耗的目的。
一种三维结构射频电感及其设计方法

[发明专利]面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器-CN202110532891.5有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H03H7/52 文献下载
摘要：本发明公开了面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器，包括：介质基板层，包括由下至上设有的砷化镓基板层和SiNx基板层，其中所述砷化镓基板层是衬底；金属导体层，包括设在所述砷化镓基板层的下表面上的金属地面层；滤波结构层，用于实现滤波功能。本发明使用光刻胶作为最终形成钝化层的材料，这样可以降低成本并且提高成品率；在制作金属导体层时，采用电子束蒸发技术，其可以很好的解决电镀带来的问题，且带内差损小，带外有三个传输零点，高频抑制好。
面向通信高阻带抑制滤波器

[发明专利]一种新型双路光耦集成电路及平面型框架-CN202210236537.2在审
发明人：袁野;张巧杏;全庆霄;王辉 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型双路光耦集成电路及平面型框架，包括平面型框架、内封装体、外封装体、两个发光件、两个光电接收件和两组MOSFET，各发光件、光电接收件和MOSFET均同平面设置于平面型框架，所述发光件、光电接收件和MOSFET一一对应，每组MOSFET的数量为两个，同组的两个MOSFET前后布置，两个发光件前后布置，所述发光件位于光电接收件的左侧，所述MOSFET位于光电接收件的右侧，所述光电件和光电接收件通过点胶体形成光通路，所述点胶体通过内封装体进行包覆固定，所述外封装体包覆于内封装体，所述内封装体与点胶体形成一个向下凹的反射曲面，所述外封装体的颜色为黑色，所述内封装体的颜色为白色，所述点胶体颜色为透明。
一种新型双路光耦集成电路平面框架

[发明专利]面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器的制备封装工艺-CN202110532896.8有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H03H7/52 文献下载
摘要：本发明公开了面向5G通信的高阻带抑制低通滤波器的制备封装工艺，包括：介质基板层，包括由下至上设有的砷化镓基板层和SiNx基板层，其中所述砷化镓基板层是衬底；金属导体层，包括设在所述砷化镓基板层的下表面上的金属地面层；滤波结构层，用于实现滤波功能，包括通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在所述砷化镓基板层上并且分别位于所述SiNx基板层的上下两面，钝化层，用于覆盖在所述滤波结构层之上。本发明使用光刻胶作为最终形成钝化层的材料，这样可以降低成本并且提高成品率；在制作金属导体层时，采用电子束蒸发技术，其可以很好的解决电镀带来的问题，且带内差损小，带外有三个传输零点，高频抑制好。
面向通信高阻带抑制滤波器制备封装工艺

[发明专利]一种基于热电堆的无线温度传感器的生产工艺-CN202010271506.1有效
发明人： 张巧杏;张国珠;袁 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2020-03-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：本发明一种基于热电堆的无线温度传感器的生产工艺，其特征在于具体步骤如下：步骤一、基体上下两面生长氮化硅；步骤二、生长多晶硅，硼注入，退火；步骤三、光刻第一版，形成四排多晶硅条组，四排多晶硅条组形成口字形结构，每排多晶硅条组包括并排布置的多根多晶硅条；步骤四、溅射金属，光刻第二版，湿法刻蚀金属；步骤五、钝化处理，光刻第三版；步骤六、溅射钛金，剥离，冷端上形成反射层；步骤七、湿法腐蚀，腐蚀出窗口。本发明得到了较为稳定的介质膜支撑方案，显著提高了成品率，并且通过该工艺得到的热电堆红外探测器，其性能相对于传统的热电堆探测器得到了较为明显的提高。
一种基于热电无线温度传感器生产工艺

[发明专利]一种硅麦集成电路的精确切割装置-CN202110377296.9有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅麦集成电路的精确切割装置，包括加工仓，所述加工仓内两端的中间位置处共同设置有转动杆，所述加工仓底部的一端设置有与转动杆传动连接的第二驱动组件，所述转动杆的外侧均匀套设有四组套环，且套环的外侧安装有第一切割盘，所述套环的一端安装有安装环。本发明通过调节组件、第二驱动组件、第一切割盘、套环和第二切割盘的配合使用，迫相邻两组第一切割盘之间的间距与第一切割盘和连接轴承之间的间距始终保持相同，从而可以实现手动精确调节多组第一切割盘与第二切割盘之间的间距，也就让装置可以对不同宽度的硅麦集成电路进行切割，既提高了切割的准确度，也能提高该装置的适用范围，有利于推广使用。
一种集成电路精确切割装置

[实用新型]一种硅麦集成电路的精确切割装置-CN202120713825.3有效
发明人：袁野;张国珠;张巧杏 -专利权人：无锡豪帮高科股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B26D7/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅麦集成电路的精确切割装置，包括加工仓，所述加工仓内两端的中间位置处共同设置有转动杆，所述加工仓底部的一端设置有与转动杆传动连接的第二驱动组件，所述转动杆的外侧均匀套设有四组套环，且套环的外侧安装有第一切割盘，所述套环的一端安装有安装环。本实用新型通过调节组件、第二驱动组件、第一切割盘、套环和第二切割盘的配合使用，迫相邻两组第一切割盘之间的间距与第一切割盘和连接轴承之间的间距始终保持相同，从而可以实现手动精确调节多组第一切割盘与第二切割盘之间的间距，也就让装置可以对不同宽度的硅麦集成电路进行切割，既提高了切割的准确度，也能提高该装置的适用范围，有利于推广使用。
一种集成电路精确切割装置

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