“张二同”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法-CN202111118652.1有效
发明人：舒斌;朱佳迪;张二同;胡辉勇;王利明;李婉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供的一种GeSn波导型单行载流子光探测器结构及其制备方法，将GeSn材料、单行载流子光电探测器和Ge基波导型光电探测器结合在一起，适合单片光电集成，可以满足高光响应度、高响应速度与波段的器件性能要求。且本发明的光探测器工艺简单，通过楔形结构用于提高光波导与探测器之间的光耦合效率，以及锥形结构减小光探测器入射波导的光反射。因此本发明的光电探测器可以提高效率、光响应度以及响应速度。本发明所设计的GeSn波导型光探测器在1.55μm处的光响应度为1.25A/w，3dB带宽最大为160GHz。相比现有技术，本发明光探测器的光响应度和响应带宽方面均有很大的提升。
gesn 波导单行载流子探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法-CN202310652986.X在审
发明人：舒斌;孙昕阳;张二同;朱佳迪;付子杰;胡辉勇;王利明;张宁宁;苗田 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiN应力的阶梯状结构GeSn激光器及制备方法，激光器包括：衬底层；设置在衬底层上的缓冲层；设置在缓冲层上的N型Ge层；分别设置在N型Ge层两端的DBR反射镜和DBR反射镜；设置在N型Ge层上的阶梯状结构；设置在阶梯状结构上的P型Ge层；设置在P型Ge层内的P型重掺杂欧姆接触区；设置在阶梯状结构上和N型Ge层上的Si3N4应力层；设置在贯通Si3N4应力层的第一沟槽内和P型重掺杂欧姆接触区之上的电极；设置在金属电极之下且在N型Ge层内的N型重掺杂欧姆接触区。本发明能够有效提高Ge激光器的发光效率、降低Ge激光器的阈值电流密度，为高效的Ⅳ族材料集成光源提供了一种可行方案。
一种基于 sin 应力阶梯结构 gesn 激光器制备方法

[发明专利]光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法-CN202111118658.9有效
发明人：舒斌;张二同;朱佳迪;胡辉勇;王利明;景文龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供的一种光栅耦合型Ge系近红外波导探测器及其制备方法，通过生长Si层和SiO2层，使得Si层与SiO2层构成布拉格反射镜结构提高耦合效率，在P型Si材料层刻蚀形成的聚焦型非均匀光栅结构，在P型Si材料层与GeSn合金材料之间生长一层较薄的掺杂浓度低于P型Si材料层Ge材料缓冲层，降低晶格失配的影响以及减少俄歇复合产生的光损耗，生成的本征Ge0.94Sn0.06材料层可以减少光吸收层的长度并且可以将光探测范围扩展到更长。因此本发明的光栅耦合型Ge系近红外波导探测器不仅可以解决传统探测器耦合效率低、光响应低等问题还可以满足近红外光谱探测，具有高速、高响应及易与硅基集成的特点，具有较高的光电转换效率和光稳定性。
光栅耦合 ge 红外波导探测器及其制备方法