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[发明专利]由原料的熔体制造晶体的装置的方法及由此获得的晶片-CN202310868230.9在审
发明人： S·艾什勒;M·罗舍尔;D·祖佩尔;U·克雷策;B·温纳特 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：用于由原料的熔体制造晶体的装置，包括：用于接收熔体的坩埚，坩埚具有包含第一横截面面积的第一部分且具有用于接收籽晶且包含第二横截面面积的第二部分，第二横截面面积小于第一横截面面积，第一部分和第二部分直接地彼此连接或经由从第一部分至第二部分渐缩的第三部分而彼此连接，以便容许在定向温度场内进行从籽晶开始至熔体固化的结晶，坩埚的第一部分具有中心轴线，第二部分被布置成从第一部分的中心轴线侧向地偏移。本申请还涉及一种由原料的熔体(16)制造晶体(14)的方法，以利用该方法所获得的晶片。依据本申请的技术方案，在制造具有增加的电功率密度和/或光功率密度的构件时的良品率显著地提高，并因此提高构件生产的经济效率。
原料体制晶体装置方法由此获得晶片

[发明专利]由原料的熔体制造晶体的装置的方法及由此获得的晶片-CN202010496246.8有效
发明人： S·艾什勒;M·罗舍尔;D·祖佩尔;U·克雷策;B·温纳特 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：用于由原料的熔体制造晶体的装置，包括：用于接收熔体的坩埚，坩埚具有包含第一横截面面积的第一部分且具有用于接收籽晶且包含第二横截面面积的第二部分，第二横截面面积小于第一横截面面积，第一部分和第二部分直接地彼此连接或经由从第一部分至第二部分渐缩的第三部分而彼此连接，以便容许在定向温度场内进行从籽晶开始至熔体固化的结晶，坩埚的第一部分具有中心轴线，第二部分被布置成从第一部分的中心轴线侧向地偏移。本申请还涉及一种由原料的熔体(16)制造晶体(14)的方法，以利用该方法所获得的晶片。依据本申请的技术方案，在制造具有增加的电功率密度和/或光功率密度的构件时的良品率显著地提高，并因此提高构件生产的经济效率。
原料体制晶体装置方法由此获得晶片

[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途-CN202210773543.1在审
发明人： W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
用于制备砷化镓衬底方法及其用途

[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途-CN201710885350.4有效
发明人： W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
用于制备砷化镓衬底方法及其用途

[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途-CN201480004737.9有效
发明人： W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
用于制备砷化镓衬底方法及其用途

[发明专利]用于制备III-N模板及其继续加工的方法和III-N模板-CN201611230901.5有效
发明人： F·利普斯基;F·肖尔茨;M·克莱恩;F·哈贝尔 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III‑N‑层厚的无裂纹的III‑N单晶。
用于制备 iii 模板及其继续加工方法

[发明专利]用于制备III-N单晶的方法以及III-N单晶-CN201710194546.9有效
发明人： M·格林德尔;F·布儒纳;E·里希特;F·哈贝尔;M·魏尔斯 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及制备III‑N模板，并且还涉及制备III‑N单晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一种选自Al、Ga和In的元素。通过在晶体生长过程中设定特定的参数，可以获得III‑N模板，该模板为在异质衬底上生长的晶体层赋予获得模板形式或甚至具有大的III‑N层厚的无裂纹III‑N单晶的特性。
用于制备 iii 方法以及

[发明专利]用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途-CN201910045917.6在审
发明人： W·弗利格尔;C·克莱门特;C·维劳尔;M·舍费尔奇甘;A·克莱茵韦希特;S·艾希勒;B·韦纳特;M·梅德尔 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
衬底砷化镓表面性质制备侧向分析仪检测臭氧气体定量表征干燥条件光学表面椭圆偏振氧化处理液体介质不接触均匀性映射马兰改进

[发明专利]生产多晶硅的装置和方法以及多晶硅的锭和片-CN201410053620.1有效
发明人： B·温纳特;M·尤里施;S·艾什勒 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：描述了生产晶体硅，特别是多晶硅的方法和装置，其中形成硅原料的熔体，接着以定向的取向使硅熔体凝固。以这种方式在所述熔体上方提供呈气体、液体或固体形式的相或物质，以致硅熔体中、从而凝固的晶体硅中选自氧、碳和氮的外来原子的浓度是可控的；和/或硅熔体上方气相中气体组分的分压是可调和/或可控的，所述气体组分选自氧气、碳气和氮气以及含有至少一种选自氧、碳和氮的元素的气体物质。根据本发明可有效地抑制和预防影响太阳能电池的电性能的杂质化合物沉淀或夹杂物，特别是碳化硅的形成。
生产多晶装置方法以及

[发明专利]不具有晶格曲率的A‑B晶体的生长-CN201680017053.1在审
发明人： B·韦纳特;F·哈贝尔;G·莱比格 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于制备III‑V‑、IV‑IV‑或II‑VI‑复合半导体晶体的方法。所述方法始于提供任选具有晶体层(缓冲层)的基材。然后提供气相，所述气相具有至少两种用于复合半导体的元素(II、III、IV、V、VI)的反应试剂，所述反应试剂在晶体生长反应器的反应器温度下为气态并且在选定的反应器条件下可彼此反应。设置所述两种反应试剂的浓度的比例，使得复合半导体晶体可以从气相中结晶，其中选择足够高的浓度从而实现晶体形成，其中通过加入或设置还原剂以及降低气相中的III‑、IV‑或II‑化合物的活性的共反应试剂，使得晶体的生长速度相比于不具有共反应试剂的状态更低。在基材的表面上沉积复合半导体晶体，同时可以在生长的晶体上形成液相。此外可以加入助剂，所述助剂也可以包含在液相中但是仅以少量嵌入复合半导体晶体。在此可以针对性地控制3D‑和2D‑生长模式。助剂的加入以及液相的存在有利于这些手段。产物为各种III‑V‑、IV‑IV‑或II‑VI‑复合半导体晶体的单晶，所述III‑V‑、IV‑IV‑或II‑VI‑复合半导体晶体相比于各个常规复合半导体晶体具有更低的夹杂物或沉淀物浓度，因此不具有或仅具有极小曲率。
具有晶格曲率晶体生长

[发明专利]用于制备III‑N单晶的方法以及III‑N单晶-CN201380015539.8有效
发明人： M·格林德尔;F·布儒纳;E·里希特;F·哈贝尔;M·魏尔斯 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及制备III‑N模板，并且还涉及制备III‑N单晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一种选自Al、Ga和In的元素。通过在晶体生长过程中设定特定的参数，可以获得III‑N模板，该模板为在异质衬底上生长的晶体层赋予获得模板形式或甚至具有大的III‑N层厚的无裂纹III‑N单晶的特性。
用于制备 iii 方法以及

[发明专利]用于制备III‑N模板及其继续加工的方法和III‑N模板-CN201380015538.3有效
发明人： F·利普斯基;F·肖尔茨;M·克莱恩;F·哈贝尔 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III‑N‑层厚的无裂纹的III‑N单晶。
用于制备 iii 模板及其继续加工方法

[发明专利]晶体-CN201310248053.0有效
发明人： S·艾希勒;T·宾格尔;M·布特;R·吕曼;M·舍费尔-奇甘 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2008-06-04 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。
晶体

[发明专利]用于对Ⅲ-N衬底进行平滑的方法-CN200680055345.0有效
发明人： S·霍尔兹格;G·莱比格 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于制造光滑的III-N、尤其是光滑的III-N衬底或III-N模板的方法，其中III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表第III族中的至少一个元素，所述平滑剂包括立方氮化硼作为研磨颗粒。由此可以提供直径至少为40mm并且在整个衬底和晶片表面上具有非常小的表面粗糙度的大面积III-N衬底或III-N模板。从而在用白光干涉计映射晶片表面时rms值的标准差等于5％或更小。该特性与表面或靠近表面区域上的非常好的晶体质量同时获得，该晶体质量例如可以通过摇摆曲线映射和/或微拉曼映射测量。
用于衬底进行平滑方法

[发明专利]制备III-N 体晶和自支撑III-N 衬底的方法以及III-N 体晶和自支撑III-N 衬底-CN201110332897.4有效
发明人： G·莱比格;F·哈贝尔;S·艾希勒 -专利权人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
申请日： 2007-05-04 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明描述一种制备III-N体晶和自支撑III-衬底的方法以及III-N体晶和自支撑III-N衬底，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的III-N体晶以及从上面分离的单个的III-N单晶衬底。
制备 iii 支撑衬底方法以及

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