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[发明专利]制备三氯硅烷的方法-CN96120113.4无效
发明人：鲁道尔夫·格里斯哈默;弗兰茨·科普尔;弗兰茨·施赖德 -专利权人：瓦克化学有限公司
申请日： 1996-09-23 - 公布日： 1997-07-02 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过在流化床反应器中还原四氯硅烷来制备三氯硅烷的方法。该方法包括以下步骤a)在反应器中建立一个硅颗粒的流化床；b)将微波辐射直接导入反应器中，加热硅颗粒使其温度达到300-1100℃；c)使含有四氯硅烷和氢的反应气通过流化床，使反应气与硅颗粒反应，形成含有三氯硅烷的产物气，和d)由反应器中取出产物气。
制备硅烷方法

[发明专利]粉碎半导体材料的方法-CN94105732.1无效
发明人： 弗兰茨·科普尔;马托斯·尚茨 -专利权人：瓦克化学有限公司
申请日： 1994-05-18 - 公布日： 1997-02-05 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：一种无污染半导体材料的粉碎方法及实现该方法的装置。所述的方法包括至少产生一种液体射流，该射流是通过向液体施加压力而产生并且经由喷嘴喷出；和导引液体射流以高速冲击半导体材料表面。所述的装置包括用于接收已粉碎的半导体材料的容器；至少一个喷嘴，液体射流通过该喷嘴以高速冲击要被粉碎的半导体材料；推进装置，用于从容器中移走已粉碎的半导体材料；释放和中断液体射流的装置及固定喷嘴及/或推进半导体材料的装置。
粉碎半导体材料方法