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[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN202180085133.1在审
发明人： 平祐树;竹田刚;门岛胜 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：具有通过进行预定次数的循环，在基板上形成膜的工序，所述循环包括：对处理容器内的基板供给原料气体的工序a；将含氮和氢气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序b；以及将惰性气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序c，使工序c中的所述处理容器内的压力比工序b中的所述处理容器内的压力低。
处理方法半导体装置制造以及程序

[发明专利]紫外线发生装置以及使用该紫外线发生装置的照明装置-CN200980111407.9有效
发明人：松本和宪;平祐树 -专利权人：富山县
申请日： 2009-04-01 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01J65/00 文献下载
摘要：本发明提供紫外线发生装置以及使用该紫外线发生装置的照明装置。将多极磁场中的多相交流放电等离子体应用到紫外线发生光源，使用除了汞或稀有气体以外的普通分子气体，高亮度地产生高效率的紫外线。对平面容器(3)内进行真空排气，封入或流入1Torr以下的用于放电发光的分子气体。接着，对12个分割电极(1)连接1kw以下的12相交流电源而提供放电电能。由此，沿着被阻挡层(2)覆盖的分割电极(1)的表面产生由稳定的交流辉光放电引起的等离子体(P)。作为放电的结果，放射出具有含有紫外线的分子气体所特有的波长的光，从光取出窗口(32)向外取出。
紫外线发生装置以及使用照明